...装置、存储介质及电子设备专利,提高雪崩光电二极管的反偏电压...
控制系统与电压模块连接,电压模块与雪崩光电二极管连接,电压模块的输出电压作为雪崩光电二极管的反偏电压,获取电压模块的当前输出电压,基于当前输出电压、目标电压以及当前占空比确定第一目标占空比;向电压模块输出第一目标占空比的脉冲信号,调整电压模块的输出电压,以改变雪崩光电二极管的反偏电压。
江苏尚飞光电科技取得日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器专利...
专利摘要显示,本发明提供一种日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器,包括基板层、第一宽禁带半导体层、第二宽禁带半导体层、缓冲层、硅基材料层、第一阴极引出端、阳极引出端及第二阴极引出端,其中,第一宽禁带半导体层位于基板层上;第二宽禁带半导体层与缓冲层位于第一宽禁带半导体层上且间隔设置;硅基材料层位于缓冲层...
Meta申请“单像素3D视网膜成像”专利:或用于Orion智能眼镜
在Meta专利图1中,展示了一种人工现实(artificialreality)系统,该系统包含一个头戴式头显(HMD)。该HMD内置有眼球追踪系统,用于追踪佩戴者的辐辏运动,即双眼同时注视某一点时的运动轨迹。眼球追踪系统包括一个或多个单像素检测器,如光电二极管(PD)、雪崩光电二极管(APD)或单光子雪崩二极管(SPAD),以及一个或...
国盾量子获得外观设计专利授权:“雪崩光电二极管标定主机的面板”
3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:后视图。5.本外观设计产品为雪崩光电二极管标定主机后侧面板的局部外观设计,各个图中用半透明红色填充区分非保护部分和保护部分,其中,各个图中未被半透明红色填充覆盖的部分为面板部分,即本外观设计专利保护的部分,半透明红色填充覆盖的部...
鼎信通讯申请雪崩光电二极管校准方法专利,以完成对反向偏压的校准
专利摘要显示,本申请公开了一种雪崩光电二极管校准方法、装置、电子设备及可读存储介质,包括:将待校准APD放置于无光温控箱中,并按预设的温度调控顺序使待校准APD依次处于不同温度的环境;分别对处于每个温度下的待校准APD,均进行施加逐渐增大的反向偏压,并利用测温电阻和暗电流检测电路记录得到各温度条件下的实际反向偏压...
国盾量子获得发明专利授权:“用于雪崩光电二极管的延时电路及集成...
专利摘要:本发明公开了一种用于雪崩光电二极管的延时电路及集成单光子检测电路,延时电路包括或门芯片、第一延时芯片、选择芯片、控选电路,或门芯片、第一延时芯片、选择芯片依次电连接,或门芯片的一个输入端作为整个延时电路的输入端并输入光子同步信号,所述选择芯片的输出端包括两个,其中一个作为延时电路的输出端,另一...
华为公司申请雪崩光电二极管APD专利,用于降低APD的过剩噪声
金融界2024年4月9日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“一种雪崩光电二极管APD、相关设备和网络“,公开号CN117855303A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本申请实施例公开了一种雪崩光电二极管APD、相关设备和网络,用于降低APD的过剩噪声。本申请实施例提供的APD包括:吸收层、倍增层和第一欧姆...
科学家研制出1033GHz超高增益带宽积的雪崩光电二极管
据悉,雪崩光电二极管(APDs)在光通信、传感和量子应用中实现了高灵敏度的光探测。在提高增益-带宽乘积(GBP)方面已经付出了巨大的努力。然而,由于未能全面考虑雪崩过程的复杂性,进一步的进展遇到了巨大的障碍。附:英文原文Title:Avalanchephotodiodewithultrahighgain–bandwidthproductof1,033GHz...
【侵犯】诺基亚称社交媒体平台Reddit侵犯专利 后者正寻求IPO;荣耀...
本发明公开了一种雪崩光电二极管,包括:第一导电类型衬底的基板,与所述衬底具有相同导电材料的保护环结构,所述保护环范围内包含与第一电极相连接的第一导电类型的第一掺杂区,所述保护环的外部范围包含与第二电极相连接的有源区,所述有源区包含第一类型掺杂与第二类型掺杂形成的PN结结构,通过本发明的结构将有源区...
中国雪崩光电二极管行业市场现状调查及前景战略研判报告
中国雪崩光电二极管行业是一个高度竞争的市场,雪崩光电二极管产品的需求一直在上升,市场的竞争程度也在加剧。在这种情况下,企业必须努力改进技术,提高产品质量,才能在市场上抢占先机。当前,中国雪崩光电二极管行业的竞争格局不断在发生变化,主要归因于技术水平的不断提高,以及资源配置的不断优化。在这种情况下,企业必须努...