联华电子取得静态随机存取存储器装置专利

金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,联华电子股份有限公司取得一项名为“静态随机存取存储器装置”的专利,授权公告号CN112530491B,申请日期为2019年9月。本文源自:金融界作者:情报员

起底RAMXEED:一场关于铁电随机存储器(FeRAM)的革

通常我们讲存储器,它的分类有很多,其中一个分类是「非易失性存储器」,比如FeRAM、EEPROM、NORFlash、NANDFlash,还有一个分类是「易失性存储器」,比如SRAM(静态随机存取存储器)、DRAM(动态随机存取存储器)。从目前整个存储器市场来看,NORFlash、NANDFlash和DRAM占据了98%的份额,而包括FeRAM在内的利基市场...

哪些新型存储技术未来市场潜力巨大?

与当今主流的存储器技术——DRAM(动态随机存取存储器)、NAND闪存、NOR闪存、SRAM(静态随机存取存储器)以及EEPROM(电可擦可编程只读存储器)——以及它们的前身技术,如掩模ROM(只读存储器)和EPROM(可擦可编程只读存储器)一样,这些新型存储器的名称都源于其独特的存储机制。新型存储器的命名更加直接地反映了其工作原理,...

台积电申请双端口静态随机存取存储器单元电路专利,提供了一种特定...

专利摘要显示,本发明的实施例提供了一种双端口静态随机存取存储器(SRAM)电路,包括Vdd节点和具有相同结构的第一SRAM单元和第二SRAM单元的双端口静态随机存取存储器(SRAM)单元对。第一SRAM单元是十晶体管SRAM单元,包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管、与第一上拉晶体和所述第二上拉晶体形成锁存器的...

HBM产业链专题报告:国内AI发展胜负手,国产化迫在眉睫

存储器是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件，半导体存储器利用半导体介质贮存电荷以实现信息存储，存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放。半导体存储器按照是否需要持续通电以维持数据分为易失性存储器和非易失性存储器。易失存储芯片主要包含静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（...

静态随机存取存储器(SRAM)行业发展现状及市场潜力分析报告

2024年6月17日调研机构GlobalInfoResearch出版了《2024年全球市场静态随机存取存储器(SRAM)总体规模、主要企业、主要地区、产品和应用细分研究报告》(www.e993.com)2024年11月26日。本报告主要分析全球静态随机存取存储器(SRAM)总体规模,主要地区规模,主要企业规模和份额,主要产品分类规模,下游主要应用规模等。规模分析包括收入和市场份额等。深入分析...

SRAM(静态随机存取存储器)概念盘中拉升,万润科技涨停

06月11日,SRAM(静态随机存取存储器)概念盘中拉升,截至09点49分,SRAM(静态随机存取存储器)概念整体指数上涨2.19%,报1053.150点。从个股上来看,该概念的成分股中,万润科技(17.600,-1.96,-10.02%)涨停,睿能科技(14.230,-0.71,-4.75%)涨幅超过5%。从资金上来看,截止发稿,SRAM(静态随机存取存储器)概念主力净流入...

复旦微电:SRAM,即静态随机访问存储器(Static Random Access...

公司回答表示,您好!SRAM,即静态随机访问存储器(StaticRandomAccessMemory),是随机访问存储器的一种。基于SRAM型FPGA,是指FPGA的内部配置寄存器采用了SRAM,FPGA的配置程序被记录/存在FPGA配套的外部FLASH存储器上;当FPGA上电时程序文件调入内部的配置寄存器。是FPGA的一种设计方案。谢谢。

台积电取得静态随机存取存储器装置专利,提高存储性能

第一静态随机存取存储器单元设置于第一区之内,且具有多个第一主动区沿着基板上的第一方向纵向延伸。第二静态随机存取存储器单元设置于第二区之内,且具有多个第二主动区沿着基板上的第一方向纵向延伸。多个前侧金属线设置于第一主动区及第二主动区上方,前侧金属线具有第一位元线及第一互补位元线于第一区之内。而...

SRAM(静态随机存取存储器)概念盘中拉升,西测测试涨3.20%

05月07日,SRAM(静态随机存取存储器)概念盘中拉升,截至09点38分,SRAM(静态随机存取存储器)概念整体指数上涨1.01%,报1026.510点。从个股上来看,该概念的成分股中,西测测试涨3.20%,睿能科技、万润科技、思科瑞涨幅居前。从资金上来看,截止发稿,SRAM(静态随机存取存储器)概念主力净流入为-664.38万,其中万润科技受...