8种开关电源MOS管的工作损耗计算
体内寄生二极管反向恢复损耗,指MOS体内寄生二极管在承载正向电流后因反向压致使的反向恢复造成的损耗。体内寄生二极管反向恢复损耗计算:这一损耗原理及计算方法与普通二极管的反向恢复损耗一样。公式如下:Pd_recover=VDR×Qrr×fs其中:VDR为二极管反向压降,Qrr为二极管反向恢复电量,由器件提供之规格书中查找...
吃透MOS管,看这篇就够了
上述MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小,控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论:1)MOS管是一个由...
超详细|开关电源电路图及原理讲解
R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2组成缓冲器,和开关MOS管并接,使开关管电压应力减少,EMI减少,不发生二次击穿。在开关管Q1关断时,变压器的原边线圈易产生尖峰电压和尖峰电流,这些元件组合一起,能很好地吸收尖峰电压和电流。从R3测得的电流峰值信号参与当前工作周波的占空比控制,因此是当前工作周波的电流限制。当R5...
新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和...
该系列以更低的导通电阻(例如单SSO8(5x6)80V封装的最大导通电阻为1.3mΩ)和更小的外形尺寸提供更高的功率密度和能效。该系列器件还能降低开关损耗,提高安全工作区(SOA)的稳健性,并且具有高雪崩电流耐受能力,可帮助未来的汽车应用实现高效率的系统设计。供货情况OptiMOS??740V、80V和100V产品采...
常用的MOS做电源开关电路的设计_腾讯新闻
下面来介绍几种产品设计中常用的MOS做电源开关的电路。1、NMOS低侧电源开关低侧驱动,最简单最实用,但不一定适用所有的电路,会对部分电路的工作有影响由于NMOS和PMOS在原理和生产工艺上存在差异,导致同价格的NMOS在开通速度、额定电流、导通内阻这些参数上均优于PMOS,所以设计中尽量优先选择NMOS。
MOS管基础及选型指南
MOS管,即金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件(www.e993.com)2024年9月17日。本文引用地址:httpseepw/article/202403/456567.htm和普通双极型晶体管相比,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、...
MOS管对无刷电机的作用
无刷电机的工作原理MCU通过配置寄存器输出六路PWM只是控制信号,其最高电压也只有5V,不能直接驱动电机,而是通过控制功率管的开关来使电机运行,驱动电路一般是由多个MOS管组成的驱动桥和电机驱动桥功率管构成。无刷电机的换向是换相是依靠转子位置的检测进行的,其中有感驱动方式是利用霍尔传感器检测转子位置的,无感驱动方...
开关电源电路设计的10个经验
但对于菜鸟或新手来说,有时候电路原理还不是很明了,想通过动手来加强印象,如果自己做出来的电源直接上电,估计炸机的可能性会超过一半,所以还是循序渐进好一些。首先,单独给控制IC供电,看看IC工作是否正常,主要看频率及MOS管的驱动信号,如果单独供电,IC都工作不正常的话,你如果直接上电后果是什么不用说了吧?IC单独...
三石园科技创新发布软件定义P2P全光矩阵开关
TSMOS-360D是一款灵活配置的光开关产品,采用了独创的拓扑结构可重构技术,使得网络架构可根据实时业务需求进行动态调整。允许在总端口数内按需设定输入、输出端口数量,消除端口固有属性,通过软件配置实现任意端口间的自由转换为输入或输出角色,并可集成VOA和低频调制等功能。TSMOS-360D打破传统设备的局限,可提供前所未有...
怎么通过SPICE仿真来预测VDS开关尖峰?
如表2中的仿真结果所示,不仅等效寄生电感降低,而且MOSFET上的VDS尖峰也得到抑制。此外,由于MLCC的低ESR特性,嵌入式输入电容器不会产生额外的功率损耗。因此,可以添加不同的嵌入式输入电容器来减少DrMOS应用中的寄生电感。带有嵌入式电容器的DrMOS本文解释了寄生电感对VDS开关尖峰的影响,以及防止VDS开关尖峰导致MOSFET...