芯片新品|三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存,用于AI服务器

存储芯片制造商三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片，以在人工智能（AI）热潮中引领快速增长的存储设备市场。根据三星的存储芯片发展规划，其负责半导体业务的设备解决方案部门（DS）目标是最早在2026年生产出至少有400层单元垂直堆叠的V-NAND，以最大限度地提高容量和性能。三星目前批量生产286层大容量V9NA...

UFS 4.0主控芯片汇总,驱动生成式AI设备的存储引擎

通过采用更先进的工艺技术以及NAND闪存架构,这些主控芯片能够为设备提供更高的性能,满足未来AI时代的严苛需求。

“储存芯片”极具翻倍潜力的几朵金花,外资重仓,节后最强黑马!

公司RAID芯片基于C0和C8000内核,是一款SATA接口的磁盘阵列控制芯片,具备多个独立的SATA接口通道,定位服务器存储器阵列应用,支持连接机械硬盘或SSD固态存储盘,兼容PCIE3.0标准,实现数据的高可靠高性能传输。兆易创新:公司主要产品为闪存芯片,半导体存储器领域领导企业,主营产品以NORFLASH等非易失性存储芯片和微控制器MCU...

复旦大学研究成果:闪存芯片突破8nm,速度提升1000倍

不仅如此，这种闪存芯片，采用全新的二维半导体结构，比现有的闪存速度，快1000倍，实现了纳秒级超快存储闪存技术。资料显示，在原子级薄层沟道支持下，这种8nm工艺的闪存芯片，具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。可以预见的是，一旦这种闪存技术大规模量产，将彻底颠覆现有的闪存芯片格局。

业内同等容量最小芯片尺寸,至讯创新 512Mb 工业级 NAND 闪存量产

▲至讯创新工业级SLCNAND闪存渲染图该闪存芯片支持多比特片上ECC纠错,拥有至高10万次的擦写周期,可在-40~+85℃的温度下工作,满足严苛工业级测试,至讯创新也正在对该芯片对应的车规级版本进行验证。IT之家整理至讯创新近年存储产品发布信息如下:...

芯片,到底是如何工作的?-虎嗅网

芯片,到底是如何工作的?本文介绍了芯片的发展历程,从真空管、晶体管到集成电路的演进,以及芯片的工作原理(www.e993.com)2024年11月22日。????芯片的起源可以追溯到真空管和晶体管的发明,而后逐步发展成集成电路。????真空管和晶体管的出现解决了检波、整流和信号放大的需求,推动了电子技术的发展。

半导体芯片,到底是如何工作的?

MOSFET的工作原理较为简单:正常情况下,N区和衬底P之间因为载流子的自然复合会形成一个中性的耗尽区。给栅极提供正向电压后,P区的电子会在电场的作用下聚集到栅极氧化硅下,形成一个以电子为多子的区域,也就是一个沟道。现在,如果在漏极和源极之间施加电压,电流将在源极和漏极之间自由流动,实现导通状态...

闪存芯片将掀起新一轮涨价潮

车规级芯片对其稳定性和可靠性的要求很高,NORFlash同样如此。车载应用对NORFlash的工作温度区间要求至少达到-40℃-105℃,还要满足诸如AEC-Q100的车规认证。车用NORFlash的可靠性必须达到0dppm,远高于消费类应用的100-200dppm。因此,越来越多的厂商在向高端NORFlash产品线转移,很重要的一个原因就是看到了未来汽...

关键闪存芯片紧缺 固态硬盘价格或起飞在即

据科技媒体Tom'sHardware报道,由于关键闪存芯片紧缺,SSD(固态硬盘)的价格将在本季度晚些时候“飞涨”,尤其是大容量消费级产品。“关键闪存芯片”即多个NAND器件组成的NAND封装芯片。据了解,M.2-2280规格的单面固态硬盘需要4个3DNAND器件,目前这种规格的2TB和4TB产品普及率更高,该产品搭载的NAND芯片需要4个或8个...

美国和日本即将达成协议,限制对华芯片技术出口

复旦大学开发出可扩展的方法来集成超快二维闪存据TechXplore网9月14日消息,复旦大学研究人员开发了一种可扩展的集成方法,用于制造超快二维闪存器件。研究人员采用了多种加工技术,包括光刻、电子束蒸发、热原子层沉积、聚苯乙烯辅助转移技术和退火工艺,成功运用二维二硫化钼材料制造超快速闪存芯片,成功集成了1024个设备,良...