...型MOS晶体管结构相结合的方式,提出一种新型的高压MOS管结构...

包括先提供半导体衬底,在形成栅氧化层和栅极层,在进行离子注入,以在形成有栅极层的栅极沟槽的两侧所对应的半导体衬底中形成源极和漏极,由于本发明中的高压MOS晶体管的栅极层从现有的位于半导体衬底之上改为位于半导体衬底内,而其源漏极则位于形成有所述栅极层的栅极沟槽的两侧所对应的半导体衬底内,得到意想不到的效...

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

上述MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小,控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小,这就可以得出如下结论:MOS管是一个由改变...

充电桩充电模块常见结构、原理以及市场调研

通过两个变换器的并联,使得开关管和二极管电流应力降低一半,可使用传统半导体器件;通过交错并联技术,总输入电流波动减小,从而减少电磁干扰,减小滤波器体积;用两个分散的发热器件代替一个集中的发热器件,在总热量没增加的基础上可方便PCB布局和热设计。另外此拓扑在轻载时,可仍然实现输入电流连续,减少了干扰。(3)单相...

吃透MOS管,看这篇就够了

上述MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小,控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论:1)MOS管是一个由...

LLC拓扑结构如何在更低负载下进入打嗝模式

R10的取值大小决定了负载大小变化时,MOS管开关过程中的第一个固定跳变CTRL脚的电压大小,R10取值越大,第一个谷底跳变时的负载就越大。我们推荐使用150Ω或者330Ω电阻,在拥有较好THD表现的同时,也有较好的效率表现。??LLC部分使用安森美的最新LLC结构控制芯片NCL0159,SOIC-16封装。作为电流型控制的LLC控制器,...

帝奥微申请电流采样电路专利,电路结构简单、功耗低

功率管电流采样电路及方法,包含低压差线性稳压器和功率管电流采样电路,反馈电压Vfb与参考电压Vref比较的差值通过误差放大器放大后输出,控制输出功率管的栅极,控制输出电压保持在设定的稳定值,第二mos管对输出功率管的流过的电流进行采样,第二mos管采样后的电流经过第四mos管镜像到第五mos管,第五mos管流过的电流...

MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解

电力MOSFET工作在开关状态,即在截止区和非饱和区来回切换。由上面小功率MOSFET工作原理可知,在uDS>uGS-UGS(th)时,对应的每一个uGS就有一个确定的iD。此时,可以将iD视为电压uGS控制的电流源。所以电力MOSFET又称为电压控制电流器件,输入阻抗极高,输入电流非常小。

专为快充宽压设计,五家快充芯片大厂推出AHB架构主控芯片

AHB是AsymmericalHalf-Bridge非对称半桥的缩写,AHB控制器即是通过使用两颗开关管组成半桥结构,使用电容与变压器初级线圈串联,共同储能,并通过新增的开关管,将电容能量通过变压器传递到次级的器件。相比传统反激将变压器漏感能量作为发热消耗,AHB控制器不仅实现了漏感能量的回收利用,还实现了主开关管零电压开通以及同...

标金牌却是白金实力!全汉Vita GM 1000W ATX3.1电源拆解揭秘!

开关电源的核心当然就是开关电路了,其工作原理是上桥和下桥的MOS管轮流导通和关闭,实现储能和放能,从而将高压直流电变为高压脉动电。▼这一部分可以看到有独立的散热片,上面有PFC开关管,旁边还有一个竖直的PCB板。开关电路▼PFC开关管是由2个MOS管并联组成,型号为东芝TK31E60W,规格为30.8A@25℃,最大导通...

电力场效应管的结构和工作原理

电力场效应管的结构和工作原理功率场效应管(PowerMOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz,特别适于高频化电力电子装置,如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、...