从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
上述MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小,控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小,这就可以得出如下结论:MOS管是一个由改变...
充电桩充电模块常见结构、原理以及市场调研
通过两个变换器的并联,使得开关管和二极管电流应力降低一半,可使用传统半导体器件;通过交错并联技术,总输入电流波动减小,从而减少电磁干扰,减小滤波器体积;用两个分散的发热器件代替一个集中的发热器件,在总热量没增加的基础上可方便PCB布局和热设计。另外此拓扑在轻载时,可仍然实现输入电流连续,减少了干扰。(3)单相...
吃透MOS管,看这篇就够了
图1-2所示A、B分别是P沟道MOS管道结构图和代表符号。图1-1-A图1-1-B图1-2-A图1-2-B2、MOS管的工作原理:图1-3是N沟道MOS管工作原理图;图1-3-A图1-3-B从图1-3-A可以看出,增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时,即使加上漏-源电压VDS,总...
功率半导体中超结MOS管基础知识
简单来说,平面MOSFET在高电压下需要更厚的漂移区来承受高电压,但这也会导致更高的导通电阻,从而增加功率损耗。图:平面MOS结构3.超结MOSFET的出现为了克服平面MOSFET的局限性,超结MOSFET应运而生。超结MOSFET利用了一种创新的结构设计,显著降低了导通电阻,同时维持了高击穿电压。4.超结MOSFET的结构超结MO...
LLC拓扑结构如何在更低负载下进入打嗝模式
简易的外部线路,有利于简化PCB布板工作;完善的保护:OTP,OVP,OCP等;2.方案简易结构框图:3.应用领域:??高PF值,低THD,高效率等应用场合,比如LED照明行业;方案应用实例:1.方案实物图:2.典型应用原理图以及线路介绍:??PFC部分使用onsemi的NCL2801产品,SOIC-8封装,外围线路简单。FB脚为输出...
MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解
图5N沟道增强型电力MOSFE结构示意图及符号电力MOSFET的工作原理与小功率MOSFET相同,这里不再赘述,当时相对应的夹断区、恒流区和可变电阻区变为了截止区、饱和区和非饱和区(静态特性曲线如下图所示)(www.e993.com)2024年11月14日。电力MOSFET工作在开关状态,即在截止区和非饱和区来回切换。由上面小功率MOSFET工作原理可知,在uDS>uGS-UGS(th)时...
芯片,复杂E/E架构进行有限收敛的关键
高低边驱动是根据MOS管的位置来区分的。高边驱动开关MOS位于电源和负载之间,低边驱动开关MOS位于负载和接地之间。器件选择来看,高边驱动需具备一定的耐压和大电流承受能力,因此多采用阻断电压高的PMOS器件。低边驱动需求的电压低,因此多选用NMOS器件。对比来看,由于NMOS器件导通电阻低,电路简单,低边驱动在成本方面存在一...
专为快充宽压设计,五家快充芯片大厂推出AHB架构主控芯片
第一,AHB架构的二次侧为单功率器件拓扑,可以有效降低系统成本;第二,AHB架构的二次侧整流管电压应力远小于传统反激架构,可以采用耐压更低的MOS管作为整流管,极大的降低了系统成本和调试难度,尤其适用在PD快充等需要高输出电压的应用场景。第三,AHB架构中,变压器和谐振电容共同储能,变压器体积可以有效减小。
iGame RTX 4080 SUPER 火神OC显卡评测:个性非凡,高端佳选_腾讯新闻
(第三代RTCore结构示意图,相比前代,增加了2个功能)AdaLovelace架构核心在SM单元上引入了ShaderExecutionReordering(SER着色器执行重排序)技术来更好的对于着色器的工作进行调度排序,在使用上可以根据不同的负载需求来执行渲染,可对负载较为统一的画面进行渲染,降低工作开销。根据英伟达官方的介绍,这一个SER功能...
iGame RTX 4070 Ti SUPER 水神OC评测:高颜值水冷卡,表现非凡
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