冠石科技:2024年7月引入首台电子束掩膜版光刻机

公司回答表示：公司半导体光掩膜版项目涉及的关键设备全部为进口设备，设备交付时间18-48个月不等。2024年7月宁波冠石引入了首台电子束掩膜版光刻机。本文源自：金融界AI电报作者：公告君

冠石科技上半年产销双增长 首台电子束掩膜版光刻机进场

截至报告披露之日,该项目厂房建设已基本完成,并迎来了关键性进展——首台电子束掩膜版光刻机顺利交付,其他核心设备也按约定时间陆续交付并开展安装调试。其成功交付标志着冠石科技在光刻机技术领域的重大突破,为公司在半导体光掩膜版市场的布局奠定了坚实基础。公司表示,后续将继续按照既定的建设工作计划,持续稳定地推进...

中科大教授:美国造不出光刻机,中国有机会吗?我国选择另开赛道

从原理方面来看，工程师将代码设计出来以后，随即输入EDA软件。紧接着，EDA软件会将其转化为电路图。最后这份电路图再被送到光刻机里面，用以刻蚀芯片。换句话说，EDA软件就相当于光刻机的辅助产品。没有EDA软件的助力，光刻机也是巧妇难为无米之炊。然而，早在去年，美国就将下一代GAA晶体管的EDA软件技术给禁了...

32台光刻机,700亿元!外媒:光刻机闹剧结束了

光刻机,顾名思义,是一种利用光学原理将图像或电路图案转移至芯片或其他基材上的设备。其工作原理是通过光束、掩膜和光学系统,将设计好的图案精确转移到涂有光敏材料的基板上。在半导体制造过程中,光刻机扮演着至关重要的角色,它决定了芯片制造的精度和效率。随着科技的进步,光刻机技术已经历了从接触式、接近式到...

光刻技术,有了新选择

电子束光刻按照曝光方式划分可分为两种,投影式曝光与直写式曝光。投影式曝光通过控制电子束照射掩模图形,将掩模图形投影至光刻胶表面,把掩模板上的图案转移到光刻胶上,原理类似于照相机,拍摄对象好比掩模板,光刻胶就像是胶卷,通过光线的照射把拍摄对象投影到胶卷上。

EUV光刻机,大结局?

第二种提高光刻分辨率途径,数值孔径NA越大,收集的衍射束就越多,光刻分辨率就越高(www.e993.com)2024年11月25日。DUV光刻机投影透镜的数值孔径NA也从0.4增大到0.93,在193nm浸没式光刻机中,由于晶圆和透镜之间填充了水,数值孔径NA可以高达1.35。对于EUV光刻机,数值孔径NA则从0.33提高到了0.55。

天价EUV光刻,何去何从?|光刻机_新浪财经_新浪网

在此背景下,“降本”与“替代”成为摆在EUV光刻机面前的两个选择。EUV光刻降本,多路出击FEL,替代EUV-LPP光源EUV光刻机之所以如此昂贵,其中一个关键原因在于EUV光源的生产,采用的是目前地球上最强大的商用激光器,通过轰击金属锡滴来产生13.5nmEUV光源。

光刻技术的过去、现在与未来

2.光刻技术的关键原理与工作流程2.1光刻机的基本组成与功能光刻机是光刻技术中至关重要的设备,其主要组成包括光源、掩模、镜头系统、投影台和控制系统。光源通常是紫外线灯或激光器,用于产生高能光束。掩模(或称掩膜)是带有所需图案的透明介质,通过光源投射到目标表面。镜头系统负责将图案投射到光刻胶涂覆的...

双光束超分辨光刻技术的发展和未来

接触式光刻机是第1代光刻机,其工作原理是将掩模(mask)和光刻胶(photoresist)直接接触,通过紫外线曝光、显影等步骤,将掩模上的图案转移至光刻胶上,形成所需的图案结构。需要注意的是,接触式光刻机的分辨率受到掩模和光刻胶接触力的限制,而且在多次使用中,掩模和光刻胶的磨损会影响其精度和稳定性。因此,现代已经...

新型光刻技术,迎来高光时刻。

电子束光刻按照曝光方式划分可分为两种,投影式曝光与直写式曝光。投影式曝光通过控制电子束照射掩模图形,将掩模图形投影至光刻胶表面,把掩模板上的图案转移到光刻胶上,原理类似于照相机,拍摄对象好比掩模板,光刻胶就像是胶卷,通过光线的照射把拍摄对象投影到胶卷上。