讲透三极管_手机新浪网
发射结加上正偏电压导通后,在外加电压的作用下,发射区的多数载流子——电子就会很容易地被大量发射进入基区。这些载流子一旦进入基区,它们在基区(P区)的性质仍然属于少数载流子的性质。如前所述,少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结,所以,这些载流子——电子就会很容易向上穿过处于反偏状态的集电结...
100个基本知识,助您轻松掌握模拟电路入门!
33、晶体管工作在饱和区时,发射结正偏,集电结正偏;工作在放大区时,集电结反偏,发射结正偏。34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻大,...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基极电流近似于线性关系,三极管起到电流放大作用,相当于一个可调的电阻。饱和区:当集电极电流增大到一定程度时,再增大基极电流,集电极电流也不会增大,集电结也正偏,三极管的电流放大系数变小,相当于一个闭合的...
【E问E答】集电结反偏不是截止状态吗,三极管怎么还能放大?
其实,当PN结反偏的时候,如果有大量的少数载流子,漂移所形成的反向电流,也是会很强的。三极管的放大状态,就是利用了这个原理。忽略了反向电流,就讲不清楚如何放大了。---下面再简述一下三极管的放大过程。对于NPN型的三极管,通常可认为发射极接地,基极的电压,应设为0.7V。此时,发射结就是正偏,电流...
这篇把三极管工作原理分析透彻了!
·集电结为何会发生反偏导通并产生Ic,这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。·放大状态下集电极电流Ic为什么会只受控于电流Ib而与电压无关;即:Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄,但只要Ib为零,则Ic即为零。
「硬见小百科」三极管放大电路原理
「硬见小百科」三极管放大电路原理一、放大电路的组成与各元件的作用Rb和Rc:提供适合偏置--发射结正偏,集电结反偏(www.e993.com)2024年9月11日。C1、C2是隔直(耦合)电容,隔直流通交流。共射放大电路二、放大电路的基本工作原理静态(Vi=0,假设工作在放大状态)分析,又称直流分析,计算三极管的电流和极间电压值,应采用直流通路(电容...
晶体三极管的结构和作用以及工作原理
1严重割裂晶体二极管与三极管在原理上的自然联系。没有真正说明三极管集电结为何会发生反偏导通并产生Ic?这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。2不能说明放大状态下集电极电流Ic为什么只受控于电流Ib而与电压无关;即:Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数β关系。
经典解析静电放电(ESD)原理与设计-静电来源及保护方法-KIA MOS管
以NMOS为例,原理都是Gate关闭状态,Source/Bulk的PN结本来是短接0偏的,当I/O端有大电压时,则Drain/BulkPN结雪崩击穿,瞬间bulk有大电流与衬底电阻形成压差导致Bulk/Source的PN正偏,所以这个MOS的寄生横向NPN管进入放大区(发射结正偏,集电结反偏),所以呈现Snap-Back特性,起到保护作用。PMOS同理推导。
【趣味】接下来,跟随这篇文章一起科学拆家···电
根据外加电压方式的不同,三极管也存在三种状态:1截止区,2饱和区,3放大区。截止区,发射极电压小于开启电压,且集电结反偏;饱和区,集电结跟发射结处于正偏;放大区,发射结正偏,集电结反偏。但是,不管是PNP的三极管还是NPN的三极管,都可以用锗或者硅两种材料制作,所以三极管又可以分为锗三极管和硅三极管。
干货| 这样讲解ESD太容易理解了
以NMOS为例,原理都是Gate关闭状态,Source/Bulk的PN结本来是短接0偏的,当I/O端有大电压时,则Drain/BulkPN结雪崩击穿,瞬间bulk有大电流与衬底电阻形成压差导致Bulk/Source的PN正偏,所以这个MOS的寄生横向NPN管进入放大区(发射结正偏,集电结反偏),所以呈现特性,起到保护作用。PMOS同理推导。