台积电说中国能造8nm,华为却认为制造先进芯片面临很大困难背后

我们知道,芯片制造商在使用光刻机生产芯片的时候,会首先把电路图压印在晶圆上,让电路图像在晶圆上成像,这时候就要靠光,类似底片的原理,透过紫外光把设计图缩小到芯片上,然后借助先进的量测系统和软件来检验这些图案,以提高芯片生产的精度与良率。这是一种二维成像技术。打个形象的比喻,光刻的作用就是类似照相机照...

【科普】芯片制造工艺:光刻(中)--新曝光方式之电子束、X射线...

电子束直写的灵活性和高分辨率使它成为当今微纳米科学研究与技术开发的重要工具。利用现代电子束曝光设备和特殊的抗蚀剂工艺已经能够制作小于5nm的精细结构。电子束曝光也是制作掩膜的主要工具之一,现在已经成了制作极紫外(EUV)曝光掩膜的唯一工具。缺点:1.电子束曝光机的产出率低。在分辨率小于0.25μm时,每小时...

国产计算光刻再传好消息

引言:在现代芯片制造工艺中,光刻是非常重要的一个步骤,其过程采用类似照相机的原理,光刻机发出的光通过具有图形的掩模版在晶圆上进行曝光成像,从而实现将电路图转印到晶圆上。在理想情况下,晶圆上的成像图形会与掩模版上的布局设计完全一样。但是,当掩模版图形的关键尺寸小于曝光波长的时候,由于衍射效应晶圆上的成像...

《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南 》美国UIUC何伦亚克微...

《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》主要包括如下主题:基本概念,例如等离子设备中的阻抗失配和理论,以及能带和Clausius-Clapeyron方程;半导体器件和制造设备的基础知识,包括直流和交流电路、电场、磁场、谐振腔以及器件和设备中使用的部件;晶体管和集成电路,包括双极型晶体管、结型场效应晶体管和金属??半导体场效应...

国产芯片代工厂指先进工艺产能已被国产厂商买光,全力生产中

目前国产芯片制造工艺的发展主要还是光刻机，即使目前传出的7纳米工艺，也只是采用浸润式DUV光刻机生产，通过多重曝光技术实现，这导致生产成本偏高，但是在获取台积电的7纳米及更先进工艺面临困难的情况下，有国产的先进工艺就是巨大的突破，不至于受制于人。可以看出国产芯片行业正在积极协作，努力提升先进工艺的发展，...

台积电“A16”芯片工艺将于2026年问世!与英特尔的“大战”即将展开

对于这一最新公布，分析师指出，台积电的新技术可能会给英特尔带去不小的压力，后者曾在2月份时宣称，将采用一种名为“14A”的新技术取代台积电，制造全球计算能力最快的芯片(www.e993.com)2024年11月9日。与英特尔的大对决台积电业务发展高级副总裁张晓强（KevinZhang）称，由于人工智能芯片公司的需求，该公司新开发的A16芯片制造工艺的速度比...

芯片制造到底难不难,1nm、3nm只是文字科技,3nm其实就是23纳米

在芯片制造的早期,工艺节点与晶体管的栅极长度(GateLength)是直接对应的。例如,在150nm的时代,芯片工艺节点就是150nm,晶体管的栅极长度也是150nm。然而,随着技术的进步,这种简单的对应关系逐渐被打破了。进入130nm工艺节点时,晶圆厂开始采用等效工艺的概念。所谓等效工艺,即工艺节点的命名并不再直接反映栅极长度,而...

4600亿元,中国芯片出口猛增,海外制造业也开始认可中国芯片了

中国还可以通过发展成熟工艺,培育自己的芯片技术人才,业界都清楚芯片技术人才非常重要,台积电就是因为培育自己的先进人才,因此在美国Intel优先获得先进光刻机的情况下,台积电却能在芯片制造工艺方面反超,三星的先进工艺研发成功则通过挖来台积电的技术人才,这也说明了华人在芯片技术研发方面确实有天赋。

华为四重曝光工艺专利公开,国产5nm芯片有希望了?

另外,英特尔在推进其18A1.8nm工艺的过程中,由于新一代高NA光刻机尚未到位,公司不得不采用现有设备结合双重曝光技术来实现工艺目标。对于国内芯片行业来说,由于近年来美国对先进半导体制造设备的出口管制,国内企业不得不放弃对高端半导体制造设备的依赖(特别是ASML的EUV设备),另辟蹊径,通过多重曝光技术来实现7nm、5...

从“差三代”到“全覆盖”!国产芯片制造核心装备实现新突破

制造芯片时，由于纯净硅不具备导电性，需要掺入不同种类的元素改变其结构与电导率。这一过程要靠离子注入机来完成——通过电磁场控制高速运动的离子，按照工艺要求将其精准注入硅基材料，从而控制材料的导电性能，进而形成PN结等集成电路器件的基本单元。2003年，研发团队开启了高端离子注入机的攻关历程。国内经验匮乏，...