绕开光刻机制造8nm芯片?复旦大学宣布突破,外媒称形势大变
最令美国不爽的是,除了华为的麒麟芯强势归来外,国内复旦大学又有重大突破,有媒体报导复旦大学周鹏-刘春森团队开发了一套自准直工艺,利用电场设计原理,实现了闪存芯片8纳米化的高速存储!换句话来说,就是在存储芯片方面,这项技术完全可以绕过光刻机,直接做出8nm的闪存芯片!据报道,该研究成果已刊登在国际参...
美国和日本即将达成协议,限制对华芯片技术出口
研究人员采用了多种加工技术,包括光刻、电子束蒸发、热原子层沉积、聚苯乙烯辅助转移技术和退火工艺,成功运用二维二硫化钼材料制造超快速闪存芯片,成功集成了1024个设备,良品率超过98%。这种新方法将闪存通道缩小到10纳米以下,提供非易失性信息存储和强大的耐用性,有望推动超快闪存的规模化商业应用。美国英特尔公司计划...
全球半导体市场需求强劲!韩国存储芯片出口金额同比暴涨72%,分析...
与NAND闪存不同,因为DRAM比较难堆叠芯片层数,所以制造商大多只能以减少电路间距的方式,提高性能效率。拉近电路距离的好处包含提高信号处理速度、降低工作电压,以及增加每个硅片的DRAM产量。这也是各大制造商展开纳米竞争的缘由。展望后市,分析人士指出,存储芯片市场被视为半导体产业“风向标”,在AI算力需求的刺激下,HBM(...
「芯智雲城」一文掌握铠侠(KIOXIA) SLC闪存产品系列和应用
图8:集成ECC功能的闪存芯片对控制器更友好将ECC集成到NAND闪存上,具备了直接由存储器芯片自身管理ECC,有效地简化了系统设计,但带来的代价是存储芯片硬件成本提升和读取性能下降,不过由于SLCNand闪存本身的数据读写速度很快,ECC技术在SLC颗粒中的应用主要是确保数据存储和读写的准确性,对性能的影响微乎其微。...
联芸科技申请闪存控制芯片的验证方法和系统专利,大大缩短验证时间
该系统通过模拟固件行为的固件行为模拟器,缩短了CPU对固件的调度耗时,而且,通过两个数据通道获取主机驱动预期数据和主机实际数据并针对两者进行校验,以及通过两个数据通道获取闪存芯片预期数据和闪存芯片实际数据并针对两者进行校验,从而完成对闪存控制芯片的各个功能和接口的校验。本发明实施例大大缩短了验证时间,验证...
存储芯片,这一品类最赚钱
存储芯片细分种类存储芯片依据功能、读取数据方式以及数据存储原理,大致可区分为易失性存储芯片(RAM)和非易失性存储芯片(ROM)(www.e993.com)2024年10月17日。RAMRAM在断电后会丢失所存储的数据,通常用于临时存储数据,如运行中的程序和处理器的缓存。其代表性产品有DRAM和SRAM。ROMROM在没有电源的情况下也能长期保存数据,适用于...
低价SSD的时代即将结束! NAND闪存芯片将出现材料短缺
11月9日,根据DigiTimes的报道,主控制造商群联(Phison)发出信号称,预计NAND闪存芯片将出现材料短缺,这将导致SSD价格上涨。这意味着低价NAND闪存的时代即将结束。目前很多主流的PCIe5.0SSD都使用了群联主控。为了确保有充足的NAND芯片供应,群联已经预付大额款项,并要求其供应商满足生产需求。然而,预付款本身可能会提高...
重大突破!这类芯片华为以后自己产
1、闪存芯片TechInsights等拆解公司,去年就已经拆过Mate60手机,当时他们发现,这款手机使用的是韩国海力士制造的DRAM和NAND存储芯片。不过,在此之前海力士已经明确表示,不再与华为有任何业务往来。当时分析师就认为,这些芯片可能是华为“沉在松山湖下面”的库存。
芯片级拆解!35颗苹果Vision Pro 芯片型号供应商首次解密
1、主板正面芯片:苹果M2芯片美光8GBLPDDR5内存苹果R1芯片铠侠256GB闪存芯片苹果电源管理芯片x4德州仪器时钟缓冲器ADI(AnalogDevices)双通道同步降压转换器德州仪器300毫安降压转换器德州仪器可调式升压转换器安森美(onsemi)电流限制开关德州仪器150毫安/3.6伏LDO稳压器...
存储芯片,中国什么时候能成?
NORFlash属于代码型闪存芯片,用来存储代码及部分数据,是终端电子产品种不可或缺的重要元器件,具备随机存储、可靠性高、读取速度快、可执行代码等特性,在中低容量应用时具备性能和成本上的优势。EEPROM则是一种支持电可擦除和即插即用的非易失性存储器,具有体积小、接口简单、数据保存可靠、可在线改写、功耗低等...