芯片新品|三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存,用于AI服务器

根据三星的存储芯片发展规划，其负责半导体业务的设备解决方案部门（DS）目标是最早在2026年生产出至少有400层单元垂直堆叠的V-NAND，以最大限度地提高容量和性能。三星目前批量生产286层大容量V9NAND闪存芯片。在现有的NAND芯片中，存储单元堆叠在外围设备的顶部，其功能相当于芯片的大脑。然而，堆叠300层或更高存储单...

存储芯片新突破,高端封测量产在即

新存科技（武汉）有限责任公司自主研发的国产首款最大容量新型三维存储器芯片“NM101”成功面世。该芯片采用了创新的三维堆叠技术，基于新型材料电阻变化的原理，利用先进工艺制程，在单颗芯片上集成了百亿数量的非易失性存储器件，实现了存储架构上的重大突破。与市场上大容量非易失性产品相比，“NM101”芯片在存储...

三星计划2026年实现400层NAND闪存,2030年将超过1000层

在传统的NAND闪存芯片中,存储单元堆叠在外围电路上方,外围电路充当芯片的大脑。然而当层数超过300层时,堆叠经常会损坏外围设备。为了解决这一问题,三星正在开发第10代V-NAND技术,打算使用一种创新的键合技术,将存储单元和外围电路分别在不同的晶圆上制造,然后再结合在一起。这种方法有望解决存储容量提升及散热效率问题,...

UFS 4.0主控芯片汇总,驱动生成式AI设备的存储引擎

通过采用更先进的工艺技术以及NAND闪存架构,这些主控芯片能够为设备提供更高的性能,满足未来AI时代的严苛需求。

“储存芯片”极具翻倍潜力的几朵金花,外资重仓,节后最强黑马!

兆易创新:公司主要产品为闪存芯片,半导体存储器领域领导企业,主营产品以NORFLASH等非易失性存储芯片和微控制器MCU芯片为主。最后一家重点关注:公司业绩大增236.93%中国大陆第一的芯片封测龙头,业务覆盖了高中低各种集成电路封测,为国内首家具有RF-SIM卡封装技术的厂商,主营业务为集成电路制造和技术服务。

联芸科技申请闪存控制芯片的验证方法和系统专利,大大缩短验证时间

专利摘要显示,公开一种闪存控制芯片的验证系统及方法(www.e993.com)2024年11月22日。该系统通过模拟固件行为的固件行为模拟器,缩短了CPU对固件的调度耗时,而且,通过两个数据通道获取主机驱动预期数据和主机实际数据并针对两者进行校验,以及通过两个数据通道获取闪存芯片预期数据和闪存芯片实际数据并针对两者进行校验,从而完成对闪存控制芯片的各个功能和...

业内同等容量最小芯片尺寸,至讯创新 512Mb 工业级 NAND 闪存量产

IT之家7月3日消息,国内存储芯片企业至讯创新昨日宣布成功量产512Mb高可靠性工业级2DNAND闪存芯片。512Mb的容量使得这款2DNAND...

万字聊聊汽车MCU芯片

在这个过程中,汽车电子系统发挥着越来越重要的作用,汽车MCU芯片,即微控制单元(MicrocontrollerUnit)芯片,是一种高度集成的半导体芯片,广泛用于现代汽车中。它是一种小型芯片,集成了处理器的核心功能、内存和输入/输出(I/O)外围设备,能够执行程序代码,控制外部设备,从而管理车辆的多种功能。

芯片级拆解!35颗苹果Vision Pro 芯片型号供应商首次解密

1、主板正面芯片:苹果M2芯片美光8GBLPDDR5内存苹果R1芯片铠侠256GB闪存芯片苹果电源管理芯片x4德州仪器时钟缓冲器ADI(AnalogDevices)双通道同步降压转换器德州仪器300毫安降压转换器德州仪器可调式升压转换器安森美(onsemi)电流限制开关德州仪器150毫安/3.6伏LDO稳压器...

为什么QLC可能是NAND闪存的绝唱?

当然,只能对EPROM进行一次编程,然后需要通过将整个芯片暴露在紫外线下(以在氧化硅内引起电离,从而放电FET)来擦除值。即使它允许芯片被重写数千次。为了使EPROM可在线重写,EEPROM使用两个额外的晶体管改变了基本的仅FET结构。最初,EEPROM使用相同的HCI原理来擦除单元,但后来它们改用Fowler-Nordheim隧...