薄膜沉积设备解析——PECVD/LPCVD/ALD设备的原理和应用
薄膜沉积设备解析——PECVD/LPCVD/ALD设备的原理和应用薄膜沉积是在半导体的主要衬底材料上镀一层膜。这层膜可以有各种各样的材料,比如绝缘化合物二氧化硅,半导体多晶硅、金属铜等。用来镀膜的这个设备就叫薄膜沉积设备。从半导体芯片制作工艺流程来说,位于前道工艺中。薄膜制备工艺按照其成膜方法可分为两大类:物理...
电晕机原理与作用?电晕机对金属箔与塑胶薄膜表面处理效果
发生器通常配备IGBT(绝缘栅双极晶体管)电源模块,并与高压升压器一起,在20-50khz频率下产生高达20kv的正弦输出。当高压超过气隙的击穿电位时,它会通过电极和支撑基辊之间的间隙中的电晕站,所产生的能量从电极系统释放到待处理材料的表面。电晕处理原理:电晕处理的原理是在处理设备上施加高频、高压电,使其产生高频...
极端制造 | 压电电子学神经形态器件:原理、制造及应用
自上而下的制造工艺是指通过一系列薄膜沉积、光刻和蚀刻技术在基底(或本体材料)上直接制备所需的纳米结构,被广泛应用于二维晶体管等器件的制备中。压电(电子学)神经形态器件的感-存-算等神经形态应用将压电(电子学)效应与半导体器件耦合的新兴技术在即将到来的智能时代显示了神经形态应用的巨大潜力。基于不同器件结...
基于有机混合离子-电子导体材料的有机电化学晶体管
OECTs的器件结构为典型的三电极晶体管,而被称为沟道材料的OMIECs介于源极和漏极之间并与电解质直接接触,用于传输离子和电子(图1a).其中,源/漏电极通常由金(Au)制成,由于金的功函数较低(≈5??eV),因此与空穴和电子注入的能级相比可以良好匹配,并且具有优异的环境稳定性.器件的第三端为栅电极,...
The Innovation | 低功耗软体晶体管触发电子学的变革性发展
我们提出了高电容、高稳定固态聚电解质功能复合策略,基于“刚柔并济”的设计理念,开发了一系列新型介电材料,包括本体、双层和三明治结构的固态聚丙烯酸类介电薄膜。利用这些材料构建的低电压特色软体有机薄膜晶体管(OTFT)及其高灵敏传感器/阵列,工作电压可降至1伏以下,且具有优越的光稳定性和超长空气稳定性(超过450天...
半导体专题:一文看懂薄膜生长
-薄膜晶体管(TFT):用于液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)等平面显示技术(www.e993.com)2024年10月3日。-金属薄膜:用于集成电路和电子器件的金属化层,提供导电性。-介电薄膜:用于隔离不同电路层,防止电子器件之间的干扰。(2)光学应用:-抗反射薄膜:用于减少光学元件表面的反射,提高透过率。
MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解
1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,由于紧靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。场效应管分为结型和绝
激光退火是什么原理?在控制半导体单晶当中起了怎样的作用?
硅单晶热氧化过程中引入的氧化层错(OSF)对晶体管和集成电路的性能有很大的影响.为了控制和消除这些缺陷,人们进行了广泛的研究.氧化层错,特别是表面氧化层错(OSFs),发生在晶体的表面层,而激光退火正是对表面层的退火.所以,用激光退火控制OSFs可能是适宜的.本文就是介绍用激光退火控制OSFs的一些初步结果....
Nature:晶体管的未来
通过在通道材料上引入铁电薄膜,NCFET可以实现比传统MOSFET更小的次阈值摆幅,从而大幅提高性能。另外,悬浮门场效应晶体管(SuspendedGateFET)和Mott相变材料门控晶体管(Mott-GFET)通过引入新的器件结构和相变材料,实现了更小的亚阈值摆幅和更高的电流密度。这些创新性的器件结构和材料将为晶体管的未来发展带来新...
一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
定义精确的电路图案:在光刻和显影步骤后,刻蚀步骤可以将设计好的图案转移到晶圆表面,用于制造导线、晶体管和其他电子元件的结构。刻蚀精度直接影响到电路的线宽和间距,这对器件性能至关重要。去除不需要的材料:在多层结构中,刻蚀可以选择性地去除某些层,以形成多层结构的特定部分,如金属互连、绝缘层或衬底。这种选择性...