复旦大学微电子学院周鹏团队与北邮合作揭示铁电晶体管中极化电导...

然而,由于铁电沟道场效应晶体管(FeCFETs)中存在铁电极子与电子重构耦合,无法继续沿用传统器件物理原理,使得FeCFETs中极化相关的电导调控机制变得难以精确控制。因此要实现高性能层状铁电半导体的先进逻辑和存储器件,就必须厘清铁电沟道极化与电导性物理关系这一根本问题。针对此领域挑战难题,复旦大学微电子学院周鹏/王水源...

MOS管基础及选型指南

MOS管,即金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址:httpseepw/article/202403/456567.htm和普通双极型晶体管相比,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、...

ACS Nano:石墨烯场效应晶体管上的栅控可调分子扩散!!

本文展示了一种控制干净石墨烯场效应晶体管(FET)表面上F4TCNQ分子扩散的方法,该方法通过静电门控来实现。通过调节石墨烯FET的背栅电压(VG),可以在分子吸附物之间切换负电荷和中性电荷状态,从而导致它们的扩散特性发生显著变化。扫描隧道显微镜(STM)测量揭示了中性分子的扩散性随着VG的减小而迅速降低,并涉及旋转扩散过程。

...Chem.:药物分子修饰石墨烯场效应晶体管纳米传感器检测ERα蛋白!

湖北中医药大学张国军、北京大学张志勇和武汉大学周海兵报道了一种液体门控石墨烯场效应晶体管(FET)生物传感器,该生物传感器通过使用新型药物分子作为捕获探针,能够快速、灵敏和无标记地检测ERα蛋白。合成了药物分子,随后将其固定在所制备的石墨烯FET的传感表面上,从而能够区分ERα-阳性和ERα-阴性蛋白。开发的传感器...

...胡平安教授ACS Nano:柔性可穿戴式场效应管传感器用于汗液中...

图1NM-FET的原理图概述NM-FET的制备和特性表征NM-FET中主要包括两个部分:场效应管和纳米阵列。纳米阵列的SEM显示微球大部分区域的排布方式呈现蜂窝状,小部分区域的微球排布则存在缺陷。电极区域SEM中红色区域为MoS2,蓝色区域为Au电极,绿色区域为衬底。使用FDTS旋涂纳米阵列,XPS能谱显示出明显的F峰,证明了FDTS...

基础知识之晶体管

根据工作原理不同分类,分为双极晶体管和单极晶体管(www.e993.com)2024年11月14日。双极晶体管双是指Bi(2个)、极是指Polar(极性)。双极晶体管,即流经构成晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETFieldEffectTransistor的简称,是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型FET...

亚1nm技术节点CMOS集成电路的发展之径:晶体管三维堆叠的结构与...

长期以来,金属-氧化物-硅基半导体的场效应晶体管(SiMOSFET)按照“摩尔定律”(Moore’sLaw)持续尺寸微缩(Scaling)是推动集成电路(IC),特别是互补型金属氧化物Si半导体集成电路(CMOSIC)不断发展的关键动力。早期MOS晶体管微缩遵循经典的Dennard几何尺寸微缩原理,在90nm技术节点后受到晶体管漏电与功耗限制,通过引入高...

中国科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展

2、增强型氧化镓场效应晶体管增强型晶体管具有误开启自保护功能,且仅需要单电源供电,因此在功率应用中通常选用增强型器件。但由于氧化镓P型掺杂技术缺失,场效应晶体管一般为耗尽型器件,增强型结构难以设计和实现。常见的增强型设计方案往往会大幅提升器件的开态电阻,导致过高的导通损耗。

孙其君研究员团队AFM:基于范德华异质结的摩擦电垂直场效应晶体管

图1原理图和材料表征。(a)基于范德华异质结的摩擦电子垂直场效应晶体管(VFET)示意图。(b)垂直堆叠石墨烯/MoS2的光学图像和(c)相应的AFM图像。(d,e)少层MoS2和单层石墨烯的拉曼光谱。(f)水平滑动模式TENG与VFET耦合的工作原理示意图。该VFET可以同时实现950Acm-2高开态电流密度和630的高电流开关比,这...

MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解

1MOSFET基本工作原理本文引用地址:httpseepw/article/202405/459354.htm1.1小功率MOSFET场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,由于紧靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。场效应管分为结型和绝缘栅两种,因为绝缘栅型晶体管(MOSFET,下面简称MOS管)...