半导体刻蚀设备行业报告:制程微缩叠加3D趋势,市场空间持续拓宽

湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差，通常用于工艺尺寸较大的应用，或用于干法刻蚀后清洗残留物等。干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术，占比超90%，其中以等离子体干法刻蚀为主导。等离子体刻蚀设备是除光刻机以外最关键的微观加工设备，是制程步骤最多、工艺过程开发难度最高的设备。其由多个...

Semicon半导体工艺:干法刻蚀与湿法刻蚀的区别和特点

湿法刻蚀主要利用溶液中的有效化学成份与目标材料之间的化学反应,生成可溶性产物而将目标材料去除。由于缺乏有效的方向控制机理,湿法刻蚀大多数是各向同性的刻蚀,不能像干法刻蚀一样对刻蚀剖面进行精确控制,因此不能用于先进工艺中细微图形的转移。湿法刻蚀多用于先进工艺中干法刻蚀后残留物的去除,或者用于先进封装应用中微...

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

湿法刻蚀(WetEtching):使用液态化学试剂与材料发生反应,形成可溶解的产物,然后通过溶液移除,这种方法适用于大面积材料的均匀去除。中性(Neutral):指的是不带电的粒子或分子,它们在刻蚀过程中不参与电荷交换或离子化过程,但可能在化学反应中起作用。自由基(Radical):指具有未配对电子的原子或分子,通常非常活泼,容易...

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

湿法刻蚀(WetEtching):使用液态化学试剂与材料发生反应,形成可溶解的产物,然后通过溶液移除,这种方法适用于大面积材料的均匀去除。中性(Neutral):指的是不带电的粒子或分子,它们在刻蚀过程中不参与电荷交换或离子化过程,但可能在化学反应中起作用。自由基(Radical):指具有未配对电子的原子或分子,通常非常活泼,容易...

刻蚀工艺面试小结

刻蚀工艺的基本原理:刻蚀是通过物理、化学或物理化学的方法去除材料的一部分,通常是在曝光、显影之后,将掩膜图形转移到基底材料上的过程。刻蚀可以分为干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀通过等离子体或离子束去除材料,而湿法刻蚀使用化学溶液进行材料的选择性去除。

一文读懂2023年中国刻蚀设备行业现状:国产刻进口替代空间广阔

一、刻蚀设备产业发展概述刻蚀是指通过溶液、离子等方式剥离移除如硅、金属材料、介质材料等晶圆表面材料，从而达到集成电路芯片结构设计要求的一种工艺流程(www.e993.com)2024年11月17日。刻蚀工艺分为干法刻蚀和湿法刻蚀，目前应用主要以干法刻蚀为主，市场占比90%以上。湿法刻蚀在小尺寸及复杂结构应用中具有局限性，目前主要用于干法刻蚀后残留物的...

半导体刻蚀机行业专题报告:国产替代空间充裕

2)湿法刻蚀则通过化学试剂与晶圆的接触进行腐蚀,在集成电路的加工中对小于3μm的尺寸难以精确控制刻蚀的形貌,会对设定的线宽造成影响,但湿法刻蚀在成本、速度等方面更具优势,常用于特殊材料层的去除和残留物的清洗。湿法刻蚀还可以用于制造光学器件和MEMS(微机电系统)等领域。

安集科技2024年半年度董事会经营评述

公司的核心技术涵盖了整个产品配方和工艺流程,包括金属表面氧化(催化)技术、金属表面腐蚀抑制技术、抛光速率调节技术、化学机械抛光晶圆表面形貌控制技术、光阻清洗中金属防腐蚀技术、化学机械抛光后表面清洗技术、光刻胶残留物去除技术、选择性刻蚀技术、电子级添加剂纯化技术、磨料制备技术、电镀液添加剂技术等。

电子行业深度报告:先进封装助力产业升级,材料端多品类受益

该工艺通过有序去除或改变特定材料层,对电路图案进行精密的加工与雕刻,是实现芯片构造的必要步骤。蚀刻技术分为湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻两种形式,其中干法蚀刻是以气体为主要媒体的刻蚀方法,晶圆不需要液体化学品或冲洗,其所用气体称为蚀刻气体,这类气体常以氟化物为主。

晶圆级封装(WLP),五项基本工艺

首先在前道工序(Front-endofLine)中,在晶圆上制作晶体管,如互补金属氧化物半导体等。随后使用硬掩模(HardMask)6在硅通孔形成区域绘制电路图案。之后利用干刻蚀(DryEtching)工艺去除未覆盖硬掩膜的区域,形成深槽。再利用化学气相沉积工艺(ChemicalVaporDeposition)制备绝缘膜,如氧化物等。这层绝缘膜将用于...