8种开关电源MOS管的工作损耗计算

指在MOSFET关断过程中逐渐上升的漏源电压VDS(on_off)(t)与逐渐下降的漏源电流IDS(on_off)(t)的交叉重叠部分造成的损耗。关断过程损耗计算:如上图所示,此部分损耗计算原理及方法跟Poff_on类似。首先须计算或预计得到关断完成后之漏源电压VDS(off_beginning)、关断时刻前的负载电流IDS(o...

吃透MOS管,看这篇就够了

上述MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小,控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论:1)MOS管是一个由...

为什么MOS管需要提升关断速度?如何解决这个问题?

答案就是:我们可以通过增加PNP三极管来实现。当mos管开通时,还是让芯片直接驱动,但关断时可以通过三极管放电。这时候,三极管的be电流能控制ec电流,进而释放mos管的栅极电容的电荷。只要三极管的ce电流满足特定条件,ec的电流就能通过be电流进行扩大,这样电源IC所需的关断能力就会小很多。这样一来,不仅能解决mos管开...

【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器

当低端为高电平时,即MOS管的源极电压为3.3V,由于未达到MOS管的Vgs阈值点,MOS管不导通。此时MOS管的栅极为3.3V,源极也为3.3V。因此,Vgs为0V,MOS管关闭。逻辑1或低侧输入的高状态通过上拉电阻R2在MOS管的漏极侧反映为5V输出。在这种情况下,如果MOS管的低侧将其状态从...

MOS管及其外围电路设计

图2mos开通时的驱动电流1.2驱动电阻的上限值驱动电阻上限值的计算原则为:防止mos管关断时产生很大的dV/dt使得mos管再次误开通。当mos管关断时,其DS之间的电压从0上升到Vds(off),因此有很大的dV/dt,根据公式:i=CdV/dt,该dV/dt会在Cgd上产生较大的电流igd,如图3所示。

MOS管开关电路实例、功耗计算

P沟道增强型mos管开关的这种倒置连接允许我们将其与N沟道增强型mos管串联连接,以产生互补或CMOS开关器件,如上图所示为跨双电源(www.e993.com)2024年11月4日。七、mos开关电路实例2了解了mos管的工作原理及其工作区域,就很容易知道mos管是如何作为开关工作的。通过考虑一个简单的示例电路,将了解mos管作为开关的操作。

2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)

MOS管是指绝缘栅型场效应管,下面以增强型NMOS来介绍其工作原理。在P型半导体衬底上制作两个高掺杂浓度的N型区,形成MOS管的源极S和漏极D。第三个电极称为栅极G,通常用金属铝或者多晶硅制作。栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层(厚度极薄,在0.1μm以内)隔开。若在漏极和源极之间加上电压,而栅源电压VGS=0,则由于...

基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)

(4)关断后具有高阻态输出,对被控主回路影响很小;(5)SOT-23-6封装,小尺寸6脚贴片安装。2.选择MOS管(电路拓扑已选P沟道)选择MOS管时,主要考虑栅源电压(Ugs,通常约为20V)、漏源电压(Vds,此设计为36V)、漏极持续电流Id。在本设计中,假设电源最大输出电流为100mA(举例而已,其它电流下的设计方法类似),...

二极管、三极管、晶闸管、MOS管、IGBT的特征、原理及区别讲解

MOS特征:在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达10^15Ω)。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。MOS原理:以N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通,二者...

在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路

正反转控制原理有刷电机的正反转非常简单,只需要交换电机供电线正负极,便可以实现电机正反转控制。在自动控制系统中,我们不可能手动去不停交换电机正负极供电顺序,需要使用程序配合硬件电路去实现。如下图所示,使用4个功率管(可以为MOS管或者IGBT)搭建成桥式电路,在桥臂中心引出两根导线,连接到电机的供电引脚上。