芯片新品|三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存,用于AI服务器
三星目前批量生产286层大容量V9NAND闪存芯片。在现有的NAND芯片中，存储单元堆叠在外围设备的顶部，其功能相当于芯片的大脑。然而，堆叠300层或更高存储单元往往会损坏外围设备。在尖端的V10NAND中，三星计划采用创新的键合技术，在不同的晶圆上分别创建单元和外围设备，然后进行键合。三星表示，这种方法将实现“超高...
第四代三维闪存芯片!长江存储PC41Q 1TB SSD图赏
长江存储PC41Q是基于其第四代三维闪存芯片打造的QLC商用消费级固态硬盘,拥有高性能、低功耗、更高能耗比等特性。PC41Q高达2400MT/s的I/O速率,最大顺序读取速度达到5500MB/s。与此同时,PC41Q内置完善的功耗管理机制,使得其在PS4模式下功耗低至2W,处于行业领先水平。PC41Q还采用主机缓存方案(HMB)及混合缓存...
UFS 4.0主控芯片汇总,驱动生成式AI设备的存储引擎
铠侠最新一代UFS4.0闪存芯片提供256GB、512GB和1TB容量规格。这款芯片采用了铠侠的BiCSFlash3D闪存和主控芯片,集成了MIPIM-PHY5.0和UniPro2.0,支持每通道23.2Gbps或者每个设备46.4Gbps的理论接口速度,并向后兼容UFS3.1。与上一代UFS4.0产品相比,新闪存芯片的顺序写入速度提升15%,随机写入速度提升了50...
三星计划2026年推出400层V10 NAND闪存,用于AI服务器
全球最大的存储芯片制造商三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片,以在人工智能(AI)热潮中引领快速增长的存储设备市场。根据三星的存储芯片发展规划,其负责半导体业务的设备解决方案部门(DS)目标是最早在2026年生产出至少有400层单元垂直堆叠的V-NAND,以最大限度地提高容量和性能。三星目前批量生产286层大...
“储存芯片”极具翻倍潜力的几朵金花,外资重仓,节后最强黑马!
兆易创新:公司主要产品为闪存芯片,半导体存储器领域领导企业,主营产品以NORFLASH等非易失性存储芯片和微控制器MCU芯片为主。最后一家重点关注:公司业绩大增236.93%中国大陆第一的芯片封测龙头,业务覆盖了高中低各种集成电路封测,为国内首家具有RF-SIM卡封装技术的厂商,主营业务为集成电路制造和技术服务。
业内同等容量最小芯片尺寸,至讯创新 512Mb 工业级 NAND 闪存量产
该闪存芯片支持多比特片上ECC纠错,拥有至高10万次的擦写周期,可在-40~+85℃的温度下工作,满足严苛工业级测试,至讯创新也正在对该芯片对应的车规级版本进行验证(www.e993.com)2024年11月21日。IT之家整理至讯创新近年存储产品发布信息如下:2022年12月13日:国内首款全自研19nm中小容量2DNAND闪存开发成功;...
复旦大学研究成果:闪存芯片突破8nm,速度提升1000倍
要知道目前的硅基闪存物理尺寸极限在15nm，超过15nm之后，就非常不稳定，所以像NAND闪存芯片，不管是三星，还是SK海力士、美们等，都不追求再小的工艺，而是进行多层堆叠，大家的工艺都是15nm以上。但复旦大学的研究表示，是可以不使用EUV这种光刻机，也能够进入到15nm之下，达到8nm这样的工艺的。超快闪存集成工艺...
铠侠出样最新一代 UFS 4.0 闪存芯片:连读写入速率提升 15%
IT之家4月23日消息,铠侠今日宣布出样最新一代UFS4.0闪存芯片,提供256GB、512GB、1TB容量可选,专为包括高端智能手机在内的下一代移动应用打造。256GB:THGJFMT1E45BATV,封装尺寸9.0x13.0x0.8mm512GB:THGJFMT2E46BATV,封装尺寸9.0x13.0x0.8mm...
铠侠亮相UFS 4.0闪存芯片:1TB容量 6月份供应
铠侠亮相UFS4.0闪存芯片:1TB容量6月份供应铠侠最新一代UFS4.0闪存芯片近日亮相,提供256GB、512GB和1TB容量规格。这款新型闪存芯片能够显著提升5G网络的使用效率,并且下载速度更快,同时延迟时间大幅降低,为用户带来更好的体验。此外,新闪存芯片采用了铠侠的BiCSFlash3D闪存技术和主控芯片,并集成了MIPIM-PHY5.0...
存储芯片业绩反转悄然而至?存储模组龙头细分产品“卖爆”Q4净利...
不论是当前业内一致看好的HBM,还是突然受爆炒的SRAM,实际都暗示着存储芯片赛道的不断升温。就在本周一,国内封测龙头长电科技盘后公告,拟收购晟碟半导体80%的股权,收购对价约6.24亿美元。据悉,标的公司主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品类型主要包括iNAND闪存模块,SD、MicroSD存储器等,产品广泛应用于移动通信...