多团队联合攻关设计量子效应掺杂范式,研发p型场效应晶体管,突破...
其中,垂直堆叠式互补场效应晶体管结构的PMOS(n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管,positivechannelMetalOxideSemiconductor)和NMOS(N型金属-氧化物-半导体,N-Metal-Oxide-Semiconductor)器件在垂直空间上堆叠,由位于NMOS与PMOS之间的公共栅极调控。从最初的平面场效应晶体管,到鳍式场效...
场效应管中英文对照表
技术特性参数列出极限参和特征参数,其中电压值:结型场效应晶体管为栅极间极电压Vgds或Vgdo,MOS场效应晶体管(含MES、HEMT)一般为漏极-源极间极限电压Vdss,IGBT晶体管为集电极发射极间极限电压(基极和发射极短路)V(br)ces;电流值:耗尽型(含结型)为最大漏极电流Idss,增强型为漏极极限电流Id,IGBT晶体管为集电极...
导体场效应晶体管基础知识解析
是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSMCds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容COSS---栅短路共源输出电容CRSS---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数...
常用半导体中英对照表(建议收藏)
ComplementaryMetal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor(CMOS)互补金属氧化物半导体场效应晶体管Complementaryerrorfunction余误差函数Computer-aideddesign(CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM)计算机辅助设计/测试/制造CompoundSemiconductor化合物半导体Conductance电导Conductionband(edge)导带(...
收藏,半导体一些术语的中英文对照
JunctionFET(JFET)结型场效应管Junctionisolation结隔离Junctionspacing结间距Junctionside-wall结侧壁LLatchup闭锁Lateral横向的Lattice晶格Layout版图Latticebinding/cell/constant/defect/distortion晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟...
智能电压表中量程自动转换电路研究
根据测量电压的量程,场效应的最大击穿电压必须大于300V,一般可选耐压为350V的开关管(www.e993.com)2024年7月30日。前面的译码器中若控制端G2A'和G1分别不为0和1时,即量程不在0.2~300V之内时,译码器所有输出为0,所有档位开启电路也都关断,起到保护仪表的作用。
深圳市必易微电子股份有限公司
(一)募集资金使用情况对照表截至2022年12月31日,公司实际投入募集资金投资项目(以下简称“募投项目”)的募集资金款项共计人民币163,866,220.06元,募集资金具体使用情况详见附表1:募集资金使用情况对照表。(二)募集资金先期投入及置换情况2022年8月26日,公司第一届董事会第十二次会议、第一届监事会第九次会议审...
后摩尔时代的碳基电子技术:进展、应用与挑战
(Noyce)分别独立设计并制作了最早的集成电路,芯片技术的雏形得以问世;1960年左右,贝尔实验室和仙童半导体公司先后发明了硅基场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor,MOSFET)和互补型金属氧化物半导体技术(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,CMOS),MOSFET和CMOS随后成为了集成电路的基础单元并被...
马云爸爸“翻译情未了”? 回顾阿里翻译平台的进击之路!
据雷锋网了解:在阿里巴巴内部,PAI已经被广泛使用。淘宝搜索使用PAI的参数服务器,可以把百亿个特征的模型,分散到数十个乃至于上百个参数服务器上,打破规模瓶颈。最终实现搜索结果基于商品和用户的特征进行排序。现在,阿里翻译团队还在破解线上服务处理延时的难题,为神经网络机器翻译模型的大规模应用扫除最后障碍。
自动化工程师成才之路
5.1.1晶体管电动机驱动电路1195.1.2场效应晶体管(MOS-FET)电动机驱动电路1195.1.3单向晶闸管电动机驱动电路1205.1.4双向晶闸管电动机驱动电路1205.1.5二极管正反转电动机驱动电路1205.1.6双电源双向直流电动机驱动电路1205.1.7桥式正反转电动机驱动电路120...