MOS管参数解析及国内外大厂技术对比

优值系数(Ron*Qg),导通电阻Ron决定了导通状态下的静态损耗,栅极电荷Qg决定了开关损耗,通常用Ron与Qg的乘积来表征MOSFET器件的性能水品,该值越低代表技术水品越高。根据各官方网站发布的产品关键参数以及性能,松下FCAB21890L、松下FCAB22620L、英飞凌BSZ0506NSATMA1、英飞凌IQE013N04LM6、英飞凌IAUT260N10S5N...

MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)

1)高压MOSFET产品性能的关键指标之一是导通电阻Ron与栅极电荷Qg的乘积优值FOM。相同导通电阻下,栅极电荷越小则优值越低,器件的动态损耗越小,整体性能越强。在电压为限定条件时,功率MOSFET的导通电阻与栅极电荷的乘积越小,该器件性能更优,技术更加先进。2)高压MOSFET产品性能的另外两个关键指标是导通电阻Ron以及耐...

吃透MOS管,看这篇就够了

上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...

mos管怎么测试好坏

**二极管测试**:首先,将万用表调至二极管测试模式。对于NMOS管,将红色探头连接源极,黑色探头连接漏极,此时万用表应显示0.4V至0.9V之间的读数,表示内部体二极管正向偏置正常。若读数为零或无读数,则MOS管可能损坏。**电阻测试**:将万用表调至电阻模式,测试MOS管的漏源电阻。正常情况下,漏源之间应具有高电阻...

一文了解那些显示器都在用的MOS管

内置MOS型号富鼎AP4024EM戴尔这款显示器内置一颗富鼎AP4024EMNMOS管,耐压30V,导阻4.5mΩ,采用SO-8封装。充电头网总结作为一款合格的显示器产品,厂商首先要保证长时间使用的稳定性,其次才是分辨率、色域、色准等等纸面参数。另外,在实际应用中,显示器本身相较于面板、背光而言,驱动板更容易损坏,所以厂商在...

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求(www.e993.com)2024年11月11日。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可,因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

电容的符号是C。在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,由于法拉这个单位太大,所以常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)等,换算关系是:1微法(μF)=1000纳法(nF)=1000000皮法(pF)。1伏安时=1瓦时=3600焦耳...

这些MOS管广受好评,威兆历年拆解案例汇总_腾讯新闻

低压同步整流管威兆VSP009N10MS威兆VSP009N10MS是一款耐压为110V的增强型NMOS,采用PDFN5×6封装,使用5V逻辑电平控制,导阻为6.5m??。这款器件采用威兆VitoMOS??Ⅱ技术制造,100%通过雪崩测试,采用无铅无卤素工艺制造,符合RoHS规范,可以应用于同步整流的MOS管。

当开关电源输入过压,如何防护?

因此当输入电压在305VAC稳态工作时,即使电网电压存在一定的波动,选用650V的MOS管,也是有一定的电压应力裕量,可以提高电源在输入过压下的可靠性。当然MOS管的规格参数可以选用更高的电压值,但是成本也会上升。2.7二极管D1额定电压选择因此输入电压、变压器的原次边匝比n不同,MOS管和二极管的电压应力值如下表所示:...

一文搞懂IGBT

4、比BJT和MOS管价格更高。5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题。04IGBT的主要参数1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压,一般UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。2、栅极-发射极额定电压UGE是IGBT栅极与发射极之间允许施加的最大电压,通...