功率半导体大厂,都在走这条路|元件|sic|氮化镓|igbt|固态电池|...
受量价齐升带动,汽车领域功率半导体市场份额逐年提高,目前占比已经达到35%,金额约为160亿美元。势不可挡的电动化趋势,量价齐升的需求空间,让车规功率半导体如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和碳化硅(SiC)功率器件等产品的重要性愈发凸显。不管是国内还是国外,不论是半导体厂商还...
“聪明的车”产业链逐步自主可控
如寒武纪等的主控芯片实现了小批量装车,比亚迪、中车时代实现了功率类芯片IGBT(绝缘栅双极型晶体管)量产应用,华为、大唐等企业的通信芯片形成了一定优势地位。随着汽车控制集中化成为发展趋势,更高算力的SoC(系统级芯片)成为未来汽车芯片竞争的“制高点”,一些企业的SoC芯片已经开始量产搭载。此外,决策系统硬件层的智能...
从结型晶体管到场效晶体管,市场会给到新兴技术答案
CMOS场效晶体管反相器,PMOS场效晶体管在上,NMOS场效晶体管在下(a);CMOS场效晶体管横截面图(b)。万拉斯这个看似简单的举动在当时并没有产生什么影响。CMOS场效晶体管比MOS场效晶体管多了一个晶体管,人们担心CMOS场效晶体管成本高,还怀疑它速度慢,因此它在刚刚推出时被所有的大公司冷落,他们仍在推行PMOS...
整理分类:晶体管的类型分析
这种只有一种极性载流子参与导电的晶体管也称为单极晶体管。与双极型晶体管相比,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、极限频率高、功耗低、制造工艺简单、温度特性好等特点。广泛应用于各种放大电路、数字电路、微波电路中。静电感应晶体管静电感应晶体管SIT是结型场效应晶体管。它将用于信息处理的低功率SIT器件的水...
国产低成本IGBT、MOS模块在充电桩、电机控制中的实战案例
目前燃油发动机和汽车发动机的点火器主要采用“插接式”线圈,消除高压接线,并集成绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件及其驱动电路,使汽车点火系统更加紧凑和简单。BLG3040,BLQG3043,BLQG3040A是上海贝岭推出的400V300mJ燃油、汽车点火IGBT产品,具有自钳位功能,低导通压降,高钳位能量以及ESD保护功能,可应用于燃油发动机点火...
干货|TTL电路详细讲解,工作原理+电路图
下图显示了标准TTL与非门的内部结构和特性(www.e993.com)2024年9月17日。它的与非门是四路二输入型。有四个5400/740电路。简单来说,这种类型的TTL电路的工作原理如下。标准TTL与非门图中所示的Q1是一个双发射极NPN晶体管,这种类型的与非门类似于两个晶体管,它们的基极和发射极端子连接在一起。命名为D2和D3的二极管用于限制本质...
一文搞懂IGBT
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MO...
达新半导体|张海涛:Si/SiC/GaN功率器件技术路线对比浅析
首先来看一下名称,目前碳化硅器件主要替代硅的IGBT市场,在这里我们对比的是硅的IGBT器件,硅的IGBT它的中文名称叫绝缘栅双极晶体管,从名称也能看出来,它是一个双极型器件。另外碳化硅跟氮化镓,分别叫金属氧化物半导体场效应晶体管,氮化镓是一个HEMT器件,是高电子迁移率晶体管,从名称可以看到,硅是一个双极型的,另外两...
半导体专题篇十五:功率半导体
IGBT是一种介于MOSFET和普通双极型晶体管之间的功率半导体器件。它结合了双极型晶体管的高电压能力和MOSFET的低导通压降特性,具有导通压降低、开关速度快、饱和压降小等优点。IGBT在工业驱动、交流电机控制、电力变换等领域有着广泛的应用。(3)整流二极管
新洁能2023年年度董事会经营评述
3)搭载快速恢复体二极管的第四代800V深沟槽SJMOS平台140mΩ产品交直流参数已经达设计预期,器件Rsp相较于三代产品降低35%,产品正在进行良率提升和终端客户应用测试;4)第五代SJMOS平台工程流片中,650V产品Rsp可以降低至0.95欧姆每平方毫米(Ω.mm2),目前已经通过1000小时以上可靠性考核,正在进行客户验证和良率提升。