深港微电子学院陈凯教授课题组在低温CMOS器件阈值电压建模领域...

图2常温与4K的超低温阈值电压尺寸微缩效应:(a)对沟道长度低至120纳米、沟道宽度为1微米的NMOS器件阈值电压-沟道长度微缩测试结果与模型;(b)对沟道长度为1微米、沟道宽度低至120纳米的PMOS器件阈值电压-沟道宽度微缩测试结果与模型。图3低至4K的超低温阈值电压偏置效应:(a)对沟道长度为250纳米和180纳...

从4004到core i7——处理器的进化史-CPU构成零件-2

由于NMOS管的Source接在地上,所以当Ui=VDD时NMOS保证导通,它可以将Uo的电平一直拉到地上;由于PMOS管的Source接在VDD上,所以当Ui=0是PMOS保证导通,他可以将Uo的电平一直拉到VDD。更重要的是,只要是NMOS管和PMOS管组合起来就可以保证上面所说的输出电平水平,而PMOS和NMOS的具体参数(比如说,沟道长宽比)不会产生...

功率半导体IGBT行业科普

如下图所示的IGBT模块型号为:FF1400R17IP4,模块的长宽高为:25cmx8.9cmx3.8cm,模块内部包含两个IGBT模组,也就是我们常说的半桥模块。IGBT模块内部主要包含3个部件,散热基板、DBC(DirectBondingCopper-直接覆铜陶瓷板)基板和硅芯片(包含IGBT芯片和Diode芯片),其余的主要是焊料层和互连导线,用途是将IGBT芯片、Diode...

中国现役顶尖芯片:技术挑战是什么?

更高的纵横比结构将带来新的、更厚的硬掩模和更宽的间距字线,进一步挑战传统的检测能力。更高的纵横比沟道孔和字线隔离进一步削弱了划线靶和器件结构之间的相关性。这些应用的计量需要转移到管芯内、器件上,并与更高的长宽比结构相一致。另外,用多晶硅材料对微小的垂直沟道进行内衬,然后用氧化物填充沟道,也是一个...

针对美国“断供EDA”一事中的GAAFET究竟是什么?|栅极|漏极|fet|断...

它的栅极可从各个侧面接触沟道并实现进一步微缩,就静电学而言它近乎完美;其阈值电压可以低至0.3V,3nmGAAFET较之3nmFinFET能以更低的待机功耗实现更好的开关效果。当然,GAAFET根据源极与漏极之间通道的长宽比不同,也可分为纳米线结构以及纳米片结构两种:...

施工常用计算公式 (收藏保存)2022年备用

式中:H——构造柱高度A、B——构造柱截面长宽b——构造柱与砖墙咬差1/2宽度n——马牙差边数(2)框架柱①现浇混凝土柱按设计图示尺寸以体积计算(www.e993.com)2024年11月20日。不扣除构件内钢筋、预埋铁件所占体积。框架柱体积=框架柱截面积*框架柱柱高其中柱高:a、有梁板的柱高,应自柱基上表面(或楼板上表面)至上一层楼板...

解锁下一代制程工艺的钥匙!GAA FET晶体管技术到底是个啥?

全环绕栅极晶体管是一种比FinFET更复杂的晶体管结构,它的栅极可从各个侧面接触沟道并实现进一步微缩,就静电学而言它被认为是一种“终极CMOS器件”,其阈值电压可以低至0.3V,3nmGAAFET较之3nmFinFET能以更低的待机功耗实现更好的开关效果。GAAFET全环绕栅极晶体管根据源极与漏极之间通道的长宽比不同,分为纳...

重庆船只建造忙

该船务公司在建有8艘130米长、16.2米宽的三峡库区大长宽比标准化示范船舶,目前工人已全部返岗上班全力投入生产。这种船舶过三峡船闸时,一个闸室可以放4艘,可有效提高三峡船闸通过能力,俗称“三峡船”。(刘洋摄/光明图片)[责编:金英花]2021年3月3日,重庆云阳,正在建造中的"三峡船"。该船务公司在建有8艘130米...

解析半导体工艺节点的演进 寻找摩尔定律的曙光

一般情况下唯一可以设计的参数就是沟道宽长比,沟道宽长比就是晶体管栅极的长宽比(长沟器件可以直接近似,短沟器件要加修正项)。也就是说在电压一样的情况下,栅极越宽,沟道就越长,源漏电流就越小。所以在设计中,沟道越短,意味着晶体管的尺寸越小,单位面积可以存放的晶体管数量就越多,芯片集成度就越高;换一...

半导体工艺节点是如何演进的 | 智慧产品圈

一般情况下唯一可以设计的参数就是沟道宽长比,沟道宽长比就是晶体管栅极的长宽比(长沟器件可以直接近似,短沟器件要加修正项)。也就是说在电压一样的情况下,栅极越宽,沟道就越长,源漏电流就越小。所以在设计中,沟道越短,意味着晶体管的尺寸越小,单位面积可以存放的晶体管数量就越多,芯片集成度就越高;换一...