高水平、高规格、高质量!60余场固态电池报告,第九届全国固态电池...
22、全固态电池界面电阻的直接计算——施思齐教授上海大学23、Li3Zr2Si2PO12固态电解质及其固态电池研究进展——汤卫平教授上海交通大学24、聚合物基固态电解质及其固态电池设计——汤育欣教授福州大学25、工况XPS技术在全固态电池中的应用研究——陶剑铭讲师福建师范大学26、快充固态电池的挑战与...
Chip中国芯片科学十大进展公布
中国科学院微电子所刘明院士、窦春萌研究员团队提出了混合带权重二晶体管——忆阻单元存内计算宏电路设计,并采用研究团队具有自主知识产权的国产28nm嵌入式RRAM工艺平台行了流片,有效抑制了RRAM单元与阵列的非理想因素,实现了高能效、高并行与高准确度的多比特模拟存内计算,为实现存算一体化边缘AI加速芯片提供了新思路。
一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
应用实例:DRIE技术用于制造微流体通道和微泵,这些结构在生物医学传感器和实验室芯片中广泛应用。3.多材料选择性刻蚀:工艺步骤:在MEMS器件中,经常使用多种材料,刻蚀工艺需要具有选择性,以保护关键结构。应用实例:在压力传感器中,通过选择性刻蚀保护膜和基材,以确保器件的灵敏度和可靠性。
电子元件老化——电阻和运算放大器的老化效应
Vishay公司建议使用以下方程式(方程式1)来计算薄膜电阻器的长期变化:方程式1。解释:电阻器在参考时间的参考漂移t0和温度θ0同时:是电阻器在温度下达到所需工作时间t后的漂移值方程式1表明,将电阻器的工作温度提高30°K会使其长期漂移增加2倍。此外,漂移随着操作时间的立方根而增加。例如,如果电阻器在125...
谁能替代铜互连?
Cu的计算薄膜电阻率随薄膜厚度的变化如图7所示。注意,Eq.12表明,薄膜(或纳米线)的电阻率不仅取决于输运方向,还取决于表面法向(生长方向)。这甚至适用于具有各向同性体积导电性的金属,例如包括Cu在内的所有立方金属,并且可以通过减小尺寸的对称性来理解。对于具有可忽略晶界散射的单晶薄膜,尽管采用通常的密度泛函...
谁能替代铜互连?_腾讯新闻
如图4b所示,以ρ0=5.3??Ωcm,R=0.45,p=0(漫射表面散射),固定厚度为20nm为例,用Eq.(7)计算薄膜电阻率与晶粒尺寸的关系(www.e993.com)2024年10月17日。结果表明,较短的平均自由程λ使得电阻率对晶粒尺寸的依赖性较弱,从而减轻了晶界散射的影响。在扩散表面散射的情况下,薄膜电阻率随薄膜厚度的变化也有类似的规律。因此,这...
电化学应用方向:石英晶体微天平理论与校准-QCM
在QCM应用中,当质量增加到晶体电极时,运动电感Lm增加——串联谐振的频移是增加质量的敏感指标,小于1ng/cm2的薄膜可以很容易地通过QCM分辨出来。运动电阻Rm也可以提供有关该过程的重要变量,因为软薄膜和粘性液体会增加运动损耗,从而增加Rm的值。
新材料产业3大热点、4大产业、5大聚焦,看我国新材料产业发展趋势
3)可以用在无纺布、弹性膜、聚合物改性等方面,其中聚合物改性方面表现优异,具体应用案例有洗衣机座盘、食品容器盖、加湿器水箱、塑料文具、运动水壶、拖鞋等等。2.乙烯基弹性体乙烯基弹性体的性能和特点1)聚乙烯链结晶区(树脂相)起物理交联点的作用,具有典型的塑料性能,加入一定量的α-烯烃(1-丁烯、1-己烯...
Nano-Micro Letters:面向存储和存算一体的新型铁电AlScN综述
近日,华东师范大学田博博教授与朱秋香副教授团队在Nano-MicroLetters期刊(2023IF:31.6)上以“New-GenerationFerroelectricAlScNmaterials”为题发表了综述,详细讨论了铁电AlScN薄膜的铁电机理和畴动力学,全面总结了AlScN薄膜的不同制备技术和相应的性能优化策略,分析了其在存储和存算一体中的应用,并对铁电AlScN的商业...
访谈清华大学高滨教授:大模型时代的存算一体芯片
高滨老师分享了近两三年的研究重点,主要是希望把存算一体的技术往应用上去牵引,具体在开展的工作包括以下三大方面:与企业合作。尝试在实际边缘智能的场景中做芯片设计,以及实际场景下的可靠性。高滨老师特别指出:“我们发现,在很多实际场景下,芯片电阻状态的保持其实是存在随机偏移的relaxation效应的,如何抑制随机偏移,...