存储器新技术:FeRAM的高可靠性和无延迟

EEPROM在非易失性存储器市场占有一定地位,但其写入次数有限,通常在百万级,而FeRAM则可支持万亿级的写入次数。高耐久性的FeRAM在电网、表计和医疗监控等场景中具备较大优势。此外,FeRAM的写入速度也远超EEPROM,满足了更高的实时性需求。MRAM是一种基于磁性材料的存储器,与FeRAM相比,MRAM的速度更快、功耗更低,...

...取得嵌入式系统存储域自动划分专利,能根据非易失性存储器不同...

在嵌入式系统的代码烧写阶段,对非易失性存储器进行分区划分;然后将分区信息烧写到分区表中,将存储域的配置规则的镜像文件烧写到代码分区中。嵌入式系统启动运行时,根据分区表中的分区信息采用递归迭代算法对非易失存储器的存储域进行自动划分,将划分好的存储域的信息作为所述存储域的配置规则的镜像文件的各个参数的取...

三星申请非易失性存储器装置专利,提高存储装置的操作效率

所述存储装置包括:非易失性存储器装置,包括形成用户区域和保留区域的多个存储器单元;以及控制器,被配置为对包括在所述多个存储器单元中的至少一个写入单元执行写入操作,并且对包括在所述多个存储器单元中的至少一个擦除单元执行擦除操作,其中,控制器包括内部缓冲器,其中,控制器被配置为:通过将存储在内部缓冲器中的...

台积电申请非易失性存储器专利,提供具有改进的栅极结构的闪存及其...

台积电申请非易失性存储器专利,提供具有改进的栅极结构的闪存及其制造方法金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法“,公开号CN117545277A,申请日期为2019年9月。专利摘要显示,根据本申请的实施例,各种实施例提供...

华东师大Nat. Commun.:一种铁电鳍式二极管的新型非易失性存储器

华东师范大学段纯刚教授和田博博教授团队提出了一种基于铁电调控的鳍式二极管结构的新型非易失存储器---铁电鳍式二极管(ferroelectricfindiode,FFD)。与目前众多的非易失性存储器相比,这种FFD存储器表现出优秀的性能:如超过1010次循环的耐久性、~102的开/关比、30纳米的特征尺寸、~20fJ的操作能耗和100ns的...

三星取得非易失性存储器设备专利,当确定存储块有缺陷时实现存储块...

专利摘要显示，非易失性存储器设备包括存储单元阵列和坏块重映射电路(www.e993.com)2024年11月17日。存储单元阵列包括彼此配对的第一片和第二片。第一片包括多个第一存储块。第二片包括多个第二存储块。多个第一存储块中的第一选择存储块和多个第二存储块中的第二选择存储块基于第一地址来访问。当确定第一选择存储块有缺陷时，坏块重映射电路...

抗疲劳!中国科学家解决铁电材料疲劳之痛,有望实现存储器无限次数...

铁电材料像十多年前常见的卡式磁带上的材料一样，可以被用作非易失性存储器，具有低功耗、无损读取和快速重复写入的优势。铁电材料目前已被广泛应用在存储器、压电元件、传感设备等电子器件。然而，传统铁电材料会产生疲劳：随着极化翻转次数的增加，铁电材料极化会减小，而导致其性能衰减，最终引发器件失效故障。在全球...

三星申请非易失性存储器件专利,实现多条字线具有阶梯形状,并且...

金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“非易失性存储器件“,公开号CN117596884A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,一种非易失性存储器件包括

Nat Commun:用于稳定非易失性存储器的铁电鳍式二极管

在当今的非易失性存储器中,铁电电容、隧道结和场效应晶体管(FET)已经被工业集成和/或深入研究,以提高它们的性能。同时,由于人工智能和大数据问题的巨大发展,迫切需要实现高密度交叉开关阵列,这是未来存储器和新兴计算算法的先决条件。华东师范大学BoboTian等人设计了一种两端铁电鳍状二极管(FFD),其中铁电电容和鳍状...

车身(区)域控研究:整车降本利器,硬件大集成+软件SOA化

芯驰科技E3650芯片基于ASIL-D功能安全等级设计,包含了4个ARMCortexR52+高性能锁步多核集群;存储方面,片上集成了16MB嵌入式非易失性存储器,具备大容量SRAM;信息安全方面,集成了玄武超安全HSM信息安全模块,满足ISO21434、EvitaFull及以上的信息安全标准,更好的支持车型出海的需求;采用SSDPE(SuperSpeedDataPack...