详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓
具体来说,第三代半导体材料的相对介电常数值大致如下:SiC:相对介电常数大约在9.6到10.3之间。GaN:相对介电常数大约在8.9到9.5之间。这些值与硅(Si)相比,硅的相对介电常数大约为11.7,可以看出第三代半导体材料的相对介电常数确实较低。这种特性使得第三代半导体特别适合用于高电压、高频率和高温环境的电力电子器...
方晓生团队Nature Electronics:二维钙钛矿型氧化物光敏高κ电介质
因此,寻找兼具高介电常数、合适晶体结构和禁带宽度的新型电介质,成为构筑高性能微型光电子器件的关键课题。最近,复旦大学材料科学系方晓生教授团队报道了利用兼具高介电常数与合适禁带宽度的二维钙钛矿型氧化物Sr2Nb3O10作为一种光敏高κ电介质。通过自上而下的方法,制备的钙钛矿型氧化物Sr2Nb3O10可与多种二维半导体...
【业内热点】同为宽禁带半导体材料,SiC和GaN有何不同?
宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。随着硅(Si)与化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)在光电子、电力电子和射频微波等领域器件性能的提升面临瓶颈,不足...
半导体用大尺寸单晶金刚石衬底制备及加工研究现状
由表1可见,单晶金刚石具有超宽的禁带宽度、低的介电常数、高的击穿电压、高的本征电子和空穴迁移率,以及优越的抗辐射性能,是已知的最优秀的宽禁带高温半导体材料[5]。相比常规的半导体材料硅,金刚石优异的热导率能够及时散发电路运转过程中的热量,从而极大地提高精密仪器的运行功率,避免由于热量聚集导致各类电...
【专利解密】长鑫存储 HKMG技术迈向DRAM 17nm工艺
我们将介电常数大于20的材料定义为高介电常数材料,将禁带宽度大于8.8eV的材料定义为宽禁带宽度材料,而宽禁带宽度材料可以作为构成中间层禁带宽度层23的材料,并且其禁带宽度是大于侧边禁带宽度层22的禁带宽度。另外在该电容介质的设计中,通过引入掺杂型电容介质层24,增加了电容介质结构20的电容值,同时,由于掺杂型电容...
基础化工行业中期策略:顺高景气赛道,掘金格局优异的新材料
High-K前驱体相比传统SiO2具有更强介电常数,SiO2、Highk前驱体介电常数分别为3.9、10-60(www.e993.com)2024年10月20日。相比传统工艺,High-K前驱体可使栅极漏电流减少10倍左右,同时降低工作电压,使得材料理论性能提升20%。High-k前驱体的k值应大于12,最好在25-35之间。并且前驱体的k值与禁带宽度(Band...
国金证券:下游市场规模不断扩张 推动磁元件与磁粉芯爆发式增长
第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等性能,应用于新能源车、服务器电源、数据中心等诸多领域。SiC器件拥有更小的尺寸和更低的开关频率损耗,整体实现高频化、高功率密度的发展趋势,同时对配套的磁性元件也要求向高频化、高功率、微型化、节能化的方向发展。软磁...
力科解答宽禁带功率半导体测试探头难题!
以碳化硅与氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料,它们具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好等优点。第三代半导体材料可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及高辐射等恶劣条件的新要求,这类材料越来越受到欢迎,市场需求随之暴涨。近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半...
聚焦“宽禁带”半导体——SiC与GaN的兴起与未来
宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。SiC和GaNGaN晶体管在20世纪90年代首次出现,2010年宜普电源转换公司(EPC)推出第一个器件后,宣布了GaN开始了的正式...
聚焦“宽禁带”半导体 —— SiC与GaN的兴起与未来
宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。SiC和GaNGaN晶体管在20世纪90年代首次出现,2010年宜普电源转换公司(EPC)推出第一个器件后,宣布了GaN开始了的正式...