“电脑内存条”10个有趣的冷知识,不同品牌内存卡,内部差异很大

闪存颗粒通过缩小制程技术(比如从20nm到10nm,再到3DNAND架构),让每个存储单元能够容纳更多的比特位,同时堆叠更多层数,实现更高的存储密度。3DNAND技术是近年来的突破性创新,通过将存储单元从二维平面扩展到三维空间,解决了制程微缩带来的物理极限问题。比如,一张512GB的microSD卡可能包含了上千亿个存储单元,这种技...

媲美TLC寿命:长江储存展示X3-6070 QLC闪存颗粒,高密度、高性能

在密度方面，3DNAND的堆叠层数提升成为业界新问题，因此有必要推动QLCNAND的应用。采用第三代Xtacking技术的X3-6070QLC闪存相较上代产品IO速度提升50%、存储密度提高70%、擦写寿命达4000次P/E。Xtacking结构将CMOS电路同闪存阵列分离的设计对操作算法带来了更大灵活性，从而提升了QLC...

NAND闪存,迎新局

业界信息显示，NANDFlash即闪存颗粒，是数据存储的核心介质，也是数据存储的载体，目前SSD使用的闪存颗粒包括TLC（三层单元）、QLC（四层单元）等。图片来源：拍信网当前AI时代催生了大量的存储需求，SSD在其中扮演重要角色。从运行作用来看，全球市场研究机构TrendForce集邦咨询指出，在AI模型训练过程中，SSD不仅负责储存...

8G内存破千在即 揭秘存储产品暴涨之谜

如今,闪存行业,比较成熟和性价比高的技术依旧是64层3DNAND技术,在今年年底72层3DNAND技术应该可以实现较大的突破,甚至实现大规模量产,更有甚者部分领军企业已经在研发96层以及更高堆叠层数的3DNAND颗粒了。存储产品涨价的内外因分析在了解了相当多的闪存知识之后,我们可以再回过头来,一起聊聊存储产品为何会出现...

SK海力士引领未来存储技术:率先展示UFS 4.1通用闪存

值得一提的是，SK海力士此次展示的UFS4.1通用闪存采用了321层堆叠的V9TLCNAND闪存颗粒，这种高堆叠层数的设计不仅提升了存储密度，还进一步提高了数据传输的稳定性和可靠性。同时，SK海力士还展示了多款基于V9NAND颗粒的闪存产品，包括容量领先的3.2GbpsV92TbQLC以及高速的3.6GbpsV9H1TbTLC颗粒，...

再度起诉美光,这家中企什么来头|闪存|内存|海力士|nand|美光科技|...

2022年,除了232层闪存颗粒实现量产的动态,公司基于第三代NAND的系统解决方案上市,正式发布了Xtacking3.0技术架构(www.e993.com)2024年11月24日。目前长江存储和美光专利诉讼中,也涉及Xtacking工艺技术的相关专利。先进封测成新赛点除了Xtacking架构,长江存储瞄准的新赛点是先进封装技术。

企业级QLC SSD普及元年 英韧科技用前瞻性技术布局引领市场

挑战在于SSD的耐用性和性能会随着单元层数和每单元存储信息的增长而降低,因而企业级用户对QLCSSD的态度非常保守。过去几年,闪存颗粒厂商在QLC闪存颗粒方面迭代了3-4代产品,QLC闪存颗粒的寿命已经接近主流TLC闪存颗粒的水平,为企业级QLCSSD普及打下了坚实的基础。

【半导体·周报】中芯华虹对三季度指引乐观,半导体行业进入传统旺季

4.1.1.存储:DDR颗粒价格小幅上调,嵌入式市场行情按兵不动根据闪存市场公众号对存储行情的周度(截至2024.08.06)评述,近期,除铠侠外,其他四大存储原厂均发布了最新财报,对于三季度原厂仍然持涨价态度,但涨价幅度相对收敛,部分原厂为争取国内市占在价格策略上或将小幅调整定价,但调价空间有限,而原厂代理商也因...

上海汇正财经:存储芯片迎来向上周期

DRAM:颗粒价格小幅波动,美光1γDRAM试产进展顺利。根据DRAMexchange,上周(0701-0705)DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-4.54%至4.51%,平均涨跌幅为0.92%。上周11个料号呈上涨趋势,7个料号呈下降趋势,0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道,美光目前所有量产DRAM芯片均采用DUV光刻机制造...

NAND市场,激战打响

增加3DNAND器件中的有源层数量是当今提高闪存记录密度的最佳方法,因此所有3DNAND制造商都努力每1.5到2年就推出新的工艺节点来实现这一目标。虽然当下的竞争主要聚焦在200层左右,但是200层远远不是终点,近两年已经有巨头开始瞄准1000层堆叠的3DNAND。