打算设计快充产品?不如先看看这些广受好评的意法半导体器件
意法STF18N60M2是一款NMOS,耐压650V,导阻0.28Ω,采用TO-220FP封装。这款器件是采用新一代MDmesh??M2技术开发由于采用了条状布局和改进的垂直结构,具有更低的导通电阻和更好的开关特性,适用于要求苛刻的高效率电源适配器。应用案例:1、拆解报告:索尼PS5游戏主机372W电源意法半导体STF13N65M2意法半...
干货| 技术参数详解,MOS管知识最全收录
N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极(漏极D、源极S);在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G;P型半导体称为衬底,用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的,所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。当栅极G和源...
新型高耐压功率场效应晶体管
由于COOLMOS管芯厚度仅为常规MOSFET的1/3,使TO-220封装RthJC从常规1℃/W降到0.6℃/W,管芯散热能力的提高,使得额定功率从125W上升到208W。3.3开关特性的改善COOLMOS的栅极电荷与开关参数均优于常规MOSFET,如表3所示。表3COOLMOS与常规MOSFET的栅极电荷与开关参数很明显,由于Qg,特别是Qgd的减少,使COOLMO...
MOS管知识最全收录
N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极(漏极D、源极S);在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G;P型半导体称为衬底,用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的,所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。当栅极G和源...
原装正品!优势好价库存重磅来袭
STD13N60M2ON的MOSFET,300K,23+,工厂库存,8-15个工作日交HK,售价0.21USD。近期搜索量增加,价格优势。支持议价。如有意向,有意者请联系:Jimmy@mogul-tech15625508517R5F212BASNFP#V2RENESAS的微控制器(MCU),20K,23+,工厂库存,7-14个工作日交深圳,售价24含税。
一文带你读懂MOSFET和IGBT的区别|igbt|二极管|mosfet|栅极_网易订阅
图5中的示例仅考虑了CCMPFC电路的传导损耗,对于最差传导情况的设计目标,假设其小于15W(www.e993.com)2024年9月9日。以FCP11N60MOSFET为例,该电路限制在5.8A,FGP20N6S2IGBT可以在9.8A交流输入电流下工作。它传导70%以上的MOSFET功率。尽管IGBT具有低传导损耗,但大多数600VIGBT是PT(穿通)器件。PT器件具有NTC(负...