【个股价值观】捷捷微电:行业回暖业绩修复,车规MOS产能扩张迟缓

而捷捷微电主营产品为各类电力电子器件和芯片,分别为:晶闸管器件和芯片、防护类器件和芯片(包括:TVS、放电管、ESD、集成放电管、压敏电阻等)、二极管器件和芯片(包括:整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管等)、厚膜组件、晶体管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、IGBT器件和芯片、碳化硅器件等。其中公司晶闸管、二极管和...

程华电子:恒压驱动开关电源的变压器测试

开关管外置恒流驱动开关电源的变压器,初级绕组70T,0.31mm线径;次级绕组20T,0.38mm线径;偏置绕组12T,0.23mm线径。初级电感量如图4-6所示。品质因数如图4-7所示。由图4-6可知,2层纸的气隙产生的初级电感量接近设计要求。(注:每层纸的厚度为0.097mm)深圳市程华电子有限公司主营产品包括中低压MOS管、DC-DC恒流...

驱动LED恒流开关电源的设计(程华电子)

输出电流可调,半隔离反馈。电路参数的设计输入端由电感L1与C1和C2构成一个π滤波器,提供EMI滤波。使用RCD/稳压管电路实现箝位。输出端可以选择肖特基管MBR10150提供整流,可以提高效率。恒流反馈控制电路由运放LM358和三极管MMBT2222A组成,使用R6、C7作为反馈补偿网络。同时使用VR2在空载时实现恒流输出,可以保护电源在...

当开关电源输入过压,如何防护?

因此根据以上分析,对于输入电网电压波动导致的输入过压的防护方案,可以采取以下两个措施:1、开关电源中的关键元器件的规格选用更高等级的参数(当然需要兼顾可靠性和成本的平衡);2、同时加大电源中的走线和元器件之间的电气间隙和爬电距离;通过这两个方案的结合,开关电源防护输入过压的能力会大大提高,增加开关电源抗输...

8种开关电源MOS管的工作损耗计算

先通过计算得到MOSFET截止时所承受的漏源电压VDS(off),在查找器件规格书提供之IDSS,再通过如下公式计算:Poff=VDS(off)×IDSS×(1-Don)说明:IDSS会依VDS(off)变化而变化,而规格书提供的此值是在一近似V(BR)DSS条件下的参数。如计算得到的漏源电压VDS(off)很大以至接近V(BR)...

吃透MOS管,看这篇就够了

上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求(www.e993.com)2024年11月5日。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

锡拉电容:在电容三点式振荡电路中,与电感振荡线圈两端并联的电容,起到消除晶体管结电容的影响,使振荡器在高频端容易起振。预加重电容:为了避免音频调制信号在处理过程中造成对分频量衰减和丢失,而设置的RC高频分量提升网络电容。移相电容:用于改变交流信号相位的电容。

碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法

1、开关速度低于MOS管。2、因为是单向的,在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。3、不能阻挡更高的反向电压。4、比BJT和MOS管价格更高。5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题IGBT的主要参数:1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压,...

解析开关电源的冲击电流的几种控制方法

以下参数对于有源冲击电流限制电路的MOS管选择非常重要:1、漏极击穿电压Vds必须选择Vds比最大输入电压Vmax和最大输入瞬态电压还要高的MOS管,对于通讯系统中用的MOS管,一般选择Vds≥100V。2、栅源电压Vgs稳压管D1是用来保护MOS管Q1的栅极以防止其过压击穿,显然MOS管Q1的栅源电压Vgs必须高于稳压管D1的最大...

MOS管及其外围电路设计

注1:图中的Rpd为mos管栅源极的下拉电阻,其作用是为了给mos管栅极积累的电荷提供泄放回路,一般取值在10k~几十k这一数量级。由于该电阻阻值较大,对于mos管的开关瞬态工作情况基本没有影响,因此在后文分析mos的开关瞬态时,均忽略Rpd的影响。注2:Cgd,Cgs,Cds为mos管的三个寄生电容,在考虑mos管开关瞬态时,这三...