MOS管基础及选型指南

导通内阻关注NMOS的Rds(on)参数,导通内阻越小,NMOS管的损耗越小,一般NMOS管的导通内阻都是在mΩ级别。5、开关时间MOS作为开关器件,就会有开关时间概念,在高速电路中,尽可能选择输入、输出电容Ciss&Coss小、开关时间Ton&Toff短的MOS管,以保证数据通信正常。6、封装根据PCB板的尺寸,选择合适的NMOS管尺寸,在...

程华电子:恒压驱动开关电源的变压器测试

(注:每层纸的厚度为0.097mm)深圳市程华电子有限公司主营产品包括中低压MOS管、DC-DC恒流IC、DC-DC恒压IC和肖特基二极管等。服务与支持:深圳市程华电子有限公司为客户提供产品选型、样板测试、技术支持等一体服务,可根据客户的参数要求提供高质量的芯片、成熟可靠的芯片解决方案、MOS管芯片订制、免费样品和DEMO板测...

MOS管及其外围电路设计

注1:图中的Rpd为mos管栅源极的下拉电阻,其作用是为了给mos管栅极积累的电荷提供泄放回路,一般取值在10k~几十k这一数量级。由于该电阻阻值较大,对于mos管的开关瞬态工作情况基本没有影响,因此在后文分析mos的开关瞬态时,均忽略Rpd的影响。注2:Cgd,Cgs,Cds为mos管的三个寄生电容,在考虑mos管开关瞬态时,这三...

MOS管选型难?不如看看这篇永源微案例汇总

熟练掌握功率器件(Trench,SGT,Planar,Coolmos),BCD5V-60V工艺,CMOS5V-600V工艺等多种平台的开发于设计。永源微电子坚持自主创新,紧贴市场,致力于“APM,永源微电子”品牌的宣传于推广,坚持自主,可控,严谨的产品意识,致力于为国内外的电子产业提供更加优质和高效的产品。永源微旗下的MOS管产品均具备低栅极电荷...

碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法

3、IGBT开关参数的选择变频器的开关频率一般小于10kHZ,而在实际工作的过程中,IGBT的通态损耗所占比重比较大,建议选择低通态型IGBT。四.SiCMOSFET与SiSJ-MOSFET对比1.1静态特性表1:SiSJ-MOSFET和SiCMOSFET器件参数上表为SiSJ-MOSFET和SiCMOSFET器件的静态参数,可以看出SJ-MOSFETVGS(栅压)大于VTH(...

运算放大器参数选型

运算放大器参数选型▼关注公众号:工程师看海▼原文来自:泉城嵌入式运算放大器(IntegratedOperationalAmplifier)简称集成运放,是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路(www.e993.com)2024年11月11日。运放内部结构输入级一般是由BJT(双极性晶体管,电流控制器件)、JFET(结型场效应晶体管,电压控制器件)或MOSFET(氧化物...

干货| MOS管加三个元件就组成BUCK电路,为何说难点在于电感?

在BUCK电路中,电容和二级管的选取相对比较容易的,电感的两个参数,电感电流大小的选择也还好(实在不会,饱和电流和温升电流选二者小的电流能满足要求的即可),但电路中电感的感值选取和计算是我们经常所面临的一个难点;所以小编认为BUCK电路学习中,电感才是最重要的器件,大家怎么看?

MOS管在BMS中的应用方案

一般确定电池组的电压,通常按20%余量选择MOS管的电压,在实际应用中锂电池对温度的要求比较高,因此需要内阻较低的MOS管。在选型上需注意:01通过热设计来确定并联的MOSFET数量和合适的RDS(ON)02选择较小RDS(ON)的MOSFET,在多个MOSFET并联时能够进一步减小导通内阻...

一文搞懂IGBT

4、比BJT和MOS管价格更高。5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题。04IGBT的主要参数1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压,一般UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。2、栅极-发射极额定电压UGE是IGBT栅极与发射极之间允许施加的最大电压,通...

MOS管在户用储能上的应用

四、MOS管选型推荐上图中的MPPT控制,一般是通过DC/DC变换电路来完成的,MPPT控制器实时检测太阳能面板的发电电压,并跟踪最高电压和电流值(VI),使系统能够以最大输出功率对电池进行充电。应用于太阳能发电系统,协调太阳能电池板、蓄电池、负载的工作,是太阳能发电系统的大脑。为了更好的提高太阳能电池板的充电转换...