吃透MOS管,看这篇就够了
上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...
MOS管在汽车LED 中的应用方案
3.开关速度:LED驱动需要快速开关以控制亮度和频闪等特性,因此选型时需要考虑MOS管的开关速度(如开启和关闭时间)以确保系统性能。4.热特性:LED驱动过程中MOS管会产生一定的热量,需要考虑MOS管的导热性能和最大工作温度,以确保系统稳定性和长期可靠性。5.封装类型:考虑到汽车环境的振动和温度变化,选择耐高温、抗震...
如何让MOS管快速开启和关闭
TVS可以认为是一个反应速度很快的稳压管,其瞬间可以承受的功率高达几百至上千瓦,可以用来吸收瞬间的干扰脉冲。综上,MOS管驱动电路参考:MOS管驱动电路的布线设计:MOS管驱动线路的环路面积要尽可能小,否则可能会引入外来的电磁干扰。驱动芯片的旁路电容要尽量靠近驱动芯片的VCC和GND引脚,否则走线的电感会很大程度上...
干货| 用 MOS管构建双向逻辑电平转换器电路
MOS管在低压侧被下拉至低电压电平,直到Vgs跨越阈值点。低压段和高压段母线在相同电压水平下均变低。3、转换器的开关速度设计逻辑电平转换器时要考虑的另一个参数是转换速度。由于大多数逻辑转换器将在USART、I2C等通信总线之间使用,因此逻辑转换器切换得足够快(转换速度)以与通信线路的波特率相匹配非常重要。
达新半导体|张海涛:Si/SiC/GaN功率器件技术路线对比浅析
再来看一下封装外形的对比,在这里没有对比模块,全部对比的是单管器件。因为IGBT开关速度比较慢,所以我们使用的一般是TO-3L产品,但碳化硅多数使用的是TO-4L产品,以此来降低共源寄生电感CSI。氮化镓器件因为开关速度更快,主要采用贴片封装和TOLL封装,与驱动芯片进行合封处理,这也是比较主流的趋势。
2023年第三季度快充行业近况|电源|负载|vin|控制器|转换器_网易订阅
英集芯IP5385应用原理图,对应各个接口使用VBUS开关管,同步升降压电路四颗开关管,芯片内部集成NMOS驱动器,方案集成度高,有效降低BOM成本(www.e993.com)2024年9月9日。支持数码管电量显示和四灯LED电量显示,支持通过电阻设定电池容量,实现精准的电量显示。电池节数,电池电压,电池容量以及最大输入输出功率参数均可通过电阻设置,无需软件开发并且支持功...
干货| 技术参数详解,MOS管知识最全收录
跟双极性晶体管相比,MOS管需要GS电压高于一定的值才能导通,而且还要求较快的导通速度。在MOS管的结构中可以看到,在GS、GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,理论上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,由于对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一个要留意的是...
【技术专栏】一文详解MOS管,看这个就够了!
上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通...
如何正确选择MOS管?需要注意哪些细节?
4)选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中...
详解集成电路中MOS管的基本原理和工作特性
Lambda是沟通调制调制系数,当然在实际工程中,MOS管的SPICE参数里面会给出这个值。同样的道理,我们可以根据新的ID求出在沟道调制效应下面的跨导:3)亚阈值导通特性这个特性呢,有点点反三观,因为我们之前一直在聊,当VGS小于VTH(即栅源电压小于阈值电压)时,管子就关断了,但是现实是咱们的MOS管大兄弟的求生欲十分强,...