吃透MOS管,看这篇就够了
这个参数是mos管选择时至关重要的参数之一,必须考虑清楚。Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高,交流成分越大,寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流,形成栅极电流。消耗的电能、产生的热量不可忽视,甚至成为主要问题。为了追求高速,需要强大的栅极...
AC-DC主控芯片助力绿联绿联拓展海外市场
次级同步整流控制器采用MPSMP6908A,最高工作频率600KHz,支持DCM/CCM/QR准谐振工作模式,内置振铃检测防止DCM和QR运行下误开通,支持逻辑电压和标准电压同步整流管。1、拆解报告:绿联65W2C1A氮化镓快充充电器UGREEN绿联65W4C口氮化镓快充充电器绿联65W4C口氮化镓快充充电器兼容协议多,支持多个固定电压档位以及PPS...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
上图的栅极通过金属氧化物与衬底形成一个电容,越是高品质的mos,膜越薄,寄生电容越大,经常mos管的寄生电容达到nF级,这个参数是mos管选择时至关重要的参数之一,必须考虑清楚。Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高交流成分越大,寄生电容就能通过...
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
**此处的FSW代表的为mos管开关频率,QG则代表的是mos管寄生电容值(一般我们取最大值)。以该mos管的QG=170nc,FSW=500K为例计算:IG=500*170=85000uA=85mA(所以从此处可以看出,当开关频率越高时,栅极所需要的驱动电流越大),显然这样的电流不是我们一般IO管脚可以提供的,所以我们一般采用到了推挽电路(推挽电路...
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
在实际应用中,多采用NMOS管,因为其导通电阻小,且容易制造。21、开关电源的纹波噪声为什么比较大解题思路开关电源的纹波噪声比较大,主要是由于以下几个原因:①输入产生的低频纹波;②由于开关器件的硬开通和硬关断,产生尖脉冲造成的开关噪声,形成高频纹波;③寄生参数引起的共模纹波噪声;④功率器件结电容与线路寄生...
车充芯片选型难?不如来看看这些高功率车充应用的同步升降压芯片
宝砾微PL5501控制器在降压、升降压和升压运行模式下采用恒定的时间控制,以实现卓越的负载和电压调整(www.e993.com)2024年9月9日。可编程开关频率,可以设置开关频率为150kHz、300kHz、600kHz或1.2MHz。该芯片还具有可编程软启动功能,并提供各种保护功能,包括逐周期限流、输入欠压闭锁(UVLO)、输出过压保护(OVP)、输入过压保护、过温保护和输出短...
碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法
3、IGBT开关参数的选择变频器的开关频率一般小于10kHZ,而在实际工作的过程中,IGBT的通态损耗所占比重比较大,建议选择低通态型IGBT。四.SiCMOSFET与SiSJ-MOSFET对比1.1静态特性表1:SiSJ-MOSFET和SiCMOSFET器件参数上表为SiSJ-MOSFET和SiCMOSFET器件的静态参数,可以看出SJ-MOSFETVGS(栅压)大于VTH(...
干货| 图解PCB布板与EMC的关系
2.40M-100M以内,一般是MOS管开通关断引起,有时后为了现场不好直接判断是开通还是关断,可针对性整改观测结果去验证(当然这都得花钱,后续会讲解如何用示波器去判断,这可是密招)。3100M以上多为二极管引起,整改二极管吸收电容,大功率的有的可能是同步整流,更改MOS管吸收环路,记住有时候调整C时还得配合R整改。
一文搞懂IGBT
1、开关速度低于MOS管。2、因为是单向的,在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。3、不能阻挡更高的反向电压。4、比BJT和MOS管价格更高。5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题。04IGBT的主要参数1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大...
Apple Vision Pro面市,多家升降压电源芯片企业获益_腾讯新闻
内部集成了四个MOS管开关,简化了系统设计流程。SC8910A采用电流模式控制,能够灵活适应广泛的输入和输出电压范围,覆盖了2.7V至22V的VBUS范围。它能够有效地管理2到4节电池的充电,无论输入/输出电压高于、低于还是等于电池电压。在需要从电池放电时,IC能够按需从电池中提供所需的输出。