苏州华太取得一种碳化硅的双极结型晶体管专利
金融界2024年10月21日消息,国家知识产权局信息显示,苏州华太电子技术股份有限公司取得一项名为“一种碳化硅的双极结型晶体管”的专利,授权公告号CN118472019B,申请日期为2024年7月。本文源自:金融界作者:情报员
三安集成电路申请异质结双极晶体管专利,降低异质结双极晶体管的...
所述异质结双极晶体管包括隔离区,所述隔离区具有衬底和叠设于所述衬底上的半导体层,所述隔离区还设置有集电极接触层,所述衬底对应所述集电极接触层设置有背孔,所述背孔内设置有与所述集电极接触层电连接的第一金属层,所述半导体层围绕所述集电极接触层设置有隔离槽,所述隔离槽的深度范围为大于或等于所述半导体层...
新能源车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术,赋能电动汽车整体性能提升
在技术要求方面,从新能源车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的外观、尺寸、结构、电气性能、可焊性、有毒有害物质限量等方面对新能源车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术规范提出了具体要求。针对试验方法,明确新能源车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的外观、电气性能、可焊性、有毒有害物质限量等方面的试验方法。此外,明...
2024年芬兰千年技术奖授予绝缘栅双极晶体管发明者
2024年芬兰千年技术奖授予绝缘栅双极晶体管发明者新华社赫尔辛基9月4日电(记者陈静)芬兰技术学会4日发布的公报显示,2024年芬兰千年技术奖授予本德瓦尔·贾扬特·巴利加,以表彰他在研发绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术方面所作的贡献,奖金为100万欧元(1欧元约合1.1美元)。巴利加于1948年出生在印度,目前在美国...
国产芯片“攻入”车厂
这一特性使得国内厂商在中低端功率半导体的生产上具备了一定的自主能力,能够满足国内不少整车厂的基础需求。然而,在高端功率半导体方面,如高效能碳化硅器件和IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,国产技术仍与国际领先水平存在明显差距,关键技术和产能在很大程度上还依赖进口。
以改革促开放、以开放谋发展——国家级经开区40年发展综述
聚焦“怎么创新”,搭建创新平台、构建创新生态(www.e993.com)2024年10月26日。武汉经开区通过与武汉东湖高新区联动,在汽车芯片领域开展联合技术攻关,将高铁绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片技术引入汽车功率芯片开发并实现日均1000只IGBT芯片量产,成功突破汽车“功率芯片”领域困局。聚焦“创新如何转化”,打通科技成果落地“最后一公里”。在东营经开...
...结型晶体管及其制造方法专利,能够有效的提升双极结型晶体管的...
金融界2024年3月19日消息,据国家知识产权局公告,杰华特微电子股份有限公司申请一项名为“双极结型晶体管及其制造方法“,公开号CN117727778A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本申
双极性结型晶体管的开关损耗
SPICE模拟提供了另一种更准确的估计传导损耗的方法。例如,考虑图2中的LTspice电路。该模拟双极性结型晶体管的Q1由3.3V数字信号控制,并将电流切换到50Ω负载。一种LTspice双极结晶体管电路。图2:在LTspice中建模的图3显示了运行模拟时产生的基极-发射极和集电极-发射极电压。
“聪明的车”产业链逐步自主可控
如寒武纪等的主控芯片实现了小批量装车,比亚迪、中车时代实现了功率类芯片IGBT(绝缘栅双极型晶体管)量产应用,华为、大唐等企业的通信芯片形成了一定优势地位。随着汽车控制集中化成为发展趋势,更高算力的SoC(系统级芯片)成为未来汽车芯片竞争的“制高点”,一些企业的SoC芯片已经开始量产搭载。
参数标注错误,智己像小米致歉,SIC电机到底好在哪?
先说一下事件的起因。智己L6在发布会上放出了一张与小米SU7车辆参数对比的图片。其中在电机部分,错误的标注为小米SU7的前电机为IGBT电机控制器(绝缘栅双极型晶体管),后电机为SIC电机控制器(碳化硅)。实际上,小米SU7前后都搭载了SIC电机。这里我们简单拓展一下。IGBT电机在功率、性能方面都不如SIC电机,唯一的优...