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8种开关电源MOS管的工作损耗计算
MOSFET损耗计算主要包含如下8个部分:PD=Pon+Poff+Poff_on+Pon_off+Pds+Pgs+Pd_f+Pd_recover详细计算公式应根据具体电路及工作条件而定。例如在同步整流的应用场合,还要考虑体内二极管正向导通期间的损耗和转向截止时的反向恢复损耗。损耗计算可参考下文的“MOS管损耗的8个组成部分”部分。
吃透MOS管,看这篇就够了
上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...
MOS管参数解析及国内外大厂技术对比
MOSFET的单位面积导通电阻和优值系数(FOM)参数代表了MOSFET的性能,是各大MOSFET厂商产品参数展示的关键指标,也是体现MOSFET芯片制造工艺核心技术能力的关键指标。通常来说,MOS管的单位面积导通电阻值和优值系数值越低表示其性能越好。而超低压MOSFET不关注优值系数,单位面积导通电阻值和漏极击穿电压之间存在取舍关系,因此...
MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)
MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)功率管的最主要的应用是控制电流的通断,即在一定的电压条件下对流经器件的电流进行开关控制。首先,在可以承受的击穿电压的前提下(即器件的工作电压平台),器件导通电阻越低,其导通损耗就越低。其次,器件在开关状态间切换时,栅极电荷越小,器件的开关速度就越快,其动态...
MOS管的安全工作区SOA详解(一)限制线介绍
SOA示意图中蓝色的就是Rds(on)限制线,简单理解,就是MOS管完全导通的时候,会有导通电阻Rds(on),我们知道,此时MOS工作在欧姆区,有关系式Vds=Ids*Rds(on),在我们固定条件Vgs和温度的情况下,Rds(on)就是一个常数,所以我们会看到这条曲线是线性的(www.e993.com)2024年9月21日。如下图是TI的PMOS管CSD25404Q3T,我们在Rds(on)限制线取量...
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
在以上图中,我们需要持续关注的参数主要有:a.**ID(持续漏极电流)**:该参数含义是mos可以持续承受的电流值,在设计中,产品的实际通过电流值应远小于该值,至少应小于1/3以下,例:该mos管的使用持续电流应小于50A。b.**PD(mos管的最大耗散功率)**:该参数是指设计中,实际通过mos管的电流与漏源两端的电...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
选择MOS管时,主要考虑栅源电压(Ugs,通常约为20V)、漏源电压(Vds,此设计为36V)、漏极持续电流Id。在本设计中,假设电源最大输出电流为100mA(举例而已,其它电流下的设计方法类似),为方便计算又不失可靠性,所有参数的降额系数取0.7~0.8,则所选MOS的参数要求如下:Ugs=20V,Vds=36/0.7=51V(选50V),Id=100/0.8...
一文搞懂IGBT
4、比BJT和MOS管价格更高。5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题。04IGBT的主要参数1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压,一般UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。2、栅极-发射极额定电压UGE是IGBT栅极与发射极之间允许施加的最大电压,通...
满足华为和荣耀手机超级快充功能,石龙富华68W氮化镓插座拆解
产品参数特写型号:UEP68Y322PRA插座额定电压:250V~最大电流:10A最大功率:2500W电源适配器输入:200-240V~50/60Hz1.3A电源适配器输出:C1/C2:5/9/12/15V3A、20.3V3.3A67WMAXA1/A2:5/9/12/20V3A60WMAX(A1+A2)/(C1+C2):45W+23W68WMAX...