MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解
下面将以某品牌的低压MOSFET为例,对MOSFET的数据参数进行详细介绍2.1绝对最大参数表1MOSFET绝对最大参数ID:最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。MOSFET的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减小。该参数为结与管壳之间额定热阻RthJC和管壳温度的函数。上面...
如果不说 你会特别留意肖特基二极管的这些参数吗?
图3:肖特基二极管的物理结构基于金属-N型半导体结,因而具有很低的正向压降和极快的开关速度。02特性与参数举例:onsemiNSR0340HT1G反向电压反向电压一般指的是反向偏置方向上可以施加到器件上,而不引起击穿的最大电压。以onsemiNSR0340HT1G举例,数据手册中的反向电压为40V,与普通二极管相比,肖特基...
浪涌保护器SPD参数、分类、选型及应用解决方案
一般来说,一级浪涌保护器的后备保护熔断器开关的额定电流值应在100~125A之间,二级浪涌保护器的后备保护熔断器开关的额定电流值应在63~80A之间,三级浪涌保护器的后备保护熔断器开关的额定电流值应在32~40A之间。浪涌保护器的安装接线线径大小应根据浪涌保护器的通流容量大小、安装距离、电阻损耗等因素选择合适的导线截面...
泰高技术的氮化镓射频开关:强劲应对高功率射频设计的王牌
根据功率放大器(PA)和滤波器(Filter)的谐波性能,开关的谐波性能必须在80dBc以上,以满足监管要求。此外,在图1中还展示了与开关隔离度相关的另一个重要问题。低频段开关的隔离度通常很高,不会产生问题,但对于高频段可能会有影响。例如,图1中绿色箭头所示的1GHz信号路径的二次谐波可以通过红色箭头所示的2GHz信号路径...
【行业深度】行业需求风起云涌,功率半导体国产替代正当时
功能半导体包括功率IC和功率器件,是系统应用的核心器件,战略地位十分突出。功率半导体具体用途是变频、变相、变压、逆变、整流、增幅、开关等。从产品种类看,根据智研咨询统计数据,2019年功率半导体最大的细分领域是功率IC,占比54.30%,MOSFET占比16.40%,IGBT占比12.40%,功率二极管/整流桥占比14.80%。
技术科普 | 汽车电机控制器详解
MCU(motorcontrolunit)的基本功能主要包括:电压转换:MCU将电池的直流电转换为三相交流电,驱动交流电机,这一过程通过内部逆变器实现,使用半导体开关器件如晶体管或IGBT来控制电流的频率和幅值(www.e993.com)2024年7月11日。速度与转矩控制:MCU根据驾驶条件调整电机转速和转矩,以适应不同的驾驶需求。
中国科大在功率电子器件领域取得重要进展
基于p-NiO的β-Ga2O3异质结场效应晶体管在高功率和高频开关应用中显示出巨大潜力。然而在先前的研究中,基于p-NiO的β-Ga2O3异质结场效应晶体管存在寄生的栅源pn二极管,导致较大的栅极漏电电流,促使需要创新的解决方案。该工作中,针对β-Ga2O3异质结场效应晶体管(HJFET)的栅极击穿问题,通过引入NiOx/GaOx栅极...
【招银研究|行业深度】新能源汽车之800V高压平台篇——车桩电池三...
OBC和DC/DC为低功率高频率场景(OBC的功率在3.3~22kW,频率100~300kHz;DC/DC的功率一般为3kW,频率在100kHz以上),SiCMOSFET有望替代SiMOSFET或二极管。通过SiCMOSFET进行替代,可以减少散热器、被动元件尺寸、简化电路,实现效率的提升。目前,OBC供应商已经开始推广配备SiC器件的产品,部分也采用了国产器件。根据电子...
【招银研究|行业深度】新能源汽车之800V高压平台篇——车桩电池三...
OBC和DC/DC为低功率高频率场景(OBC的功率在3.3~22kW,频率100~300kHz;DC/DC的功率一般为3kW,频率在100kHz以上),SiCMOSFET有望替代SiMOSFET或二极管。通过SiCMOSFET进行替代,可以减少散热器、被动元件尺寸、简化电路,实现效率的提升。目前,OBC供应商已经开始推广配备SiC器件的产品,部分也采用了国产器件。根据电子...
东微半导2023年年度董事会经营评述
报告期末,公司已开发出SiC二极管,并发明具有自主知识产权的Si2CMOSFET。其中,Si2CMOSFET已通过客户的验证并实现小批量供货,应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等,实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代,市场前景广阔。报告期内,公司研究开发的基于18V~20V...