Nexperia推出DFN2020D-3封装的热门功率双极结型晶体管
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT)产品组合再次扩展,推出采用DFN2020D-3封装的十款标准产品和十款汽车级产品。这些新器件的额定电压为50V和80V,支持NPN和PNP极性的1A至3A电流范围,进一步巩固了Nexperia作为市场领先供应商的地位。通过此次...
2024年芬兰千年技术奖授予绝缘栅双极晶体管发明者
芬兰技术学会4日发布的公报显示,2024年芬兰千年技术奖授予本德瓦尔·贾扬特·巴利加,以表彰他在研发绝缘栅双极晶体管技术方面所作的贡献,奖金为100万欧元。据介绍,自20世纪80年代以来,绝缘栅双极晶体管已经成为一种重要的半导体器件,在全球范围内得到广泛应用。绝缘栅双极晶体管可应用于风能和太阳能发电装置、电动汽车...
开关功率晶体管的选择和正确操作
上级晶体管几乎可以是任何晶体管:高fT双极晶体管、标准MOSFET、Coolmos、a-Si、GaN、SiCJFET、GaN或SiC增强型MOSFET,这都无关紧要!了解这一点非常重要,因为提供级联的GaN和SiC制造商试图说服客户,GaN或SiC可实现快速切换。事实上,如果使用SiCoolmos代替GaN或SiC,则切换速度相同,因为这...
“聪明的车”产业链逐步自主可控
如寒武纪等的主控芯片实现了小批量装车,比亚迪、中车时代实现了功率类芯片IGBT(绝缘栅双极型晶体管)量产应用,华为、大唐等企业的通信芯片形成了一定优势地位。随着汽车控制集中化成为发展趋势,更高算力的SoC(系统级芯片)成为未来汽车芯片竞争的“制高点”,一些企业的SoC芯片已经开始量产搭载。????此外,决策系统硬件...
华为公司申请鳍式双极结型晶体管专利,提高驱动电流能力
鳍式双极结型晶体管FinBJT,包括:衬底和设置在衬底上的两个集电极、多个发射极以及至少一个基极。FinBJT中的每个集电极包括至少一个鳍,每个发射极包括至少一个鳍,每个基极包括至少一个鳍。例如,可以采用FinFET工艺形成集电极、发射极以及基极。其中,FinBJT中的多个发射极和至少一个基极均位于两个集电极之间;每个集电极...
格力电器获得发明专利授权:“绝缘栅双极型晶体管及其制备方法”
该绝缘栅双极型晶体管结构包括:集电层,具有第一掺杂类型;漂移层,设置于集电层的一侧,且漂移层具有第二掺杂类型;栅极结构,设置于漂移层远离集电层的一侧;第一掺杂层,接触设置于漂移层远离集电层的一侧,第一掺杂层包括第一部分和第二部分,第一部分和第二部分之间具有第一间隔区域,第一间隔区域位于栅极...
投资者提问:董秘你好,请问公司IGBT(绝缘栅双极晶体管)单个价值...
董秘你好,请问公司IGBT(绝缘栅双极晶体管)单个价值大概是多少?根据相关信息IGBT2025年市场规模大约80亿美元左右,新能源汽车约占比42%,请问公司IGBT产品目前在新能源车市场占比大约是多少?董秘回答(顺络电子(25.060,0.05,0.20%)SZ002138):尊敬的投资者,您好!
双极性结型晶体管的开关损耗
SPICE模拟提供了另一种更准确的估计传导损耗的方法。例如,考虑图2中的LTspice电路。该模拟双极性结型晶体管的Q1由3.3V数字信号控制,并将电流切换到50Ω负载。一种LTspice双极结晶体管电路。图2:在LTspice中建模的图3显示了运行模拟时产生的基极-发射极和集电极-发射极电压。
易森垃圾处理设备生活垃圾农村垃圾制肥机器_化肥_肥料价格_河北省...
氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等特色芯片生产线,集中力量支持国家存储器基地3DNFLASH产品的规模化量产。在芯片封装测试方面,加快引进和大力发展芯片封装、测试等生产线建设。在芯片材料与设备方面,引进培育国内外集成电路设备与材料领军企业,加快关键国产设备与材料核心技术攻关与产业化...
降价卖车,难救智己
据了解,智己L6超强性能版对比小米SU7Max三电参数的PPT中,错误地将小米SU7Max的双电机描述成了「前IGBT(绝缘栅双极型晶体管),后SiC(碳化硅)」,而自己的却是双SiC。图/网络(发布会上标注的错误参数)在被小米汽车“点名”之后,4月9日凌晨,智己汽车官方微博发布致歉函,称由于团队内容审核疏漏,造成一处关键...