干货| 技术参数详解,MOS管知识最全收录
1、N沟道增强型场效应管原理N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极(漏极D、源极S);在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G;P型半导体称为衬底,用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的,所以NMOS又被称为绝缘...
新型高耐压功率场效应晶体管
由于COOLMOS管芯厚度仅为常规MOSFET的1/3,使TO-220封装RthJC从常规1℃/W降到0.6℃/W,管芯散热能力的提高,使得额定功率从125W上升到208W。3.3开关特性的改善COOLMOS的栅极电荷与开关参数均优于常规MOSFET,如表3所示。表3COOLMOS与常规MOSFET的栅极电荷与开关参数很明显,由于Qg,特别是Qgd的减少,使COOLMO...
MOS管知识最全收录
1、N沟道增强型场效应管原理N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极(漏极D、源极S);在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G;P型半导体称为衬底,用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的,所以NMOS又被称为绝缘...
一文带你读懂MOSFET和IGBT的区别|igbt|二极管|mosfet|栅极_网易订阅
图6:FCP11N60(MOSFET):RDS(on)与IDRAIN和VGE变化在MOSFET传导非常小的占空比的高脉动电流拓扑中,应考虑图6所示的特性。如果FCP11N60MOSFET工作在一个漏极电流为20A脉冲(即5.5ARMS)且占空比为7.5%的电路中,则有效RDS(on)将小于5.5A(数据表中的测试电流)0.32欧姆大25...
打算设计快充产品?不如先看看这些广受好评的意法半导体器件
STNRG011采用SO20封装,引脚采用区块化设计,将高压和驱动引脚与采样引脚分开,便于电路优化设计。内置8位数字内核控制,内置数字算法和硬件模拟电路,实现高性能和高可靠的电源设计。芯片内置ROM存储器用于存储算法,参数可在生产阶段存储在器件存储器中,实现灵活的功能配置。并支持UART引脚通信,实现监控功能,连接外部存储器或...
原装正品!优势好价库存重磅来袭
STD13N60M2ON的MOSFET,300K,23+,工厂库存,8-15个工作日交HK,售价0.21USD(www.e993.com)2024年9月9日。近期搜索量增加,价格优势。支持议价。如有意向,有意者请联系:Jimmy@mogul-tech15625508517R5F212BASNFP#V2RENESAS的微控制器(MCU),20K,23+,工厂库存,7-14个工作日交深圳,售价24含税。