8种开关电源MOS管的工作损耗计算
根据经验,在实际应用中规格书目中之ID会比实际最大工作电流大数倍,这是因为散耗功率及温升之限制约束。在初选计算时期还须根据下面第六条的散耗功率约束不断调整此参数。建议初选于3~5倍左右ID=(3~5)*ID_max。3、驱动要求MOSFEF的驱动要求由其栅极总充电电量(Qg)参数决定。在满足其它参数要...
MOS管参数解析及国内外大厂技术对比
MOSFET的单位面积导通电阻和优值系数(FOM)参数代表了MOSFET的性能,是各大MOSFET厂商产品参数展示的关键指标,也是体现MOSFET芯片制造工艺核心技术能力的关键指标。通常来说,MOS管的单位面积导通电阻值和优值系数值越低表示其性能越好。而超低压MOSFET不关注优值系数,单位面积导通电阻值和漏极击穿电压之间存在取舍关系,因此...
MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)
MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)功率管的最主要的应用是控制电流的通断,即在一定的电压条件下对流经器件的电流进行开关控制。首先,在可以承受的击穿电压的前提下(即器件的工作电压平台),器件导通电阻越低,其导通损耗就越低。其次,器件在开关状态间切换时,栅极电荷越小,器件的开关速度就越快,其动态损...
MOS管及其外围电路设计
式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值,式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容,Vth为mos管的门槛电压,均可以在对应的datasheet中查到,dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压和mos管关断时DS电压上升时间(该时间一般在datasheet中也能查到)求得。从上面的分析可以看到,在mos管关断时,为了防止误开通,应当尽量减小关断时...
MOS管H桥电路与专用电机驱动方案
从MOS管H桥电路图和专用电机驱动电路图对比中发现:专用电机驱动电路图相比较MOS管H桥电路图要简洁简单,表现在研发4个PWM信号的控制与处理要难于2个PWM信号的控制与处理;并且在电路调试方面,4个MOS管的参数选型测试要复杂于1个专用电机驱动芯片的参数测试。
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
一般在datasheet中,我们一般都只仅仅关注了两个参数值,如下图中参数:我们许多初级的设计师,在使用mos管一般就会仅仅只关注这两个参数,即Vgsmax与vgsth(www.e993.com)2024年10月20日。vgsmax在上面参数中,我们已有说明。这里我们重点说明下**vgsth**这个参数:在该mos管中,该值的范围为2v~4v之间,mos工作在放大区域。即mos管的...
常用的MOS做电源开关电路的设计_腾讯新闻
近年来随着MOS工艺的升级,PMOS的参数还是较NMOS差,但导通内阻<10m欧的PMOS型号越来越多了。PMOS做高侧开关的最大优势,是不用电荷泵驱动,简单方便,还降低成本。下图是PMOS做高侧开关的电路,CONTROL为控制信号,电平范围为0~VCC。CONTROL为0V时,Vgs<导通阀值,PMOS开通,负载工作。
运算放大器参数选型
运算放大器参数选型▼关注公众号:工程师看海▼原文来自:泉城嵌入式运算放大器(IntegratedOperationalAmplifier)简称集成运放,是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路。运放内部结构输入级一般是由BJT(双极性晶体管,电流控制器件)、JFET(结型场效应晶体管,电压控制器件)或MOSFET(氧化物...
当开关电源输入过压,如何防护?
因此考虑到输入电压在305VAC基础上存在一定的波动而输入电压过压,选用规格为650V的MOS管在电路中工作,MOS管的应力还有一定的裕量,并且MOS管的电压应力可以通过进一步调整变压器和电路参数进行优化降低。因此当输入电压在305VAC稳态工作时,即使电网电压存在一定的波动,选用650V的MOS管,也是有一定的电压应力裕量,可以提高...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
选择MOS管时,主要考虑栅源电压(Ugs,通常约为20V)、漏源电压(Vds,此设计为36V)、漏极持续电流Id。在本设计中,假设电源最大输出电流为100mA(举例而已,其它电流下的设计方法类似),为方便计算又不失可靠性,所有参数的降额系数取0.7~0.8,则所选MOS的参数要求如下:Ugs=20V,Vds=36/0.7=51V(选50V),Id=100/0.8...