固态硬盘一般能用多久

闪存芯片具有擦写次数限制,这是影响SSD寿命的关键因素。闪存完全擦写一次被称为1次P/E(Program/Erase)。不同规格的闪存芯片,其P/E寿命有所不同。例如,34nm的闪存芯片寿命约为5000次P/E,而25nm的寿命则约为3000次P/E。随着SSD固件算法的提升,新款SSD能够减少不必要的写入量,从而延长使用寿命。除了闪存芯片的规...

突破!长江存储的X3-6070闪存芯片每个单元可进行4,000次擦写循环

通常情况下，闪存单元存储的电荷越多，其在编程/擦除循环方面的耐久性就越低。然而，长江存储通过材料创新、控制器进步以及纠错算法的改进，显著提高了闪存单元的编程/擦除循环次数。X3-6070正是在这些方面取得了突破，其耐久性与3DTLC芯片相当。X3-6070是长江存储的第四代产品，拥有128个活动层和Xtacking3.0架构...

QLC闪存擦写寿命4000次,分析长江存储在CFMS 2024上透露的信息

闪存PE次数指的是Program/Erase循环次数，也就是写入/擦除的次数。闪存的读取和写入以page为单位，而擦除则是以block为单位，为此SSD使用FTL闪存映射表和垃圾回收、磨损均衡算法等一系列复杂机制来管理闪存。在这一过程中，闪存会产生额外的磨损，也就是“写入放大”。写入放大率并不是一个固定值，它跟主控和固件设...

长江存储 QLC 闪存 X3-6070 擦写寿命已达四千次,追上 TLC 产品

IT之家3月28日消息,据台媒DIGITIMES报道,长江存储在中国闪存市场峰会CFMS2024上表示采用第三代Xtacking技术的X3-6070QLC闪存已实现4000次P/E的擦写寿命。IT之家注:不同于质保寿命,消费级原厂TLC固态硬盘在测试中普遍至少拥有3000次P/E级别的擦写寿命。▲图源中国闪存...

长江存储X3-6070 QLC闪存已实现4000次P/E擦写寿命

长江存储在中国闪存市场峰会(CFMS2024)上表示,其采用第三代Xtacking技术的X3-6070QLC闪存已实现4000次P/E擦写寿命。该技术将CMOS电路与闪存阵列分离,提高了QLC的可靠性,并实现了更灵活的电压调制和读取窗口裕度提升。这种新技术的应用将使NAND闪存行业进入上升期,预计2023至2027年的闪存需...

我国科学家技术突破 存储芯片无限次擦写引围观:TLC、QLC买谁 恐不...

之前有关TLC、QLC的争议不断,前者成本低,容量大,但速度慢,寿命短(企业级TLC普遍在7000~10000PE),而后者的寿命则更差,不过之前长江存储宣布,旗下QLC闪存擦写4000次,而如果上述新材料被运用到这些领域,可能会带来行业新的变革(www.e993.com)2024年11月23日。据悉,不少欧美大厂已经注意到上述新技术,并且保持密切关注。

工业存储技术浅析 | 佰维Wear Leveling有效延缓工业SSD性能衰退

佰维通过WearLeveling技术智能分配数据写入的位置,均衡整个存储介质的擦写次数,以延长NAND闪存的使用寿命,保障工业应用中的数据安全与系统稳定性。具体而言,WearLeveling技术通过分区管理——“空闲block池”与“数据block池”,也可称之为“休息区”和“活跃区”,以实现存储单元的磨损平衡。当数据需要更新时,不是直接...

长江存储突破QLC闪存寿命!4000次P/E,TLC也不过如此

SLC、MLC、TLC、QLC……NAND闪存一路发展下来,存储密度越来越高,而寿命和可靠性不断下滑,比如作为最关键的衡量指标,P/E(编程/擦写循环)次数就越来越少。长江存储公司最近推出了一款名为YMTCX3-6070的闪存芯片。该公司表示,这款闪存芯片的耐久性可以与竞争对手的3DTLCNAND闪存芯片相媲美。X3-6070采用了长江存...

长江存储突破QLC闪存寿命!做到4000次P/E

SLC、MLC、TLC、QLC……NAND闪存一路发展下来,存储密度越来越高,而寿命和可靠性不断下滑,比如作为最关键的衡量指标,P/E(编程/擦写循环)次数就越来越少。根据维基百科的资料显示,SLC闪存的P/E可以达到5000-10000次之多,MLC一般在1000-10000次范围,TLC目前最高就只能做到3000次,QLC的话一般不超过1000次。

工业SSD的存储技术解读

控制器是SSD中负责管理数据读写和闪存擦写等操作的芯片,它决定了ssd的智能化程度和可靠性。接口是ssd与主机之间通信的方式,常见的接口有SATA、PCIe、SAS等,不同的接口有不同的传输速率和协议。缓存是SSD中用来提高读写速度和减少闪存擦写次数的内存,一般使用DRAM或SRAM等快速内存作为缓存。