AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

为了降低云和边缘的功耗,兼具高性能和易失性的新型存储器以及基于新型材料的存储器技术,正加速新型存储器的创新之路,如自旋磁存储器MRAM(MagnetoresistiveRandomAccessMemory)、阻变存储器RRAM(ResistiveRandomAccessMemory)、相变存储器PCM(phasechangememory)、铁电存储器FeRAM(FerroelectricRAM)等。MRAM,自旋...

...中国科学家解决铁电材料疲劳之痛,有望实现存储器无限次数擦写

这一应用有望打破铁电存储器有限读写次数的限制，大大增加耐久性，从而能够在深海探测、航空航天以及柔性可穿戴电子设备等方面执行存储、传感、能量转换等关键任务。北京时间6月7日凌晨，前述研究成果在线发表在国际学术杂志《科学》（Science）上。极化翻转过程示意图。传统铁电材料的内部，有无数个晶格单元，每个晶格单...

国芯思辰| 铁电存储器SF25C20(MB85RS2MT)在新能源汽车BMS中应用

国芯思辰SF25C20铁电存储器是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元,其具有高可靠性,数据保持时间为100年,完全随机不需要写等待的高读写效率,SPI接口速率最高可以支持到25Mhz的工作频率,并且具有非常低的功耗;由于其特殊的铁电材质,所以该存储器的擦写次数可达1E6次读/写操作*1。SF25C20容量2M...

有望实现存储器无限次擦写,我国科学家开发“无疲劳铁电材料”登上...

这意味着,以存储器为例,使用新型二维滑移铁电材料制备的铁电存储器无读写次数的限制。因此对于深海探测或航空航天重大装备领域而言,无疲劳的新型二维层状滑移铁电材料有望极大提升设备可靠性,降低维护成本。IT之家附论文链接:

中国科学家开发出‘无疲劳铁电材料’!存储芯片擦写寿命突破无限...

这一发现不仅深化了对铁电材料本质的理解,还为铁电存储器件和类脑智能器件的设计与优化提供了新的思路和可能性。未来,可以进一步探索滑移铁电性质在其他二维和层状材料中的应用潜力,以及其在更广泛领域内的工程应用,例如高性能电子器件和量子信息处理。这些研究成果将有助于推动铁电技术的进步,为下一代电子设备的发展...

国芯思辰|基于国产FRAM SF25C20微控制器无线传感器网络应用方案

普通微控制器一般采用的是Flash和EEPROM存储,基于铁电存储器SF25C20的微控制器可确保100倍以上的数据写入速度和250倍的功耗降幅(www.e993.com)2024年11月17日。当从铁电存储器中执行代码时,还有效降低了功耗。铁电存储器的擦写次数可以达到100万次,对很多应用而言,这样的擦写次数几乎是不受限制的。

新兴存储,冰火两重天

FeRAM,全称为FerroelectricRAM(铁电随机存取存储器),又称铁电存储器。FeRAM采用铁电晶体材料作为存储介质,利用铁电晶体材料电压与电流关系具有特征滞后回路的特点来实现信息存储。FeRAM结构图FeRAM产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。

【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研,共探集成电路的创新之路

FeFET,即基于晶体管型的铁电存储器,是我们团队的研究重点。这种存储器以其高集成密度、快速操作和低功耗而受到关注。FeFET的优势在于其三端器件的设计,这使得它非常适合用于存算一体、神经形态计算和安全应用等先进领域。此外,FeFET支持非破坏性读取,允许在不重写的情况下进行数据读取,这在提高存储效率方面是一个显著...

美国能源部发布《聚变能源战略2024》,支持拜登政府聚变能源十年...

中国研究人员开发出无疲劳铁电材料,有望实现存储器无限次数擦写据澎湃新闻6月7日消息,中国科学院宁波材料所等单位利用二维滑移铁电结构的独特性,创制了一种无疲劳铁电材料。这一应用有望打破铁电存储器有限读写次数的限制,大大增加耐久性,从而能够在深海探测、航空航天以及柔性可穿戴电子设备等方面执行存储、传感、能量...

存储芯片,中国什么时候能成?

EEPROM则是一种支持电可擦除和即插即用的非易失性存储器,具有体积小、接口简单、数据保存可靠、可在线改写、功耗低等特点。新型存储器方面,目前主要有4种,分别是:阻变存储器(ReRAM/RRAM)、相变存储器(PCRAM)、铁电存储器(FeRAM/FRAM)、磁性存储器(MRAM,第二代为STT-RAM)。据Yole统计,预计2026年新型存储器...