...RAMXEED,以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储...

FeRAM的读写速度是纳秒级,这远超过NORflash、EEPROM;读写次数达到1014、1013之多,在某种意义上相当于无限次,而EEPROM、NORFlash一般都有次数的限制。基于这两个特点,在实时写入、掉电保护等、需要读写次数比较高的快速非易失性存储的应用场景中(如智能卡、计量设备以及汽车中的事件数据记录仪),FeRAM有着不可...

抗疲劳!中国科学家解决铁电材料疲劳之痛,有望实现存储器无限次数...

这一应用有望打破铁电存储器有限读写次数的限制，大大增加耐久性，从而能够在深海探测、航空航天以及柔性可穿戴电子设备等方面执行存储、传感、能量转换等关键任务。北京时间6月7日凌晨，前述研究成果在线发表在国际学术杂志《科学》（Science）上。极化翻转过程示意图。传统铁电材料的内部，有无数个晶格单元，每个晶格单...

国芯思辰| 铁电存储器SF25C20(MB85RS2MT)在新能源汽车BMS中应用

国芯思辰SF25C20铁电存储器是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元,其具有高可靠性,数据保持时间为100年,完全随机不需要写等待的高读写效率,SPI接口速率最高可以支持到25Mhz的工作频率,并且具有非常低的功耗;由于其特殊的铁电材质,所以该存储器的擦写次数可达1E6次读/写操作*1。SF25C20容量2M...

2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

读写次数达到1014或1013次，从某种意义上相当于无限次。不过NORFlash一般都有使用次数的限制。基于这两个特性，FeRAM可用于实时写入、掉电保护等需要快速非易失性存储且读写次数较多的应用场景（如智能卡、计量设备、汽车中的事件数据记录器）。具有不可替代的绝对优势。同时，FeRAM还可以替代SARM、SARM和MRAM。相比...

国芯思辰|基于国产FRAM SF25C20微控制器无线传感器网络应用方案

普通微控制器一般采用的是Flash和EEPROM存储,基于铁电存储器SF25C20的微控制器可确保100倍以上的数据写入速度和250倍的功耗降幅。当从铁电存储器中执行代码时,还有效降低了功耗。铁电存储器的擦写次数可以达到100万次,对很多应用而言,这样的擦写次数几乎是不受限制的。

RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求

FeRAM依赖铁电材料的独特性质进行数据存储(www.e993.com)2024年11月17日。该类存储器以其超快的读写速度、出色的写入耐久性以及较低的功耗特性而著称。FeRAM的读写速度是纳秒级,这远超过NORflash、EEPROM;读写次数达到1014、1013之多,在某种意义上相当于无限次,而EEPROM、NORFlash一般都有次数的限制。基于这两个特点,在实时写入、掉电保护等...

铁电器件,大有可为|晶体|栅极|电介质|电容器_网易订阅

相比之下,铁电存储器(如FeFET和铁电隧道结(FTJ))依赖于铁电极化。例如,FeFET使用与传统电介质串联的铁电体作为栅极电容器。铁电极化充当永久栅极偏置,根据极化状态,可为正或负。该偏置会提高或降低阈值电压。存储器窗口(Vtlo和Vthi值之间的差值)随着铁电体的极化密度而增加。

有望实现存储器无限次擦写,我国科学家开发“无疲劳铁电材料”登上...

这意味着,以存储器为例,使用新型二维滑移铁电材料制备的铁电存储器无读写次数的限制。因此对于深海探测或航空航天重大装备领域而言,无疲劳的新型二维层状滑移铁电材料有望极大提升设备可靠性,降低维护成本。IT之家附论文链接:httpsscience/doi/10.1126/science.ado1744...

医用同位素钼-99,国产化加速了丨科创要闻

与传统铁电材料的离子位移机制不同,其抗疲劳性能明显优于传统离子型铁电材料,其应用有望打破铁电存储器有限读写次数的限制,大大增加耐久性,可在深海探测、航空航天以及柔性可穿戴电子设备等方面执行存储、传感、能量转换等关键任务。??点评:铁电疲劳失效是各类电子设备发生故障的主要原因之一,新材料能够提供最好的...

美国能源部发布《聚变能源战略2024》,支持拜登政府聚变能源十年...

中国研究人员开发出无疲劳铁电材料,有望实现存储器无限次数擦写据澎湃新闻6月7日消息,中国科学院宁波材料所等单位利用二维滑移铁电结构的独特性,创制了一种无疲劳铁电材料。这一应用有望打破铁电存储器有限读写次数的限制,大大增加耐久性,从而能够在深海探测、航空航天以及柔性可穿戴电子设备等方面执行存储、传感、能量...