中巨芯科技股份有限公司2023年年度报告摘要
2024年3月28日 - 新浪
在前驱体材料方面,薄膜沉积技术是集成电路制造过程中关键技术,而沉积不同材料的薄膜能够精确控制集成电路内部构造的成型,以实现不同的电气特性。涉及化学反应的薄膜沉积工艺主要分为化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)等薄膜制备工艺。半导体前驱体材料根据形成薄膜的材料属性划分,可以分为硅基前驱体和金属基前驱体;根据...
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中巨芯科技股份有限公司
2024年3月28日 - 搜狐
在前驱体材料方面,薄膜沉积技术是集成电路制造过程中关键技术,而沉积不同材料的薄膜能够精确控制集成电路内部构造的成型,以实现不同的电气特性。涉及化学反应的薄膜沉积工艺主要分为化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)等薄膜制备工艺。半导体前驱体材料根据形成薄膜的材料属性划分,可以分为硅基前驱体和金属基前驱体;根据...
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中巨芯2023年年度董事会经营评述
2024年3月27日 - 证券之星
在前驱体材料方面,薄膜沉积技术是集成电路制造过程中关键技术,而沉积不同材料的薄膜能够精确控制集成电路内部构造的成型,以实现不同的电气特性。涉及化学反应的薄膜沉积工艺主要分为化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)等薄膜制备工艺。半导体前驱体材料根据形成薄膜的材料属性划分,可以分为硅基前驱体和金属基前驱体;根据...
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