Akash获得美国CHIPS法案资助,开发金刚石冷却技术

除了地面应用,Akash还通过其金刚石冷却卫星无线电瞄准卫星通信。其金刚石-氮化镓(GaN)技术在生产卫星无线电和功率放大器方面发挥着关键作用,这些卫星无线电和功率放大器可提供:数据速率提高5-10倍:提高卫星运行的通信速度。更高的可靠性:在具有挑战性的太空条件下仍能保持稳定的性能。50%的小尺寸:减小尺寸可降...

金刚石能否取代其他高功率半导体器件?

有望取代部分传统高功率半导体器件,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等。然而,金刚石半导体技术的出现并不意味着碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等材料的过时。相反,金刚石半导体为工程师提供了更多样化的材料选择。每种材料都有其独特的特性,适用于不同的应用场景。金刚石以其卓越的热管理和电力能力在高压、高温环境中表现...

华鑫证券:给予北方华创买入评级

截至2023年底,公司ICP刻蚀设备已累计出货超3200腔,CCP刻蚀设备已累计出货超100腔,TSV刻蚀设备已广泛应用于国内主流Fab厂和先进封装厂,是国内TSV量产线的主力机台,市占率领先。公司现已形成对刻蚀工艺的全覆盖,具有对硅、深硅、金属、介质、化合物半导体(SiC,GaN,GaAs,InP,LiNbO?,LiTaO?等)等多种材料的刻蚀能力。

一文详解Micro LED技术及关键组成架构和市场概况

第一步通过ICP刻蚀工艺,刻蚀沟槽至蓝宝石层,在外延片上隔离出分离的长条形GaN平台。第二步在GaN平台上,通过ICP刻蚀,确立每个特定尺寸的像素单元。第三步通过剥离工艺,在P型GaN接触层上制作Ni/Au电流扩展层。第四步通过热沉积,在N型GaN层和P型GaN接触层上制作Ti/Au欧姆接触电极。其中,每一列像素的阴极通过N型G...

北方华创2023年年度董事会经营评述

截至2023年底,北方华创ICP刻蚀设备已累计出货超3200腔。电容耦合等离子体(CCP)介质刻蚀设备也在芯片制造领域扮演关键角色,特别是在后道介质膜层图形化工艺方面,对整个芯片的性能具有重要影响。2021年,北方华创开始着力进行介质刻蚀设备研发,致力于攻克12英寸关键介质刻蚀工艺应用,支撑客户持续创新。凭借多年积累的核心技术...

倒计时3天|最终议程揭晓+首批参会名单公布,IPF 2024开幕在即!

Si/SiC/GaN功率器件技术路线对比浅析达新半导体副总经理张海涛10:10-10:40功率半导体(SiC)制造中的光刻技术开悦半导体总经理王向东10:40-11:00茶歇·观展·交流11:00-11:30碳化硅外延垂直式6/8兼容国产解决方案芯三代半导体执行总监韩跃斌...

江苏华林科纳半导体关于AlN和GaN的刻蚀对比研究

江苏华林科纳半导体关于AlN和GaN的刻蚀对比研究引言AlN、GaN及其合金因其宽带隙和独特的性能被广泛应用于光电子领域,例如基于AlGaN的紫外线发光二极管(UV-LEDs),激光二极管(LD),AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)和AlGaN/GaN异质结双极晶体管(HBT)。

《炬丰科技-半导体工艺》ICP刻蚀氮化镓基LED结构的研究

最近已经开发了几种不同的GaN基材料干法刻蚀技术，包括反应离子刻蚀(RIE)、电子回旋共振(ECR)刻蚀和电感耦合等离子体(ICP)刻蚀。在这些干法蚀刻方法中，ICP蚀刻因其优越的等离子体均匀性和强可控性而具有吸引力。在这项工作中，我们重点研究了氮化镓基发光二极管结构的刻蚀特性，包括刻蚀速率、选择性、刻蚀表面形貌和侧...

【学术论文】GaN FET的结构、驱动及应用综述

这种结构存在栅极场板,可增加高压应用场板设计的灵活性。实验证明,这种结构具有低栅极电阻、降低高漏源电压VDS时的导通电阻RDS-ON等优势,且相比采用欧姆接触的P-GaN结构,此结构降低了栅极漏电流。1.2.2凹槽栅结构凹槽栅[4]结构如图4所示,此结构通过电感耦合等离子体(InductivelyCouplePlasma,ICP)干法刻蚀...

北方华创正式发布 CCP 介质刻蚀机,实现刻蚀工艺全覆盖

IT之家8月15日消息,据北方华创官方宣布,今天,北方华创正式发布CCP介质刻蚀机,目前已在5家客户完成验证并实现量产。此前北方华创已推出ICP刻蚀机、金属刻蚀机等,实现刻蚀工艺全覆盖。北方华创NMC508RIE介质刻蚀机采用8吋设备二十年工艺基础;专为8吋工艺设计的腔室与硬件,满足定制化需求;6&...