东芝推出输出耐压为900V的小型封装车载光继电器

导通电阻RON(Ω)ION=50mA、IF=10mA、t<1s最大值250开关特征导通时间tON(ms)最大值1关断时间tOFF(ms)最大值1隔离特征隔离电压BVS(Vrms)最小值5,000电气间隙(mm)最小值8爬电距离(mm)最小值8名称SO12L-T尺寸(mm)典型...

中国科学院:SiC MOSFET器件高温下最大电流导通能力评估方法

1.3导通电阻功率MOSFET器件的导通电阻Ron是指漏源电流Ids流过的所有区域的电阻之和。Ron的大小决定了器件的通态损耗,并可能影响MOSFET导通电流的能力。在图2中,SiCMOSFET的导通电阻由6个部分组成,RN+是源极扩散电阻,RCH是沟道电阻,RA是累积电阻,RJ是两个体区之间区域的JFET元件电阻,RD是漂移区域电阻,RSub为衬...

【新品发布】艾为电子推出45V低Ron和低Coff的天线调谐开关AW17245...

AW17245FCR是应用于45V条件下的4xSPST天线调谐开关,具有低关断电容Coff和低导通电阻Ron,有助于在调谐中获得更好的TRP和TIS。AW17245FCR主要用于孔径调谐(如图1),位于PIFA天线的低压区(45V),通过调整RF端口的负载和改变Tuner状态,使得PIFA天线的等效电长度改变,进而改变天线的最佳辐射频率。图1AW17245FCR应用示意...

MOS管参数解析及国内外大厂技术对比|电阻|导通|阻值|漏极|英飞凌|...

优值系数(Ron*Qg),导通电阻Ron决定了导通状态下的静态损耗,栅极电荷Qg决定了开关损耗,通常用Ron与Qg的乘积来表征MOSFET器件的性能水品,该值越低代表技术水品越高。根据各官方网站发布的产品关键参数以及性能,松下FCAB21890L、松下FCAB22620L、英飞凌BSZ0506NSATMA1、英飞凌IQE013N04LM6、英飞凌IAUT260N10S5N0...

保护器件之-过压保护OVP芯片

导通电阻Ron是非常关键的参数,因为电流会通过MOS,所以导通电阻就决定了经过MOS后的压降,并且由于有功率损耗,导通电阻也会决定芯片发热量大小。假设导通电阻200mΩ,那么在1A电流下就会有0.2V的压降,在一些设计中这个是很大的压降,因此这个参数一定要注意。

共探新机遇,瑞能半导体出席2024国际汽车半导体创新发展交流会

在产品和技术布局方面,瑞能半导体SiCMOSFET产品系列:覆盖电压范围650V~2200V、拥有极具竞争力的比导通电阻(RON,SP)和包括顶部散热和模块产品在内的各种封装类型,极大的拓宽了瑞能SiC产品的应用范围(www.e993.com)2024年11月3日。特别需要指出的是,瑞能第二代SiCMOSFET拥有极强的短路能力,在18V和800V电压下的短路耐受时间长达3.5uS,从而确保...

MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)

1)高压MOSFET产品性能的关键指标之一是导通电阻Ron与栅极电荷Qg的乘积优值FOM。相同导通电阻下,栅极电荷越小则优值越低,器件的动态损耗越小,整体性能越强。在电压为限定条件时,功率MOSFET的导通电阻与栅极电荷的乘积越小,该器件性能更优,技术更加先进。

荣湃推出车规级3300V数字高压隔离开关

更为值得一提的是,Pai855AEQ-W2R内置了耐压高达3300V的SiCMOSFET,极大地简化了限流电阻的设计。具体参数如下:??紧凑的固态双向SiCMOSFET??低输出漏电流,IO≤5μA@VDS=3300V??低导通电阻,RON(Typ)=65Ω@IO=2mA??低开启时间:TON(Typ)=20μs...

TMC2024丨车规级功率半导体论坛剧透一丨SiC模块特色封装与半导体...

低Ron,sp碳化硅平面栅MOSFET相关技术开发●创新的栅氧界面态钝化开发工艺将沟道电子迁移率提升至25cm2/Vs,栅氧界面态降至5E11cm-2eV-1●业内先进的制造设备在芯片规格相同的情况下Grossdie增加15%●采用Bonding和激光退火制造工艺,将Wafer减薄至100um,芯片导通电阻降低5%以上...

会展动态丨TMC2024——车规级功率半导体论坛剧透一:SiC模块特色...

低Ron,sp碳化硅平面栅MOSFET相关技术开发??创新的栅氧界面态钝化开发工艺将沟道电子迁移率提升至25cm2/Vs,栅氧界面态降至5E11cm-2eV-1??业内先进的制造设备在芯片规格相同的情况下Grossdie增加15%??采用Bonding和激光退火制造工艺,将Wafer减薄至100um,芯片导通电阻降低5%以上...