华为又出新技术——四重曝光技术,未来极具潜力的三大概念股!
而EUV(极紫外光)光刻技术虽然能够实现更精细的线路制造,但其设备投资成本高昂且技术难度大。因此,华为提出的SAQP技术成为了一种具有潜力的替代方案。该技术通过多重曝光的方式,可以在相对落后的设备上实现更先进的芯片制造效果,对于降低制造成本、提高良品率和促进技术自主具有重要意义。二、技术原理与步骤SAQP技术...
华为芯片的任务更重了
从成本上看,传统燃油车单车的芯片成本大约2270元,而新能源汽车单车的芯片成本约4540元,是传统燃油车的两倍。有业内人士分析称,中国快速推进智能驾驶、无人驾驶,本质是希望在功率半导体以及汽车智能芯片先抢头筹。因为中国市场体量太大,一旦中国有先发优势,那是不可逆转的。汽车高端化,芯片大战不可避免箭在弦上。
华为四重曝光工艺专利公开,国产5nm芯片有希望了?
多重曝光成本虽高但可解决燃眉之急此前,麒麟9000S芯片问世,在国内引起了轰动,也迎来国际上的关注。国外机构TechInsights对麒麟9000S进行了电镜扫描,计算出了其晶体管密度为98MTr/mm??,也就是0.98亿个每平方毫米,该数据与台积电、三星的7nm芯片大致一致,因此业界猜测华为是采用双重曝光技术,实现了7nm芯片的制造。
国产手机7nm芯片:揭秘“魔法”!
虽然多重曝光技术使得DUV能制造7nm工艺的芯片成为可能,但要制造5nm工艺的芯片,需要更多的曝光和掩膜版,导致时间成本和物力成本的大幅增加。因此,5nm工艺的制造最终转向了EUV光刻机,它具有更短的波长,可一次曝光制造小尺寸的线条,减少了多重曝光带来的复杂性和成本。总结:DUV光刻机和多重曝光技术在制造7nm工艺...
【简讯】小米15 Pro关键参数曝光;美光正在试产1γ工艺芯片…
据最新消息,美光已开始采用1γ(1-gamma)工艺试产DRAM芯片,并计划明年进入大批量生产阶段。目前,美光所有的存储芯片都完全依赖于DUV光刻设备,美光通过标准的DUV多重曝光,在1α和1β工艺上开发出具有性能和成本竞争力的DRAM芯片,而切换到EUV技术可以进一步提高制程节点的经济性。
外媒曝光:台积电面临的多重难题及其全球影响
其次,就是被更多的约束所束缚(www.e993.com)2024年9月10日。这一回,美国一毛都没有花,就向台积电提出了一个新的申请,让他们在2nm制程上多花一笔。这相当于台积电向美追加了二百五十亿美金的投资,否则就得不到这笔钱。除此之外,台积电还从华为那里拿到了大量的芯片。最重要的是,台积电在美建立工厂后,美国并没有给它任何补助,而是...
ASML 公布下一代光刻机:可量产 0.2nm 芯片
按照Intel之前拿到的High-NAEUV光刻机来看,将直接生产2nm以下的芯片起步,Intel首发就是14A,虽然不能说就是1.4nm,但应该和台积电未来1.4nm的工艺接近,预计到2029年左右能量产1nm芯片。而且现在从台积电和Intel的技术来看,使用多重曝光可以在2033年前后做到0.5nm的量产。
没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片
使用浸润式DUV光刻机+多重曝光技术生产5nm芯片完全可行,不计代价的情况下甚至能做到3nm。尽管理论上可行,且在7nm节点上已被部分晶圆厂验证过,但这需要诸多条件同时满足,比如多重曝光中关键的“套刻精度”——多次曝光之间图形对准的精度。此外,也还涉及到许许多多的制程手段,比如相移光罩、模型光学临近效应修正、...
芯片巨头“瓜分”美国2800亿
研究机构AreteResearch高级分析师布雷特·辛普森曾在报告中指出,采用FinFET架构的台积电3nm制程的苹果A17芯片,初期良率在55%左右,每个季度良率可以提高5%左右。如果该数据准确,台积电3nm当前的良率应该接近70%。看点不仅在于每个季度5%的提升,还在于从55%到70%良率中间的成本,这部分台积电大方的选择了为苹果兜底。
光刻技术的过去、现在与未来
图形转移:在曝光后,光刻胶上形成了掩模上图案的复制。接下来是显影和蚀刻步骤。显影是将未暴露于光的区域溶解掉,留下暴露于光的区域。接着进行蚀刻,利用化学溶液或物理方法去除显影后的部分,暴露出硅片或基板表面。最终,光刻胶被去除,留下所需的微细图案,这些图案用于半导体芯片或其他微纳米制造中。