三星量产第9代QLC V-NAND闪存芯片

行业第一款QLC及TLC第九代V-NAND，可满足各类AI应用需求。三星公司日前公布，已经启动大规模生产1Tubbit（TB）第9代NAND（QLC）芯片。三星在四月份发布了世界上第一个第九代V型NAND三层电池（TLC)，目前已经发布了行业内第一款第九代V型NANDQLC电池，进一步奠定了其在大容量、高性能闪存领域的...

韩媒:中国DRAM内存芯片,仅落后三星一代了

而中国嘛,不管是DRAM内存,还是NAND闪存,均表现一般般,毕竟中国存储芯片到2017年才起步,晚了三星、美光等几十年。不过,近日,有韩国媒体表示,中国目前在DRAM上进步神速,已经只落后三星、美光、SK海力士这三大巨头一代了。按照DRAM芯片发展的路线,其代数是按照1-2-3-4-4X-5-5X来发展的,最新的规格是LPDDR5X,但...

联芸科技申请闪存控制芯片的验证方法和系统专利,大大缩短验证时间

金融界2024年8月25日消息,天眼查知识产权信息显示,联芸科技(杭州)股份有限公司申请一项名为“闪存控制芯片的验证方法和系统“,公开号CN202310196507.8,申请日期为2023年2月。专利摘要显示,公开一种闪存控制芯片的验证系统及方法。该系统通过模拟固件行为的固件行为模拟器,缩短了CPU对固件的调度耗时...

兆易创新超高速8通道车规闪存芯片 GD25/55LX 系列丨兆易创新确认...

本届金辑奖重点聚焦智能驾驶、智能座舱、智能底盘、汽车软件、车规级芯片、大数据及人工智能、动力总成及充换电、热管理、车身及内外饰、新材料十大细分板块,进行优秀企业及先进技术解决方案的评选,向行业内外展示这些优秀的企业和行业领军人物,共同推动行业的发展和进步。

全球与中国NAND闪存控制芯片行业运行状况研究及投资可行性分析报

出版机构:中智信投研究网内容部分有删减·详细可参中智信投研究网出版完整信息!2023年全球NAND闪存控制芯片市场销售额达到了亿美元,预计2030年将达到亿美元,年复合增长率(CAGR)为%(2024-2030)。地区层面来看,中国市场在过去几年变化较快,2023年市场规模为百万美元,约占全球的%,预计2030年将达到...

业界最高密度,西部数据预览 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片

IT之家6月14日消息，西部数据在前不久的投资者活动上预览了2Tb容量版本的BICS8（218层）QLCNAND芯片，这也是业界目前最高密度的闪存芯片(www.e993.com)2024年11月3日。该存储颗粒专为满足数据中心与AI存储需求设计，可进一步降低高容量企业级固态硬盘成本，满足越来越庞大的数据存储需求。一个闪存颗粒由多个闪存芯片堆叠封装而...

铠侠新一代UFS 4.0闪存芯片出样:最高1TB、封装尺寸更小

快科技4月23日消息，铠侠宣布出样最新一代UFS4.0闪存芯片，新产品提供256GB、512GB和1TB容量规格。据介绍，新闪存芯片提升了5G网络的利用率，从而加快了设备的下载速度，同时使延迟大幅降低，让用户的使用体验得到明显增强。同时，更小的封装尺寸有助于节省电路板空间，提升电路板的利用率，让电路设计更加灵活从容...

存储芯片业绩反转悄然而至?存储模组龙头细分产品“卖爆”Q4净利...

不论是当前业内一致看好的HBM,还是突然受爆炒的SRAM,实际都暗示着存储芯片赛道的不断升温。就在本周一,国内封测龙头长电科技盘后公告,拟收购晟碟半导体80%的股权,收购对价约6.24亿美元。据悉,标的公司主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品类型主要包括iNAND闪存模块,SD、MicroSD存储器等,产品广泛应用于移动通信...

关键闪存芯片紧缺 固态硬盘价格或起飞在即

据科技媒体Tom'sHardware报道,由于关键闪存芯片紧缺,SSD(固态硬盘)的价格将在本季度晚些时候“飞涨”,尤其是大容量消费级产品。“关键闪存芯片”即多个NAND器件组成的NAND封装芯片。据了解,M.2-2280规格的单面固态硬盘需要4个3DNAND器件,目前这种规格的2TB和4TB产品普及率更高,该产品搭载的NAND芯片需要4个或8个...

中国最大闪存芯片制造商长江存储在美起诉美光专利侵权,涉 8 项专利

IT之家11月12日消息,近日,中国最大闪存芯片制造商长江存储向美国存储芯片巨头美光及其子公司提起专利侵权诉讼,要求法院禁止美光继续使用长江存储的多项3DNAND技术专利,并赔偿损失和诉讼费用。长江存储称,美光的多款固态硬盘产品涉嫌侵犯了长江存储的8项专利,这些专利涉及到3DNAND存储器的形成方法、控制...