什么是齐纳二极管?齐纳二极管工作原理详解+参数解读
由反向击穿产生的齐纳二极管两端的恒定电压降由直流电压符号表示。齐纳二极管的正向特性类似于简单的二极管,正向电流是正向压降的指数函数。电压降的微小变化会导致电流快速上升。通常,PN结上0.8伏的电压降足以使齐纳二极管正向偏置。正向偏置的齐纳二极管如下所示:正向偏置齐纳二极管普通二极管在反向偏置模式下工作时,...
发光二极管的工作原理是什么?为什么可以发出不同颜色的光?
发光二极管符号与二极管符号相似,只是有两个小箭头表示光的发射,因此称为发光二极管(LED)。发光二极管包括两个端子,即阳极(+)和阴极(-),发光二极管的符号如下所示。发光二极管符号这个在我之前的文章里面有详细的讲解,可以直接点击下面这个文章。二极管怎么区分正负极这里简单地讲一下。发光二极管比较常用,正负极...
雅迪电动车的仪表故障显示表,你了解多少?
-“S”符号:表示电池电流过低,需要检查电池电流是否正常。如果电流正常,则可能是电池损坏,需要更换电池。-“T”符号:表示电池电流过高,需要检查电池电流是否正常。如果电流正常,则可能是电池损坏,需要更换电池。-特殊图标类:-红色感叹号:通常是刹车断电装置系统发生故障的指示。刹车断电装置系统涵盖了多个关键部件...
吃透MOS管,看这篇就够了
图1-4-A是N沟道MOS管的符号,图中D是漏极,S是源极,G是栅极,中间的箭头表示衬底,如果箭头向里表示是N沟道的MOS管,箭头向外表示是P沟道的MOS管。在实际MOS管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接,所以在符号的规则中;表示衬底的箭头也必须和源极相连接,以区别漏极和源极。图1-5-A是P沟道MOS管的符号。
一文搞懂IGBT
IGBT的输出特性通常表示的是以栅极-发射极电压VGE为参变量时,漏极电流IC和集电极-发射极电压VCE之间的关系曲线。由于IGBT可等效理解为MOSFET和PNP的复合结构,它的输出特性曲线与MOSFET强相关,因此这里我们依旧以MOSFET为例来讲解其输出特性。其中当VDS>0且较小时,ID随着VDS的增大而增大,这部分区域在MOSFET中称为可...
车载总线|FlexRay的详细介绍
⑤符号窗一个FlexRay通信周期可以有一个符号窗(www.e993.com)2024年9月8日。符号窗通过配置设定一定数量宏时钟的时间宽度,这个配置值为零,表示不用符号窗。在符号窗内的内容及功能由高层协议规定,FlexRay结点发送一个符号表示某种自定义的特殊用途。符号类别:Ⅰ冲突避免符号:用于冷启动节点的通讯启动Ⅱ测试符号:用于总线的测试Ⅲ唤醒符号:用于唤醒...
深度解析特斯拉Model 3 逆变器的构造
符号/外观特性应用1.Ordercode(订货号):SCTW100N65G2AG2.VDS(最大漏源电压):650V这表示MOSFET能够承受的最大漏极到源极之间的电压是650伏特。3.RDS(on)(导通电阻最大值):26mΩ4.RDS(on)是MOSFET在导通状态下的漏极到源极电阻,这里的最大值为26毫欧姆。这个值越低,MOSFET在导通时的...
国家工信部征求意见:电动车拟禁用车载充电器,并完善永久性标识
而手机充电器输出电压一般为5伏,标准模式下充电电流为1~2安,快速充电模式下电流可达到3~5安甚至更高。带有USB充电接口的车载充电器,是把电池电压通过内部降压设备转化为可供称可供手机或其他电子设备所需合适的充电电压和电流。带有转换接头的车载充电器,是把转换头插在电动车充电接口内,通过转换接头内部电子元...
基础知识之运算放大器
运算放大器、比较器的图解符号运算放大器的电源引脚名称示例运算放大器要求的功能有高输入电阻(阻抗)和低输出电阻。在下图电压控制电压源放大器模型中,输入电压和输出电压的关系如以下公式所示。电压控制电压源放大器模型信号电压Vs是通过电阻分压由信号源电阻Rs和运算放大器的输入电阻Ri分压而得,因此衰减的...
基础知识之激光二极管
振荡波长用符号λ表示,单位是nm(纳米)。由有源层结晶材料具有的禁带宽度和芯片结构参数的共振器长度决定。共振器长度存在很多候选振荡波长,但禁带宽度周围增益最大的波长发生振荡。如果结区(有源层)温度上升,则共振器长度发生物理伸长或折射率变大,如果壳体温度及光输出增大,则振荡波长将变长。