不用被卡脖子了?中美芯片制造的竞争这么快就结束了,耗时5年!

2023年，台积电生产第二代4nm芯片，在2024年上半年，华为Pura70系列采用了麒麟9010芯片，根据拆解分析，这款芯片由中国的半导体制造国际公司（SMIC）使用7纳米N+2工艺制造。而到了下半年的华为Mate70系列手机，据透露就已经搭载了全新的麒麟9100芯片。该芯片采用6纳米制程工艺，包含八个核心：一个高性能的Cortex-X1...

中国有哪些企业可以生产 7 纳米芯片?

自2022年以来，英伟达、AMD等公司被限制向中国出口高性能计算芯片。如今已经要求台积电停止对7纳米及以下工艺的AI芯片进行供应。美国的策略逐步升级，动作每一招都具有致命性，其目的非常明显：抑制中国科技的发展，保护自身的霸权地位。然而，美国的封锁政策也存在一些消极影响。首先，这给全球芯片产业链带来了极大的不确...

中国芯片制造技术突破,65纳米光刻机登场,国产化进程加速

当前，我们的光刻机是干式光刻机，未来的目标是研发浸润式光刻机，这种光刻机将芯片分辨率进一步提升，甚至可能达到36.5纳米。荷兰的ASML公司便是凭借从干式光刻机到浸润式光刻机的升级，取得了显著成功。如果我们也能成功研发出浸润式光刻机，那么我国的芯片制造水平将大幅提升。除了光刻机技术的突破，我们在光刻...

合肥投资135亿力晶进大陆设12寸厂;尔定律未死由PC转到手机

6月23日,中芯国际与华为、比利时微电子研究中心(IMEC)、高通签署合作协议,共同投资建立中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司(以下简称“新技术公司”),开发下一代(14纳米及以下)CMOS逻辑工艺,打造中国最先进的集成电路研发平台。新技术公司由中芯国际控股,华为、IMEC、高通各占一定股比。中芯国际首席执行官...

科技企业高管说:我国芯片技术能解决7纳米已很了不起,3/5纳米不容易!

台积电尚且无法实现以DUV光刻机生产5纳米,这里的专家却不断吹嘘可以DUV光刻机生产5纳米,甚至突破到3纳米,事实上,对于国产半导体厂商来说,未来很长时间想要生产7nm及其以下的芯片依然是困难的。目前,中国的芯片虽然设计、封测能达到3nm水平,但最关键的生产能力还在10nm~28nm成熟制程之间发力。不过,对于绝大多数...

正式确认,国内的光刻机完全可以生产5纳米,先进工艺不再是桎梏

一直以来,国产芯片研发先进工艺都存在不小的争议,因为ASML没有将先进的EUV光刻机卖给中国芯片企业,中国芯片企业之前买下的最先进光刻机也是2000i,台积电曾以这款光刻机生产7纳米(www.e993.com)2024年12月19日。为了打破芯片工艺对国产芯片的限制,国内芯片制造企业一直在尝试以现有的浸润式DUV光刻机开发7纳米乃至5纳米工艺,其中的一项重要技术是多...

中国芯片加速5纳米量产,以现有设备实现先进工艺的突破

据了解北京一家企业正在研发一种利用现有光刻机生产5纳米工艺的技术,预计很快就能实现量产,该工艺的核心技术是自对准四重图案化(SAQP)技术,类似技术曾被台积电用于7纳米,Intel也曾试图利用该项技术。Intel是最早考虑多重曝光技术的,2014年它就已量产14纳米工艺,2016年ASML还没量产EUV光刻机,Intel就试图利用DUV光刻...

中国高端光刻机问世,分辨率突破65纳米,能制造8纳米的芯片吗

如今随着我国成功制造出65纳米光刻机,西媒的话术又变成了中国不可能生产出28纳米的芯片。他们完全看不到,中国已经成为全球唯一一个拥有光刻机完整生产线的国家。自中美贸易战爆发以来,光刻机这一高端制造设备成为了全球技术封锁的焦点。光刻机被称为芯片制造的“皇冠”,其复杂的工艺和精密的设计使得它成为制造...

专家解读65纳米光刻机的分辨率 技术瓶颈与多重曝光潜力

实际情况中,阿斯麦跳过了65纳米光刻机直接进入浸没式技术,用于32纳米、28纳米芯片的大规模生产。不过,历史资料显示,该公司曾探索使用数值孔径为0.93的65纳米干式光刻机,通过双重曝光技术实现40纳米分辨率,这在2006年的IEEE会议上有论文记载。该研究指出,对于0.93数值孔径的65纳米光刻机,单次曝光要求的套刻精度为8...

华为5纳米SoC并非中芯制造

迄今为止,在美国的制裁之后,华为只能推出7纳米的芯片。因此,在清云L450笔记本电脑内看到一款5纳米的华为麒麟SoC引起了人们的兴趣。许多人认为,这家中国制造商终于找到了一种突破限制、生产先进芯片的方式。然而,TechInsights的拆解揭示了所有的谣言。结果显示,华为麒麟9006c并非由中国半导体制造厂商中芯国际(SMIC)制造...