如何理解半导体材料的应用?这些材料在科技领域的作用是什么?

这种特性使得半导体材料能够实现对电流的精确控制,从而为各种电子元件的制造提供了基础。在集成电路制造中,常见的半导体材料如硅,被广泛应用。硅的纯度和晶体结构对芯片的性能有着决定性的影响。高纯度的硅能够减少杂质对电流的干扰,而良好的晶体结构有助于提高电子的迁移率,从而提升芯片的运算速度和效率。除了硅,砷...

打开胶体纳米材料高温合成新大门:科学家研发砷化镓量子点,熔融盐...

由于砷化镓的直接带隙特性,它能够在电流驱动下直接发射光,而不像硅材料那样需要通过非辐射复合过程才能产生光,这使得砷化镓在高速光通信中具有更高的效能和更低的能耗。其次,砷化镓还被应用于太阳能电池中,特别是高效的多结太阳能电池。砷化镓的宽禁带特性使其能够在宽广的光谱范围内吸收太阳光,从而提升了太阳能电...

化合物半导体的特性及应用领域是什么?这些应用领域的发展前景如何?

在通信领域,它们被用于制造高速、高频的射频器件,如砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等材料制成的微波单片集成电路(MMIC),广泛应用于5G通信基站和卫星通信系统。在光电领域,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等材料制成的LED具有更高的发光效率和亮度,广泛应用于照明、显示等领域。同时,GaN和SiC还用于制造电力电子器件...

半导体贵族砷化镓,蠢蠢欲动

其中砷化镓最大应用市场是射频领域，因具有抗干扰、低杂讯与耐高电压、耐高温与高频使用等特性，因此特别适合应用于无线通信中的高频传输领域，现在越来越多被应用于射频前端元件。采用GaAs基板生产的射频（RF）器件广泛应用于无线通信应用，例如无线网络（WLAN）、4G/5G基站、移动通信、卫星和Wi-Fi通信。而随着5G时代的...

半导体新材料(忆阻器、第三代半导体等)电学特性研究方案及资料

当前,半导体材料已发展到第三代。第一代半导体材料主要以硅(Si)、锗(Ge)为主,主要应用于低压、低频、中功率晶体管以及光电探测器中。随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起,以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代半导体材料开始崭露头脚。

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

宽带隙半导体的高介电击穿场强特性,使得这些材料能够在较薄的耐压层上实现与硅相同的击穿电压,这为设计更小型化、更高效的电力电子器件提供了可能(www.e993.com)2024年11月26日。碳化硅和氮化镓的电子迁移率高,导电时电阻损耗低,这使得它们在功率转换应用中比硅更为高效,尤其是在高温、高频操作中表现出色。

高纯碲与高纯铟技术发展及应用【小金属产业大会】

高纯碲、镉、锌、锑、铟等材料是制备武器装备系统制冷型红外探测器组件的关键材料;纯度直接影响红外探测器的性能,影响多用途反坦克导弹的打击精度和红外探测侦查能力;高纯金属是国之重器自主可控发展不可或缺的关键基础材料。

为什么80%的芯片采用硅晶圆制造?

砷化镓(GaAs):电子迁移率高,但材料脆性大,制造成本高,且不易制备大尺寸单晶。碳化硅(SiC):带隙宽,适合高温高压应用,但晶体生长困难,成本高。氮化镓(GaN):具有优良的电子特性和热稳定性,但材料合成复杂,成本高。其实,硅作为半导体材料具有多方面的优势,包括良好的半导体特性、高质量的晶体结构、低廉的成本、成熟...

甬矽电子2023年年度董事会经营评述

(3)高效率散热技术。实现了高导热固晶银焊膏与高性能砷化镓(GaAs)芯片背金属层烧结技术,大幅提高了砷化镓芯片散热效率,并有效提高了芯片可靠性。(4)5G射频砷化镓(GaAs)倒装芯片技术。GaAs(砷化镓)芯片因其材质等特性,相比传统Si(硅)芯片而言在封装过程中更易因应力导致芯片内部电路层出现裂纹。甬矽电子通过对GaAs芯...

半导体金属行业深度报告:镓、钽、锡将显著受益于半导体复苏

砷化镓与磷化铟未来的使用量将提升;第三代半导体材料则是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)和氮化铝(AIN)等为代表的宽禁带(禁带宽度大于2.2eV)半导体材料,其中碳化硅与氮化镓备受关注;而第四代半导体材料主要包括氮化铝(AlN)、金刚石、氧化镓(Ga2O3),它们被称为超宽禁带半导体材料,目前尚...