全球首款!天岳先进发布12英寸N型碳化硅衬底

高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程,实现高端特高压功率器件国产化。同时,天岳先进在高精尖技术领域的探索从未止步。据国家知识产权局的信息,近期公司申请了一项名为“一种降低碳化硅单晶制备成本的液相生长用坩埚及液相制备方法”的专利,该专利聚焦于碳化硅单晶液相生长技术领域,据悉能够大幅降低...

12英寸碳化硅衬底横空出世 行业龙头天岳先进树立行业全新标杆

高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程,实现高端特高压功率器件国产化。同时,天岳先进在高精尖技术领域的探索从未止步。据国家知识产权局的信息,近期公司申请了一项名为“一种降低碳化硅单晶制备成本的液相生长用坩埚及液相制备方法”的专利,该专利聚焦于碳化硅单晶液相生长技术领域,据了解能够大幅降...

海外首发!天岳先进300mmN型碳化硅衬底全新亮相

300mm碳化硅衬底材料,能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积,大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下,显著提升产量,降低单位成本,进一步提升经济效益,为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。天岳先进通过增加300mm碳化硅衬底产品,打造了更多的差异化的产品系列,并在产品品质、性能等方面满足客户多样化的需求。这一...

天岳先进发布业内首款300mm碳化硅衬底

这一创新标志着超大尺寸碳化硅衬底的新时代,满足了新能源汽车、5G通讯等行业对高性能材料的需求。新产品在提高芯片产量和降低成本方面表现突出,吸引了众多行业客户的关注。天岳先进表示将持续专注于技术创新,以满足市场对高品质碳化硅材料的需求。相关新闻意法半导体CEO:我们正把在中国学到的带回西方,传教士时代已结束6...

天岳先进:以硬科技实力稳坐碳化硅龙头,P型衬底助力高压电网革新

近日,天岳先进再度传来捷报,成功向客户交付了高质量低阻P型碳化硅衬底,这一里程碑式的成果标志着天岳先进朝着以智能电网为代表的更高电压领域迈进了坚实且极具意义的一步。此次交付的高质量低阻P型碳化硅衬底,将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程,实现高端特高压功率器件国产化。

天岳先进在碳化硅领域成果显著,多项成果及排名令人瞩目

近年来,碳化硅产业在中国迅猛发展,天岳先进在其中表现抢眼(www.e993.com)2024年11月22日。天岳先进成功向客户交付高质量低阻P型碳化硅衬底,标志着在高压领域迈出重要一步。针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底的技术难题,天岳先进通过前瞻性布局液相法取得重大突破。其液相法工艺可获得低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体,制备的P型...

刷新行业标准!天岳先进300mmN型碳化硅衬底全新亮相

300mm碳化硅衬底材料,能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积,大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下,显著提升产量,降低单位成本,进一步提升经济效益,为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。天岳先进通过增加300mm碳化硅衬底产品,打造了更多的差异化的产品系列,并在产品品质、性能等方面满足客户多样化的需求。这一...

12月5-7日,第三代、第四代半导体衬底材料如何高效加工?器件散热...

衬底质量,决定着终端器件的性能、可靠性和稳定性。在数字化时代的浪潮中,半导体衬底材料作为产业链的支点,撬动着无数创新技术的发展与突破。从第一代硅基到第三代宽带隙材料,它们在半导体器件的制备中不仅是基础,更是行业进一步升级的核心因素。衬底材料的生产技术是决定器件性能的关键环节之一。这一过程包括了晶体生长...

2024下半年碳化硅材料项目动态一览

天科合达碳化硅衬底产业化基地建设二期项目用于扩大其碳化硅晶体与晶片产能,投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底,其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片,8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。投资额70亿元的重庆三安8英寸碳化硅衬底厂在8月底已实现点亮通线,是三安光电为其与意法半导体合资的8英寸碳化硅器件厂配套建设...

中国成功研制国产6英寸碳化硅晶片 年产7万片

于是,陈小龙团队选择了碳化硅单晶衬底研究。他指出,碳化硅单晶衬底有许多突出的优点,如化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等,但也有不足,如价格太高。碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。碳化硅单晶系...