电机控制专题 | 电机控制技术未来发展创新突破与挑战共存
而工业电源上常采用三相全桥PFC、三相维也纳以及三相图腾柱PFC。PFC电路的应用使得系统能够实现接近于理想的功率因数,同时显著降低输入电流的谐波失真,进而减少对电网的干扰,有望成为电机控制领域的关键技术之一。应用领域广泛如上所述,电机控制技术被广泛应用于多个行业和领域,例如电机控制技术在工业自动化中起着至关...
集成电路布图设计专有权公告(2022年5月27日)
布图设计名称:用于控制X射线管旋转阳极转动的电路布图设计类别:结构:MOS技术:CMOS功能:其他布图设计权利人:IMD(北京)医疗器械有限公司布图设计权利人国籍:中国布图设计权利人地址:北京市顺义区天竺空港经济开发区B区裕华路28号标准厂房12号楼1-2层布图设计创作人:朱海青代理机构:北京维正专利代理有限...
新能源汽车充电桩行业研究:需求快速发展,大功率快充未来已来
IGBT在充电桩当中同样作为核心开关器件应用,在充电模块工作时,三相交流电源经过整流滤波后转为直流输入电压供给IGBT桥,控制器通过驱动电路作用于IGBT将直流电压转换为脉宽调制的交流电压,交流电压经高频变压器变压隔离后,再次经过整流滤波后得到直流脉冲,对电池组进行充电。4.3.2.超级结MOSFET是对传统MOSFET的...
直流充电桩的散热方式和防护等级【充电桩科普系列之十一】
在充电桩领域的电力电子技术是整流器技术。整流器的功率大小,从20世纪90年代的3kW发展现在的20kW-60kW,进步很快,但是,主流的电路拓扑仍然是三相维也纳(PFC)、LLC或移相全桥(DC/DC)。整流器技术在20世纪90年代主要应用是通信电源,输出电压范围很窄,42V-56V;应用在直流充电桩上,输出电压范围很宽,200V-1000V。通过...
BASiC基本半导体碳化硅SiC MOSFET特约代理
双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片(带VCE保护)BTD3011,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器,双向AC-DC电源,户用光伏逆变器,户用光储一体机,储能变流器,储能PCS,双向LLC电源模块,储能PCS-Buck-Boost电路,光储一体机,PCS双向变流器,三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑...
国芯思辰|国产第二代碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中的应用
目前,传统的直流充电桩拓扑电路,一般是三相交流380V输入电压经过PFC维也纳AC/DC电路后,得到直流母线电压,然后经过两路全桥LLCDC/DC电路,输出200V到1000V高压给新能源汽车充电使用(www.e993.com)2024年10月18日。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率40kHz左右,一般使用650V的超结MOSFET或者650V的IGBT,劣势是器件多,硬件设计复杂,效率低,失效率高。
华微电子举行“新基建-芯片制造的新风口”交流会
我国大力发展新能源汽车,与之配套的新能源汽车充电桩需求不断增加。华微电子在充电桩领域,三相维也纳输入整流(PFC)部分可以使用FRED和超结MOSFET,在LLC谐振电路可以使用超结MOSFET,在输出输出整流部分可以提供FRD和SiCSBD的解决方案。服务器电源,是新基建中的大数据中心建设中不可或缺的重要支撑,数据中心服务器...
华微电子:“新基建”风口下,本土功率半导体芯片需求将趋于旺盛
新能源汽车充电桩,我国新基建将大力发展新能源汽车,与之配套的新能源汽车充电桩需求不断增加。华微电子在充电桩领域,三相维也纳输入整流(PFC)部分可以使用FRED和超结MOSFET,在LLC谐振电路可以使用超结MOSFET,在输出整流部分可以提供FRD和SiCSBD的解决方案。
快速充电站的多用性会使电动车数量暴增
这里,介绍一下维也纳整流电路。]VIENNA整流器电路结构简单,开关管数量少,可以实现三电平运行,同等输出电压情况下,能有效地降低开关管的电压应力。另外,该电路具有三电平结构,因而,在确定电流纹波要求下,可以采用较小的滤波电感。由于上述特点使得该电路在单相功率因数校正(PFC)场合具有良好应用前景。
苏州东微半导体股份有限公司 第一届监事会第五次会议决议公告
2019年至2021年,直流充电桩和交流充电桩的占比结构相对稳定,交流充电桩占比保持约六成左右,直流充电桩占比保持约四成左右。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器(PowerFactorCorrection,“PFC”),其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。