三星计划2026年实现400层NAND闪存,2030年将超过1000层

在传统的NAND闪存芯片中,存储单元堆叠在外围电路上方,外围电路充当芯片的大脑。然而当层数超过300层时,堆叠经常会损坏外围设备。为了解决这一问题,三星正在开发第10代V-NAND技术,打算使用一种创新的键合技术,将存储单元和外围电路分别在不同的晶圆上制造,然后再结合在一起。这种方法有望解决存储容量提升及散热效率问题,...

经典回顾|赛迪科创“独角兽”观察:中国领先的3D NAND闪存设计制造...

长江存储专注于3DNAND闪存的设计与制造,向全球合作伙伴提供3DNAND闪存晶圆和颗粒,以及嵌入式存储芯片、消费级和企业级固态硬盘等产品和解决方案。产品广泛应用于移动通信、消费电子、服务器以及数据中心等领域。长江存储自主研发的Xtacking技术颠覆了传统NAND闪存架构,实现了高密度、高性能、高可靠性和低功耗的闪存芯片,...

存储芯片巨头,秀肌肉!

当CTL缩小到4纳米时,BN势垒的优势变得更加明显,与相同厚度的纯SiNCTL相比,它具有更大的存储窗口、更好的空穴保持能力和更快的擦除速度,这有助于推进3DV-NAND闪存器件的XY缩放。在三星和浦项大学合著的论文“ElectricallyErasableOxide-Semiconductor-ChannelChargeTrapFlashMemorywithUnip...

愤怒!美国打压中国NAND芯片后,美光、三星迅速领先!

美国限制全球半导体设备厂商向长存销售先进设备，阻止其232层闪存的生产，生怕国产存储芯片迅速崛起，抢走美光、三星的市场份额。本来国内存储芯片行业在某些方面已经取得了一定的优势，但美国的限制政策无疑将这一领先的时间窗口大幅缩短。紧接着，三星、SK海力士和美光等巨头迅速跟进，推出了自己的232层3DNAND闪存，并从...

业界最高密度,西部数据预览 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片

这一模式可在提升闪存读写性能的同时,有效提升闪存整体存储密度,降低运行功耗。具体在数值层面,西数表示,BICS8颗粒在密度上比竞争对手高出15~19%,其中1Tb版本的TLC颗粒拥有与对手2xxL1TbQLC颗粒相媲美的存储密度。而在能效方面,西部数据宣称其BICS8闪存在编程能耗(IT之家注:原文ProgramEfficienc...

...长电科技巨资收购全球第二大NAND闪存供应商子公司股权后应声涨停

存储芯片业绩反转悄然而至？存储模组龙头细分产品“卖爆”Q4净利同比暴增14倍，长电科技巨资收购全球第二大NAND闪存供应商子公司股权后应声涨停财联社3月9日讯（编辑俞琪若宇）AI热潮下存储芯片需求量正迎来明显增长，价格随之持续攀升(www.e993.com)2024年11月22日。SK海力士周四表示，今年将投资10亿美元发展高带宽内存技术。公司曾在2月底宣布...

【授权】中芯国际“NAND闪存器件及其形成方法”专利获授权;清华...

3、清华大学研发出存储芯片“诊疗一体化”技术4、初创公司瑞利光:已验证堆叠式MicroLED量产可行性5、LGInnotek获得三项电动汽车充电标准全球专利1、中芯国际“NAND闪存器件及其形成方法”专利获授权天眼查显示,中芯国际近日新增多条专利信息,其中一条名称为“NAND闪存器件及其形成方法”,公开号为CN113078099A,法律...

替代部分美系设备成功!长江存储成功用国产设备制造 3D NAND 芯片

据悉,长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备,以及拓荆科技的沉积设备,成功制造出3DNAND闪存芯片。TechInsights称,虽然长江存储仍继续依赖ASML和泛林集团等外国供应商提供关键工具,但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分。

为什么QLC可能是NAND闪存的绝唱?

随着对闪存每平方毫米字节数的需求不断增加,制造商已尽最大努力缩小构成NAND闪存芯片的晶体管和其他结构。这导致了诸如由于电子泄漏导致数据保留时间缩短以及由于结构变薄导致磨损增加等问题。通过在每个单元中存储更多位来快速轻松地增加总存储大小的方法不仅加剧了这些问题,而且还带来了巨大的复杂性。

NAND闪存市场呈现复苏迹象,未来格局或生变

TrendForce预计,尽管是传统的淡季,但由于订单规模的持续扩大,2024年第一季度NAND闪存产业营收仍会有20%的同比增长,这也刺激了NAND闪存合同价格平均25%的涨幅。自2023年第三季度以来,NAND闪存芯片价格已连续数月上涨,在2024年市场需求前景保守的前提下,芯片价格走势将取决于供应商的产能利用率。