电动汽车DC/AC解析

输出功率:10kW~200kW输出电压:300V~600V输出频率:50Hz~60Hz总谐波畸变率:<5%5.影响因素逆变器的性能会受到多种因素的影响,包括:电子开关器件的性能:电子开关器件的性能越好,逆变器的效率就越高,损耗就越低。控制策略:控制策略越先进,逆变器的输出波形质量就越好。滤波器的性能:滤波器的性能越好,逆...

当输入和输出电压接近时,为什么难以获得稳定的输出电压

当顶部N沟道MOSFET闭合时,开关节点的电位与输入源大致相同。这意味着顶部MOSFET的源极电压高于栅极电压(来自栅极驱动器)。若没有高于NMOS阈值电压的正栅源电压,MOSFET将无法导通。因此,需要使用自举电容来确保栅极电压始终高于源极电压。忽略自举电容省略自举电容不会给设计人员带来什么明显的好处,这样做可能是为了缩减...

艾为电子推出笔电端口保护MOSFET

端口过压后,PDController控制Gate和Source端压差小于开启电压值,快速关断MOSFET从而保护后级不被损坏。图2AW403010QCSR在Type-C接口的原理图图2为某笔电主板65W充电器插入对应的VBUS和VGS波形变化,VBUS接入5V电压,检测到快充后在ms级别的时间内变化到20V,MOSFET的驱动电压在VBUS改变前已经发生变化,保证MOSFET开启...

MOSFET打开的过程

第四阶段的波形图如图所示。MOSFET的数据手册(datasheet)中常见的电容参数包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和反向传输电容(Crss)。这些参数与MOSFET的Cgd,Cds和Cgs电容有关,但没有直接列出Cgd和Cgs的值。Ciss(输入电容):输入电容是从栅极到源极的总电容(我们一般通过控制GS之间的电压VGS作为输入,所以对于这个...

详解开关电源 8 大损耗

图1.降压转换器集成了低导通电阻的MOSFET,采用同步整流,效率曲线如图所示降压型SMPS损耗是任何SMPS架构都面临的问题,我们在此以图2所示降压型(或buck)转换器为例进行讨论,图中标明各点的开关波形,用于后续计算。降压转换器的主要功能是把一个较高的直流输入电压转换成较低的直流输出电压。为了达到这个要求,...

开关模式电源问题分析及其纠正措施:晶体管时序和自举电容问题

图8违反最小关断时间的电流波形(www.e993.com)2024年11月13日。频率折返至335kHz图9负载调整和折返频率。随着负载增大,频率会折返以维持稳定的输出电压在图9中可以看到,随着负载增加,器件频率会折返以保持恒定的输出电压。器件在DCM下运行至约0.28A,这就是频率下降到约495kHz然后又回升至657kHz的原因。以657kHz的频率运行时,器件可...

利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环

图2.P沟道MOSFET用作高端输入开关,可提供过压保护监控电路的高电平有效输出连接到P沟道MOSFET的栅极。当监控的电压低于指定阈值时,OUT引脚将栅极拉低,接通P沟道MOSFET。负载因此连接到电源电压。当监控的电压超过阈值时,OUT引脚变为高电平,P沟道MOSFET关断,负载与电源电压断开连接。

轻松了解功率MOSFET的雪崩效应

DUT(被测器件)是功率MOSFET器件。三角形表示栅极驱动电路图3.MOSFETDUT的非钳位电感关断波形能量函数是功率函数的积分高边功率MOSFET(见图4)可能会发生雪崩,具体取决于栅极驱动条件。如果关断时的栅极驱动器将栅极和源极电位放在一起,使Vgs<<Vth,则源极电位可能会下降到器件雪崩所需的负值。然而,如果关断时的...

利用SiC模块进行电动压缩机设计要点

可调负压输出:-3.4V/-5V/-8V可调欠压保护UVLO电压5V参考电压输出(供电给其他器件,比如隔离芯片)过热保护应用电路推荐如下(下桥可以不用隔离)图8:NCV51705半桥应用电路安森美的汽车级SiCMOSFET分立器件安森美有丰富的SiCMOSFET产品,可以覆盖市面上所有的分立电动压缩机方案。以下是适用于800V平台...

反激电源电路分析

开关电源是利用现代电子电力技术,控制开关管开通和关断的时间比率。维持稳定输出电压的一种电源。开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。开关电源的类型线性稳压器所谓线性稳压器,也就是我们所说的LDO,一般有这两个特点:传输元件工作再线性区,它没有开关的跳变。