清华大学光刻机 国产光刻机厂家
这一技术基于高功率、高重频、窄带宽的相干辐射,可以覆盖太赫兹到极紫外波段,特别适用于EUV光刻机的光源。稳态微聚束EUV光源相比传统的准分子激光技术具有更高的自主可控性和创新性,可以满足未来EUV光刻机的需求,为国内芯片制造商摆脱对ASML等西方供应商的依赖提供了坚实的技术基础。清华大学正在积极推动稳态微聚束...
国产氟化氩光刻机究竟能对标ASML哪款产品
这里还是需要从套刻8nm说起,工信部官宣的全国产氟化氩193纳米光源光刻机有三大指标:波段193纳米,分辨率65纳米,套刻≤8纳米。不要看套刻精度小于8纳米就以为是7纳米或8纳米制程。芯片的制造过程中,需要光刻堆叠很多层图案,套刻精度是两层光刻层之间的对准精度,这个指标够高才能通过多重曝光提高芯片的制程。最主...
国产光刻机来袭:氟化氩光刻机A股20只核心概念股
中秋佳节,国产光刻机传来大消息,工信部推广国之重器--氟化氩光刻机(分辨率《=65nm),发布于工信部近日的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》中,这或将再次引爆A股光刻机相关概念股以及氟化氩光源相关企业,为此本文对近期市场说到的20相关概念股进行简析:首先、5股今日交易相对活跃即近五日...
EUV光刻机突破中的科技与产业创新是如何融合的?
20世纪80年代初,业界开始探索下一代光刻技术,当时有3个备选波段:1、准分子激光波段;2、10—100nm的EUV波段;3、10nm以下的软X射线波段。起初,在以国际商业机器公司(IBM)为代表的大量研发主体重点聚焦软X光射线技术路线的同时,日本电报电话公司(NTT)、尼康公司、佳能公司、贝尔实验室和若干美国国家实验室等研究机...
芯片“印钞机”的背后:人类物理的极限探索与大国博弈的必争之地
可以说,过去几十年,光刻机的光源就是从红外线的最右侧不停无限接近紫外线最左侧的过程。今天所谓的EUV极紫外光刻机,使用的即是紫外线波段最左侧的光谱。在《光刻机之战》一文中也详细的描述了这一进程:90年代前半期,光刻开始使用波长365nmi-line,后半期开始使用248nm的KrF激光;其中,00年代光刻开始使用193...
首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”
官宣国产光刻机是什么水平?“套刻精度达到≤8nm”让氟化氩光刻机满足存储芯片光刻需求,那其整体性能同ASML光刻机相比,又处于怎样的地位呢?这里还是得从氟化氩光刻机官宣的参数谈起——波段193纳米,分辨率65纳米,套刻≤8纳米(www.e993.com)2024年10月18日。光刻是指在特定波长光线的作用下,将设计在掩膜版上的集成电路图形转移到硅片表面的...
俄罗斯首台光刻机,真的制造成功了
不过,目前还不太清楚俄罗斯所说的350nm(0.35μm)光刻机是哪种类型光刻机,此前俄媒曾提到过基于同步加速器和/或等离子体源"的无掩模X射线光刻机,而从目前来看350nm(0.35μm)的波段达到i线(365nm)。350nm芯片,什么水平
EUV光刻机,大结局?
EUV光刻机光源的双脉冲激发方案为获得高亮度的6.Xnm波长光源,目前使用波长为1030nm的Yb:YAG脉冲激光设备照射钆(Gd)靶材产生等离子体,研究结果表明,Gd等离子体的BEUV转换效率仅为0.47%。目前实际EUV光刻机中的EUV转换效率约为5%左右。简而言之,BEUV光刻机中的BEUV转换效率比EUV光刻机中的EUV转换效率低将近...
ASML要慌:EUV光刻机新光源出现,成本降50%,功耗降80%
ASML公司的极紫外光刻机所采用的是一种名为EUV-LPP的光源。它利用一种极其精细的装置,把微小的锡金属液滴转化为一种能发射远紫外光的电浆,并能在硅晶片上刻下纳米尺度的图形。这简直就是一部科幻片。不过,这样的高技术也并非没有缺点。首先,它的造价非常昂贵,你想想,一台CO2激光枪本身就造价昂贵,而整套...
波长光电跌3.86%,短期趋势看,该股当前无连续增减仓现象,主力趋势...
1、2023年8月25日互动易回复:在半导体应用领域,公司已具备提供光刻机配套的大孔径光学镜头的能力。公司成功开发的光刻机平行光源系统可用于国产光刻机领域配套,并已交付多套系统用于接近式掩膜芯片光刻工序。2、2023年8月11日官微:波长光电推出的AR近眼检测镜头,具有较高的分辨率及较大的视场角,能够很好地模拟人...